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“眩光”是一個用于成像系統設計領域的術語。從技術上講，眩光是照射在成像系統的傳感器平面從而導致系統性能下降的雜散光。雖然準確地解釋這一現象需要執行一個完整的非序列分析，但許多光學成像系統只需要對前向散射效應進行初步觀察。本文展示了如何使用OpticStudio中內置的工具進行初步的眩光測量。此分析需要幾分鐘的時間來執行，并且可以在不進行完整的非序列分析的情況下得到有意義的結果。

“眩光”是一個用于成像系統設計領域的術語。從技術上講，眩光是照射在成像系統的傳感器平面從而導致系統性能下降的雜散光。雖然準確地解釋這一現象需要執行一個完整的非序列分析，但許多光學成像系統只需要對前向散射效應進行初步觀察。本文展示了如何使用OpticStudio中內置的工具進行初步的眩光測量。此分析需要幾分鐘的時間來執行，并且可以在不進行完整的非序列分析的情況下得到有意義的結果。

基于MEMS結構的FPA受其內部可動機械部件的限制而存在速度有限、可靠性差等問題，基于熱光效應的FPA則具有熱光器件固有的速度慢、功耗高等問題。因此，現有熱光式焦平面陣列芯片存在可靠性低、速度慢、功耗高等問題。 為解決上述問題，西北工業大學機電學院空天微納系統教育部重點實驗室基于薄膜鈮酸鋰的電光效應研制出全球首款基于電光效應的焦平面陣列光束掃描芯片。

基于MEMS結構的FPA受其內部可動機械部件的限制而存在速度有限、可靠性差等問題，基于熱光效應的FPA則具有熱光器件固有的速度慢、功耗高等問題。因此，現有熱光式焦平面陣列芯片存在可靠性低、速度慢、功耗高等問題。 為解決上述問題，西北工業大學機電學院空天微納系統教育部重點實驗室基于薄膜鈮酸鋰的電光效應研制出全球首款基于電光效應的焦平面陣列光束掃描芯片。

下面是論文的結果 VS 我的結果1，慢光效應的延時時間計算和等效折射率 上面這三張圖就是該復現該論文的難點，光學延遲時間和群折射率計算公式如下 難點在于要對圖7a求出的曲線，首先求每點的切線斜率，然后所有點的切線斜率合在一起得到圖7b。那么問題是該怎么求各點的切線斜率？翻翻高等數學書導數的定義就知道了。

電等效模型調制器和光電探測器等光電元件的負載效應可以通過等效電路建模。這些電路通常由電阻、電容、電感和二極管等基本電子元件組成。這些元件的數值可以通過仿真計算得出，也可以從實驗測量中提取。在本工作流程中，調制器和光電探測器使用相對簡單的等效電路來表示這些器件的電阻和電容。根據器件設計的具體細節，可以使用包含其他寄生電效應的更詳細的等效電路。

? 光學特性：光穿透、光反射、IR 遮蔽、藍光遮蔽、光擴散。

舉例來說，光電二極管利用光電效應來檢測光并將其轉換為電信號，光電晶體管利用該效應來放大傳感器和開關中的光信號，而太陽能電池則通過它來直接將太陽光轉化為電能。光伏效應光伏效應（Photovoltaic Effect）是指當被光線照射后，電子仍然滯留在材料中，但會處于比自然基態更高的能量狀態。光的能量會導致電子和空穴載流子在半導體結區運動，從而產生電流并傳輸到外部電路。

自發拉曼散射源于熱振動聲子對于入射光的散射。受激拉曼散射則是強激光與物質相互作用時產生的受激聲子對于入射光的散射。系統描述本例展示了如何模擬瞬態拉曼效應。當高功率超短激光脈沖在大氣中傳播時，若脈沖寬遠遠小于拉曼過程的時間常數，則該作用過程就可以通過求解描述瞬態拉曼過程的方程組進行模擬。理論手冊第9章中包含對瞬態拉曼效應方程的完整描述。

OAS的自由曲面設計模塊采用了高階數據擬合算法，允許工程師直接定義目標區域的光強分布曲線，軟件自動反推出最優的曲面參數。?反向追跡與雜散光分析，讓樣機迭代一次性做對OAS的反向追跡功能，允許工程師在仿真階段就精確定位每一束光線的路徑。配合BSDF散射模型，OAS還能精確模擬材料表面的散射效應。

