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硅移動膜的直徑為0.6 mm，厚度為0.5μm，并且包含允許麥克風兩側(cè)壓力通風的孔。這個膜與剛性背板之間的氣隙為2.2μm（尺寸取自Czarny）。背板包含穿孔，這些穿孔在膜兩側(cè)和殼體空腔上的壓力分布中發(fā)揮作用，這也是聲學設(shè)計的一部分。 建模 結(jié)構(gòu)的三維模型在ANSYS DesignModeler中創(chuàng)建，并用實體單元劃分網(wǎng)格。 結(jié)構(gòu)體使用SOLID185單元。

制備工藝與性能測試（一）精密制備：四步流程確保結(jié)構(gòu)精度1、硅波導制備：通過EBL光刻與ICP-RIE刻蝕（C?F?/SF?氣體）形成垂直側(cè)壁。2、SiON薄膜沉積：采用ICPCVD技術(shù)，通過調(diào)節(jié)N?O流量控制折射率，Ar氣保障膜厚均勻性。3、薄膜蝕刻：用Cr硬掩模選擇性蝕刻上層4層SiON，保留底層用于模場耦合。

該技術(shù)廣泛應用于生產(chǎn)晶體、晶體薄膜，晶須，多晶/非晶材料膜?；瘜W氣相沉積技術(shù)在半導體工業(yè)中有著比較廣泛的應用，例如，非晶硅薄膜太陽能電池中非晶硅材料的制備采用的就是等離子增強型化學氣相沉積技術(shù)（PECVD），等離子技術(shù)可以促進化學反應的發(fā)生，使得沉積過程能夠在較低的溫度下進行。

網(wǎng)格采用Ansys MESHING進行劃分，網(wǎng)格數(shù)量為10.7萬，由于在擋板附近為速度變化較大區(qū)域，因此采用局部網(wǎng)格加密的方法，如圖5所示。

利用ANSYS有限元軟件和傳熱理論對不同結(jié)構(gòu)的IGBT功率模塊進行了仿真分析，IGBT模塊在穩(wěn)態(tài)下運行的溫度場分布如下圖所示?？傮w而言，IGBT模塊的內(nèi)部溫度分布不均勻，因為IGBT模塊中材料的熱導率不同，并且受到熱耦合的影響，尤其是在芯片區(qū)域。因此，我們應該合理設(shè)計模塊芯片的整體布局，以減少熱耦合對IGBT模塊的影響。

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文章來源：2022 第五屆LS-DYNA技術(shù)論壇視頻鏈接：LS-DYNA中鋰電池的電化學-熱-結(jié)構(gòu)耦合擠壓、針刺模型技術(shù)校對：董驍， Ansys高級應用工程師；整理編輯：俞琴