圖2a展示了PSW的橫截面尺寸,其上層間隙寬度為180納米,金層厚度為150納米。調(diào)制效率與插入損耗之間存在權(quán)衡關(guān)系。我們通過有限元法模擬了調(diào)制效率與插入損耗的變化,并采用這兩項指標的乘積來評估Vπ效應(yīng)及其相關(guān)損耗的綜合影響。如圖2d所示,為了實現(xiàn)高效的模式轉(zhuǎn)換,槽高度被選擇為150nm,這也被用于光柵耦合器(GC)、LN脊波導(dǎo)、MMI和PSW的相同刻蝕深度,以簡化制造工藝。
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摩爾芯創(chuàng) ??? 4月前