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? 評估接點間距與接點分布對流動的影響? 優化底膠的點膠路徑設定灌膠? 更真實且詳細的點膠頭路徑及給料的可視化 (支持potting & dotting)? 利用完整的物理模型來仿真表面張力引發現象，如爬膠? 方便的建模工具及設定接口來重現多樣的制程設計

Moldex3D的樹脂轉注成型模塊（RTM）支持樹脂產品的制程仿真。在設計與3D模擬方面，通過充填/熟化的分析，用戶可以更容易評估決定適合的生產條件。此外，樹脂轉注成型模塊提供智能化的精靈工具和后處理器，能夠協助早期缺陷診斷和設計修改。注：Moldex3D的RTM僅支持實體網格。

或者，選取 [包含 RPM 相依性計算] (Include RPM dependent calculations) 復選框，以執行一系列不同 RPM 的仿真。

掃碼報名學員能力提升目標· 了解電解水制氫的基本原理；· 掌握Fluent PEM電解水制氫仿真分析的流程（幾何、網格及求解設置）授課內容提綱一、ANSYS Fluent電解水制氫模型介紹二、基于PEM電解水制氫幾何模型準備介紹三、基于PEM電解水制氫網格劃分技術介紹四、基于PEM電解水制氫Fluent模型設置詳細介紹五、基于

考慮PCS發熱功率及通風量、制冷水機發熱功率及通風量，建立電氣倉熱仿真模型，評估熱風回流風險，計算出電氣倉溫度和流場分布，此案例包括icepak仿真模型及報告，可下載直接運行求解。

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粉末注射成型透過單一的加工制程直接做出復雜形狀的產品，適合大量制造，已經廣泛使用于各種產業。

，基于某PTC制熱的純電動汽車低溫熱管理結構方案，通過AMEsim仿真軟件建立了液壓熱管理模型，并用試驗數據驗證了模型仿真結果的可靠性。

透過軟件仿真分析，該團隊了解射出壓縮制程對于塑料成型的整體影響，驗證新制程的可行性，確保產品尺寸精度。

圖一 片狀塑料的壓縮成型制程片材的壓縮成型制程常伴隨著鋪覆和壓縮程序。鋪覆程序涉及塑料彈性結構行為；而壓縮制程則涉及流動行為。要在模擬中同時考慮此兩種行為的交互作用，是一大挑戰。而透過Moldex3D與結構分析軟件的整合，即可完整模擬這兩種行為。此仿真流程分為兩階段(圖二)：第一階段以有限元分析軟件LS-DYNA仿真鋪覆過程；第二階段則由Moldex3D進行流動和翹曲分析。

圖一 傳統射出成型制程(━━━)與iMFLUX制程(━━━)的比較(Reference: https://www.imflux.com/ ) 對使用者而言，當使用iMFLUX制程時，如何選擇最佳的射出壓力與決定適當的模具傳感器位置用于PFA控制參數是至關重要的。以往只能透過試誤法尋找可行的數值，現在透過Moldex3D即可進行iMFLUX制程仿真功能，如圖二所示。

Moldex3D GAIM/WAIM功能支持回沖制程仿真，以設計熔膠與輔助流體的進口，使得掏空(Core-out)效果優化。Moldex3D能幫助使用者在早期設計時間評估潛在的成型瑕疵，同時避免輔助流體過度回沖到料管的風險。以下步驟將說明如何在GAIM/WAIM模擬中納入回沖制程。

熔化塑件的主要驅動力是在整個塑化制程中塑件的電熱與黏滯加熱。此制程的輸出是螺桿特性與模具特性之間平衡的結果（在螺桿尾端）。ScrewPlus 是一個強大的工具，可仿真經過實體輸送（塑料輸送段）、熔化（過渡段）及泵取（計量段）從實體狀態到熔化狀態的整個塑化制程。它可提供熔化的真實溫度，并自動在 Moldex3D「加工精靈」中自動更新此信息，以進一步模擬。

在后熟化制程中，成型塑料會發生聚合反應，以及化學與物理的變化過程。目前在Moldex3D后熟化制程分析中，由PVTC與隨溫度－固化變化的黏彈性松弛模型所建構的模型，將為制程仿真所需的有限元素模型。更詳細的計算參數設定請參照準備分析下的章節。

2.2冷端仿真計算仿真條件設置：環境溫度為20℃，冷卻方式為對流換熱，流道為三管程蛇形流道設計，熱源為1000W。冷端仿真計算得到的仿真結果如圖6—圖8所示。從圖中可以看出，在制冷/制熱工況下，板式換熱器都能與工作介質進行有效對流換熱。

挑戰由于芯材包含了刻溝和孔道，本案例不僅是要模擬常見的純纖維RTM，也要挑戰更復雜的幾何結構，增加仿真的困難度。解決方案Moldex3D RTM 模塊可以針對各個迭層定義不同的屬性及纖維排向，有利于模擬復雜的RTM制程。其獨特的等效滲透率功能，精準的仿真PVC 芯材里刻溝與流道的流動特性，達到模擬與實驗結果比對高度的準確性。

盡管在實際生產中，氣泡形態可能更復雜或難以預測，模流分析仍是較經濟的工具，協助提供更真實的氣泡結構仿真結果，確保產品質量。

壓縮成型 (Compression Molding)（壓縮成型／嵌入式晶圓級封裝／非流動性底部填膠／非導電性黏著）Moldex3D壓縮成型模塊能仿真底部填膠制程與晶圓級封裝制程。針對底部填膠封裝，能檢視堆棧芯片與基板之間的充填行為，并分析壓縮力作用之下的金線偏移現象。針對晶圓級封裝，能預測在壓縮成型過程中熔膠厚度的變化、基板偏移行為及最大剪切應力分布。

IMEC提出了Forksheet，通過仿真，IMEC預計Forksheet具有理想的面積和性能微縮性，以及更低的寄生電容。此外，3D“互補FET”（CFET）也是1nm制程的晶體管方案，CFET的一個顯著特征是與納米片拓撲結構具有很強的相似性，CFET的新穎之處在于PFET和NFET納米片的垂直放置。CFET拓撲利用了典型的CMOS邏輯應用，其中將公共輸入信號施加到NFET和PFET的柵極。

圖一 傳統射出成型制程(━━━)與iMFLUX制程(━━━)的比較 (Reference: https://www.imflux.com/)對使用者而言，當使用iMFLUX制程時，如何選擇最佳的射出壓力與決定適當的模具傳感器位置用于PFA控制參數是至關重要的。以往只能透過試誤法尋找可行的數值，現在透過Moldex3D即可進行iMFLUX制程仿真功能，如圖二所示。