基于DEFORM-3D對300M切削燒傷進行分析及加工過程改善 附DEFORM3D_v10.2下載 
利用仿真軟件DEFORM-3D對加工過程中的切削溫度進行模擬仿真，可以得出較為實用的理論基礎數據。通過對基礎數據的驗證，發現其可以指導現場的加工生產，提高加工過程中技術問題的處理效率，同時可以減少資源浪費，縮短加工周期，降低成本，對于工件的順利生產有積極的促進作用。下載地址：DEFORM3D_v10.2_MO3_lab
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你是我的神 ??? 4年前
Cr12、Cr12MoV、Cr12Mo1V1有何不同？ 
Cr12、Cr12MoV、Cr12Mo1V1三者的區別：一、化學成分對比 C Cr Mo V Si Mn S P Cr12 2.00-2.30 11.50-13.00
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化工設備人 ??? 4年前
Deform V11系列課程-系統講解從基礎到工程化應用 
1.課程共計50節2.系統講解Deform仿真知識3.讓你掌握Deform仿真工程化應用能力+解決問題的能力與方法1）完整的鍛造工藝仿真知識，夯實你的理論基礎2）熟練掌握不同類型的鍛造工藝仿真全過程，包括仿真步驟、網格劃分、設備設置等，3）掌握鍛造仿真結果的數據提取與評價4）掌握鍛造工藝仿真過程中解決問題的思路和方法5）使你具備工程化應用仿真能力，提升你的的基礎能力，為生產企業及科研一線減少實物試制成本
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云飄 ??? 6年前
deform11.0模擬鐓粗
大佬們請問一下模擬鐓粗后處理一直都是模擬已被送出怎么辦
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用戶_83900 ??? 1年前
干貨 | 技術參數詳解，MOS管知識最全收錄 
圖表11 寄生二極管位置示意圖5、不同耐壓MOS管特點不同耐壓的MOS管，其導通電阻中各部分電阻比例分布不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻則是總導通電阻的96.5%。
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平頭叔 ??? 3年前
基于DEFORM V11.0 星形套溫擠壓成形工藝分析 
加工時工藝參數對模具使用壽命有很大的影響，但在實際加工中，工藝參數的確定主要依靠技術人員的摸索和反復的工藝驗證，這種方法周期長、費用高，針對這一現狀，基于DEFORM-2D3D軟件，利用限元數值模擬方法，對星形套成形過程進行模擬，獲得了星形套溫擠壓成形過程中凸模進給速度、擠壓溫度和潤滑條件的影響，并對其進行優化，為實際生產提供了參考依據和理論指導。
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鄭彥博 ??? 5年前
怎么解決Deform熱處理不收斂問題？
現在我使用Deform mo模塊做熱處理出現這個問題，Error: Simulation Run A/B/ORTED due to Identical Remeshing Step，里面的/是敏感詞。提示我不收斂，請問如何解決啊。
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百詩一文章 ??? 3年前
DEFORM Cogging模塊：芯軸拔長 
<p>之前介紹了DEFORM的Cogging模塊——<a href="https://www.yqgqt.org.cn/content/post/1812997" rel="noopener noreferrer" target="_blank" achecked="1">DEFORM開坯鍛造：Cogging模塊</a>，今天試著來做一個芯軸拔長的案例。
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工科小學生 ??? 4年前
DEFORM旋鍛模擬技術與應用案例 
不同半徑部位的加工，使用的不同模具，在MO多工序界面可采用兩個swaging旋轉工序，一次前處理完成。 旋鍛模擬結果 四分之一模型計算完成后，可以看到坯料在旋鍛過程中發生的周向移動變形。
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安世亞太 ??? 3年前
逆有限元相關文章，有否有朋友一起開發？ 
Louis, MO (2011).M. Gherlone, P. Cerracchio, M. Mattone, M. Di Sciuva, A.
