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硅移動膜的直徑為0.6 mm，厚度為0.5μm，并且包含允許麥克風兩側壓力通風的孔。這個膜與剛性背板之間的氣隙為2.2μm（尺寸取自Czarny）。背板包含穿孔，這些穿孔在膜兩側和殼體空腔上的壓力分布中發揮作用，這也是聲學設計的一部分。 建模 結構的三維模型在ANSYS DesignModeler中創建，并用實體單元劃分網格。 結構體使用SOLID185單元。

制備工藝與性能測試（一）精密制備：四步流程確保結構精度1、硅波導制備：通過EBL光刻與ICP-RIE刻蝕（C?F?/SF?氣體）形成垂直側壁。2、SiON薄膜沉積：采用ICPCVD技術，通過調節N?O流量控制折射率，Ar氣保障膜厚均勻性。3、薄膜蝕刻：用Cr硬掩模選擇性蝕刻上層4層SiON，保留底層用于模場耦合。

該技術廣泛應用于生產晶體、晶體薄膜，晶須，多晶/非晶材料膜。化學氣相沉積技術在半導體工業中有著比較廣泛的應用，例如，非晶硅薄膜太陽能電池中非晶硅材料的制備采用的就是等離子增強型化學氣相沉積技術（PECVD），等離子技術可以促進化學反應的發生，使得沉積過程能夠在較低的溫度下進行。

網格采用Ansys MESHING進行劃分，網格數量為10.7萬，由于在擋板附近為速度變化較大區域，因此采用局部網格加密的方法，如圖5所示。

利用ANSYS有限元軟件和傳熱理論對不同結構的IGBT功率模塊進行了仿真分析，IGBT模塊在穩態下運行的溫度場分布如下圖所示。總體而言，IGBT模塊的內部溫度分布不均勻，因為IGBT模塊中材料的熱導率不同，并且受到熱耦合的影響，尤其是在芯片區域。因此，我們應該合理設計模塊芯片的整體布局，以減少熱耦合對IGBT模塊的影響。

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文章來源：2022 第五屆LS-DYNA技術論壇視頻鏈接：LS-DYNA中鋰電池的電化學-熱-結構耦合擠壓、針刺模型技術校對：董驍， Ansys高級應用工程師；整理編輯：俞琴