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相較于平面晶體管，FinFET運用立體的結構，對柵極形狀進行改制，閘門被設計成類似魚鰭的叉狀3D架構，位于電路的兩側控制電流的接通與斷開，大幅度提升了源極和柵極的接觸面積，減少柵極寬度的同時降低漏電率，讓晶體管空間利用率大大增加，讓電路更加穩定，同時也達成了半導體制程持續微縮的目標。