自發拉曼散射源于熱振動聲子對于入射光的散射。受激拉曼散射則是強激光與物質相互作用時產生的受激聲子對于入射光的散射。 系統描述 本例展示了如何模擬瞬態拉曼效應。當高功率超短激光脈沖在大氣中傳播時，若脈沖寬遠遠小于拉曼過程的時間常數，則該作用過程就可以通過求解描述瞬態拉曼過程的方程組進行模擬。理論手冊第9章中包含對瞬態拉曼效應方程的完整描述。

空間光調制器(SLM.0002 v1.1) 應用示例簡述 1. 系統細節? 光源— 高斯光束? 組件— 反射型空間光調制器組件及后續的2f系統? 探測器— 視覺感知的仿真— 電磁場分布? 建模/設計— 場追跡：? 一個SLM像素陣列處光傳播的仿真，仿真中包括了SLM像素間無功能間隔引起的衍射效應。

研究發現，自聚焦效應會導致穿透剖面變窄，本例對比了以下四種情況：（1）理想的高斯光束聚焦（2）經過吸收之后的理想高斯光束聚焦（3）經過吸收和自聚焦效應之后的理想高斯光束聚焦（4）經過吸收和自聚焦效應之后的帶有像差的高斯光束聚焦圖1 模擬示意圖模擬結果圖2 初始理想高斯光束光強分布圖3 理想高斯光束的成像切片

考慮到TFLN的光折變效應，在接近直流頻率下工作的調制器會引入額外的慢光效應，導致 值被高估或低估。較低的 值對于保持收發器模塊緊湊性至關重要。該方案在實現低驅動電壓、小尺寸的大規模集成陣列器件方面展現出巨大潛力。4.測量與結果為表征所制備器件的高速性能，我們采用圖3a所示的配置測量了小信號響應（S21參數）。圖3電光調制帶寬。a)電光帶寬測量實驗裝置。

然而，這些緊湊型集成調制器面臨共同的根本性挑戰：其固有線性電光調制響應不足——源于Free-carrier色散或Franz-Keldysh效應、quantum-confined Stark效應、Pockels effect效應的綜合影響——實現超過100GHz的模擬調制帶寬始終是長期未解難題，直至近期才通過slow-light效應、time-frequency均衡以及光波導與電極的協同優化等手段獲得零星報道

研究發現，自聚焦效應會導致穿透剖面變窄，本例對比了以下四種情況：（1）理想的高斯光束聚焦（2）經過吸收之后的理想高斯光束聚焦（3）經過吸收和自聚焦效應之后的理想高斯光束聚焦（4）經過吸收和自聚焦效應之后的帶有像差的高斯光束聚焦 圖1.模擬示意圖 模擬結果 圖2. 初始理想高斯光束光強分布圖3.

研究發現，自聚焦效應會導致穿透剖面變窄，本例對比了以下四種情況：（1）理想的高斯光束聚焦（2）經過吸收之后的理想高斯光束聚焦（3）經過吸收和自聚焦效應之后的理想高斯光束聚焦（4）經過吸收和自聚焦效應之后的帶有像差的高斯光束聚焦 圖1.模擬示意圖 模擬結果 圖2.初始理想高斯光束光強分布圖3.理想高斯光束的成像切片

研究發現，自聚焦效應會導致穿透剖面變窄，本例對比了以下四種情況：（1）理想的高斯光束聚焦（2）經過吸收之后的理想高斯光束聚焦（3）經過吸收和自聚焦效應之后的理想高斯光束聚焦（4）經過吸收和自聚焦效應之后的帶有像差的高斯光束聚焦 圖1.模擬示意圖 圖2. 初始理想高斯光束光強分布 圖3.

摘要泰伯效應是一種眾所周知的近場衍射效應。當周期性結構（例如光柵）被準直光照射時，在光柵后面以一定的規則間隔的位置可以觀察到其重建的圖像。這些平面之間的特定距離被稱為泰伯距離，以1836年首次觀察到這種效應的亨利·福克斯·泰伯命名。在這個例子中，我們演示了使用快速物理光學軟件VirtualLab Fusion對泰伯效應的建模。

摘要泰伯效應是一種眾所周知的近場衍射效應。當周期性結構（例如光柵）被準直光照射時，在光柵后面以一定的規則間隔的位置可以觀察到其重建的圖像。這些平面之間的特定距離被稱為泰伯距離，以1836年首次觀察到這種效應的亨利·福克斯·泰伯命名。在這個例子中，我們演示了使用快速物理光學軟件VirtualLab Fusion對泰伯效應的建模。