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圖 4：連接不同 IGBT、二極管芯片和 DBC 的引線鍵合通過計算寄生電感和電阻值，我們可以使用等效一維電路圖來表示逆變器功率模塊，如圖 5 所示。 在這里，您會注意到我們已將每個 H 橋部分中存在的三個并行電流路徑合并為一個。 因此，我們忽略了這些并聯電流路徑中連接不對稱所產生的影響。 IGBT 和二極管使用相同電壓等級的供應商提供的 P-SPICE 電路模型進行建模。

Saber提供的IGBT/MOSFET高精度建模工具可以快速準確地模擬此類開關器件的靜態和動態特性，實現電熱耦合分析，損耗分析和故障場景模擬，為器件選型，系統性能提升，系統穩定性提升，故障分析提供強大的設計支撐，縮短開發周期，規避風險，節約成本。

經常選用的功率器件主要有MOSFET或者IGBT等。驅動控制模塊：它的作用是將中央控制模塊的指令轉換成對逆變器中可控硅的通斷指令，并作為保護裝置，具備過壓、過流等故障的監測保護功能。傳感器：包括電流傳感器、電壓傳感器、溫度傳感器、電機轉軸角位置傳感器等。