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2021年6月5日，英諾賽科（蘇州）半導體有限公司舉行量產暨研發樓奠基儀式，全球最大的氮化鎵生產基地正式投產。此前，英諾賽科表示，項目一期投資總額預計80億元人民幣。投產后產能將逐步爬坡，到2021年底產能達6000片/月。2022年底項目全部達產后，蘇州工廠將實現年產能78萬片8英寸硅基氮化鎵晶圓，預計年產值150億元，利稅超15億元。

國內廠商包括蘇州能華、華功半導體以及英諾賽科等，其中英諾賽科建成中國首條8英寸硅基氮化鎵外延與芯片大規模量產生產線。氮化鎵襯底市場主要由日本住友電工、三菱化學也以及新越化學主導，其市場份額占到90%以上，可以成熟提供4英寸以及6英寸氮化鎵襯底。