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題目：Bias dependence of non-Fourier heat spreading in GaN HEMTs介紹：本文采用計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)(TCAD)和聲子蒙特卡羅(MC)模擬相結(jié)合的方法，研究了氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(hemt)的自加熱問題。仿真結(jié)果表明，通道中偏置相關(guān)的熱生成會同時對熱擴(kuò)散過程和聲子彈道效應(yīng)產(chǎn)生顯著影響。

MicroLED（μLED）是由氮化銦鎵（InGaN）和磷化鋁鎵銦（AlGaInP）等III-V族化合物（位于元素周期表第三列和第五列）制成的微米級器件。MicroLED是小型、扁平、方形的光源，可以內(nèi)置在具有極高對比度的陣列中。MicroLED顯示器中的每個LED都可充當(dāng)一個像素（紅色、綠色或藍(lán)色），可用于MicroLED電視和其他需要高級顯示器的技術(shù)。

該技術(shù)已經(jīng)成為制備各種功能薄膜的重要手段。北方華創(chuàng)微電子突破了濺射源設(shè)計(jì)技術(shù)、等離子產(chǎn)生與控制技術(shù)、顆?？刂萍夹g(shù)、腔室設(shè)計(jì)與仿真模擬技術(shù)、軟件控制技術(shù)等多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，建立了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)優(yōu)勢，形成了國產(chǎn)集成電路領(lǐng)域高端薄膜制備設(shè)備零的突破，設(shè)備應(yīng)用跨越多個技術(shù)代，代表著國產(chǎn)集成電路薄膜制備工藝設(shè)備的較高水平，并成功進(jìn)入國際供應(yīng)鏈體系。

；金屬粉體：銅粉、銀粉、金粉、鎳粉和鋁粉、鈉鉀合金、鉛鉍合金、鎵銦合金、液態(tài)金屬原液；化工原料：有機(jī)硅、環(huán)氧樹脂、聚氨酯、丙烯酸樹脂、聚酰亞胺、酚醛樹脂及化工原料等 電子封裝材料：金屬：鋁、銅（鈹銅）、鎢/銅、鉬/銅、硅/鋁、鈹/鋁、泡沫金屬/多孔金屬等；橡膠；陶瓷材料：氮化鋁、氧化鋁、氧化鋯、碳化物、硼化物、氮化物、硅化物；玻璃等 導(dǎo)熱散熱材料 熱界面材料：導(dǎo)熱矽膠布、薄膜