芯片制造的核心工藝：一文看懂薄膜沉積 
4）ALD（Atomic Layer Deposition）原子層沉積ALD采用單原子層逐層生長(zhǎng)，既可用于低k介質(zhì)也可用于金屬柵極/高k金屬化合物薄膜沉積。ALD是通過(guò)脈沖波進(jìn)行單原子層膜逐層生長(zhǎng)，將原子逐層沉積在襯底材料上，區(qū)別于傳統(tǒng)CVD在于，CVD將不同反應(yīng)氣體同時(shí)導(dǎo)入腔室，ALD是讓不同材料的脈沖波在不同時(shí)間到達(dá)晶圓表面，兩種氣體周期性地進(jìn)行反應(yīng)。
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芯電路芯資訊 ??? 3年前
【JY】YJK前處理參數(shù)詳解及常見(jiàn)問(wèn)題分析（六）：地震信息 
6、地下一層以下抗震構(gòu)造措施的抗震等級(jí)逐層降低及抗震措施四級(jí)勾選此參數(shù)，軟件對(duì)地下1層的抗震措施和抗震構(gòu)造措施不變，對(duì)地下2層起抗震構(gòu)造措施的抗震等級(jí)逐層降低一級(jí)，但不低于四級(jí)。對(duì)地下2層起的抗震措施取為四級(jí)。
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建源之光 - 減隔震 ??? 3年前
復(fù)合材料低速?zèng)_擊插件：基于ASTM D7136標(biāo)準(zhǔn)自動(dòng)化建模（Composite Impact Auto?Builder） 
其實(shí)現(xiàn)方式為“逐層剝離”算法：程序讀取鋪層總數(shù)后，在上、下相鄰鋪層之間自動(dòng)插入獨(dú)立的 Cohesive 層幾何體，每層厚度為 0.001 mm。
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復(fù)合材料有限元分析 ??? 16天前
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