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藍牙 ??? 4年前
Deform 金屬體積成形專題培訓 
簡介 Deform 有限元原理簡介 Deform 網格劃分 Deform 材料模型及材料 Deform 接觸和空間位置設置 第二天
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上海安世亞太 ??? 2年前
“國產芯片”瑞森半導體（REASUNOS）將亮相2023慕尼黑上海電子展 
起步于2007年，專注于功率半導體器件及功率IC的研發、設計、銷售的瑞森半導體（REASUNOS），將于7月11日-13日亮相2023慕尼黑上海電子展（展位號：7.2H館 D320展位）。與眾多行業伙伴，共同聚焦新能源汽車、自動駕駛、智能座艙 、充電樁、綠色能源等新興科技領域，深入探討功率半導體技術在領域的應用及未來發展趨勢。
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瑞森半導體 ??? 2年前
干貨 | 不同電平信號的MCU之間如何通信的？ 
11、MOS管導通后其導通特性呈純阻性：普通晶體三極管在飽和導通時，幾乎是直通，有一個極低的壓降，稱為飽和壓降，既然有一個壓降，那么也就是；普通晶體三極管在飽和導通后等效是一個阻值極小的電阻，但是這個等效的電阻是一個非線性的電阻(電阻上的電壓和流過的電流不能符合歐姆定律)，而MOS管作為開關管應用，在飽和導通后也存在一個阻值極小的電阻。
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電子工程世界EEWorld ??? 4年前
不同電平信號的MCU之間怎么通信？ 
11、MOS管導通后其導通特性呈純阻性：普通晶體三極管在飽和導通時，幾乎是直通，有一個極低的壓降，稱為飽和壓降，既然有一個壓降，那么也就是；普通晶體三極管在飽和導通后等效是一個阻值極小的電阻，但是這個等效的電阻是一個非線性的電阻(電阻上的電壓和流過的電流不能符合歐姆定律)，而MOS管作為開關管應用，在飽和導通后也存在一個阻值極小的電阻。
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電子產品世界 ??? 4年前
最新 | DEFORM V12-13+新功能簡介 
總結 本及未來版本的進一步研發推出，DEFORM將變得更為強大。上述內容為主要的新增技術功能，如需詳細了解，可關注2023DEFORM用戶大會等相關內容。
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安世亞太 ??? 3年前
absoft pro fortran 2011安裝包
用deform V11.0搞二次開發，但absoft pro fortran 2014 和 2016 似乎都不行，deform子程序不做任何改動的情況下，2014和2016都無法成功編譯，我想這可能是deform V11.0指定了開發環境，屬于pro fortran 版本問題，所以需求absoft pro fortran 2011，但是到處都找不到2011的安裝包，翻墻也沒找到。
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Archimedes ??? 1年前
ANSYS Workbench結構過盈配合分析 
圖9 右側零件后處理設置 (14)分別右鍵點擊模型樹節點的Directional Deformation與Directional Deformation2，選擇Evaluate All Results，得到左側零件在Z方向的變形云圖，如圖10所示，得到右側零件在Z方向的變形云圖，如圖11所示。兩個零件的變形就是由于過盈量引起的。
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仿真客 ??? 2年前
圖騰柱和互補推挽有什么區別? 為什么PWM驅動芯片用圖騰柱? 
圖10 圖騰柱仿真電路如圖11為圖騰柱仿真波形，輸出與輸入相位相反，黃色表示Ui輸入波形，藍色表示Uo輸出波形，實現了小電壓驅動大電壓的推挽輸出。圖11 圖騰柱仿真波形如圖12為互補推挽仿真電路，信號源為12V/1k的方波。
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電子產品世界 ??? 4年前
COMSOL這種的究竟是誰在學？ 
比較有代表性的基準樣品中ITO和Mo背接觸的最佳電池與模擬電池的J-V曲線。 通過改變Di的φ0、調整后界面的Ndef(A)和后界面的Ndef(D)以及ODC的Ndef(A)，該模型可以擬合Mo和ITO背接觸的CIGSe太陽電池的J-V特性。對于Mo，界面態降低了勢壘；因此，在CIGSe/Mo界面作為一個準歐姆接觸。這很好地描述了MoSe2在Mo和CIGSe交界處的存在。
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學時習 ??? 2年前
DEFORM模擬馬杠擴孔 
DEFORM本身沒有模擬馬杠擴孔的模塊，不過可以通過Cogging模塊使用一些小小的trick，加以修改。 前面用Cogging模塊模擬了拔長，所以很多操作都是類似的，所以很多操作都稍微簡單略過。 1 進入到MO界面 添加Cogging工序，然后來到Process設置框。這里我們選擇的還是Cogging，其它條件如圖設置。
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工科小學生 ??? 4年前
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