為什么MOSFET和IGBT特性不同？ 
同理，當(dāng)你加上正向Vgs，導(dǎo)電溝道形成后，即使反向?qū)ǎ娏鲿?huì)選擇走電壓更低的導(dǎo)電溝道通路，因此反向?qū)〞r(shí)，加上Vgs可以讓導(dǎo)通壓降減小，這就是為什么LLC，移相全橋一類含有整流器的拓?fù)浜蛨D騰柱PFC，希望能做同步整流提高效率。
2294
平頭叔 ??? 4年前
為什么MOSFET和IGBT特性不同？ 
同理，當(dāng)你加上正向Vgs，導(dǎo)電溝道形成后，即使反向?qū)ǎ娏鲿?huì)選擇走電壓更低的導(dǎo)電溝道通路，因此反向?qū)〞r(shí)，加上Vgs可以讓導(dǎo)通壓降減小，這就是為什么LLC，移相全橋一類含有整流器的拓?fù)浜蛨D騰柱PFC，希望能做同步整流提高效率。
2391
電子元器件超市 ??? 4年前
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