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瑞森半導體超結MOS全系列采用多層外延工藝，具有低導通損耗、大通流能力、低柵極電荷、低開啟電壓、出色的非鉗位感性開關能力等工藝特色。再加上我司對產品進行百分之百的雪崩能量擊穿測試等自有標準；產品對標英飛凌C3、 P6、P7系列 ; 封裝產品豐富，為設計者們提供了極大的靈活性。

被測器件和嵌位二極管的溫度可以由溫度強制系統來調節。 圖13. 開關電感損耗的測試電路 下面的測試條件在一個動態特性表格中被定義：VDD如圖13，測試電流，柵驅動電壓，柵電阻，還有結溫。注意的是門極電阻包括驅動柵極IC的阻抗。