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總極化由量子井和屏障之間界面的表面電荷密度表示。這些電荷誘導強大的內置電場，改變有源區域的載流子密度和帶狀圖。在相同量的電流下，量子井中的電場沒有極化和有極化如下所示：正如文獻[1]中解釋的那樣，在沒有任何極化的情況下，活動區域中的電場是正的，這導致孔聚集在n參雜側。然而，極化在有源區域產生高負電場，這將孔推向P參雜側。從CHARGE模擬中提取的載波密度中也可以看出這一點。

：折射率虛部變化實現強度調制1.量子限制斯塔克效應(quantum confined stark effect, QCSE)反映了量子阱結構光學吸收譜在外加垂直電場作用下的變化，如圖所示，電子和空穴被束縛在量子阱中。

這里生長的LED疊層結構由160nm In0.05Ga0.95N/GaN超晶格（SL）、多量子阱（MQW）、20nm電子阻擋層和35nm p-GaN接觸層共同組成。其中，MQW發光區又由三個2nm發藍色光的In0.12Ga0.88N/GaN預阱和五個2.5nm發綠色光的In0.25Ga0.75N/GaN阱組成，這兩個量子阱又被10nm 得GaN勢壘隔開。

DGTD--解決最具挑戰性的納米光子模擬· FEEM--對復雜幾何形狀和材料中的波導模式，等效折射率，電場分布等進行高精度分析· MQW--準確模擬帶結構、增益、以及多量子阱結構的自發輻射特性· Interconnect--光子集成電路仿真器，可驗證多模、雙向和多通道PIC· CML Compiler--高效、自動化地創建緊湊模型庫· 拓展應用二、本期資料如何獲取？

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