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圖7 不同焊膏封裝大功率發光二極管光熱性能對比 圖7 (c)為不同焊膏封裝的大功率發光二極管結溫變化曲線，從圖中可以看出：SAC305焊膏和Sn42Bi58 焊膏封裝的發光二極管樣品的結溫變化分別為 7.12°C和 8.39℃，分別比納米銀膏封裝的發光二極管樣品的 6.92

使用銀、銅等的微米納米金屬顆粒制備的焊膏取代錫/鉛基軟焊料，利用微米納米顆粒的尺寸效應，可以在較低的溫度下進行燒結，燒結后成為熔點很高的金屬塊材，而且具備良好的導電導熱性能，可以較好地解決上述問題。SiC基片比硅基片更小更薄。將SiC基片與燒結銀（作為基片與框架的連接處）結合使用時，卻能擁有SiC基片的優勢。

電子封裝設備及先進制造技術、電子封裝測試技術設備、電子燒結相關產品與技術等;</div><div contenteditable="false" width="100%">二、先進封裝與系統集成: 球柵陣列封裝、芯片級封裝、倒裝芯片、晶圓級封裝、三維集成及其它各種先進的封裝和系統集成技術等;</div><div contenteditable="false" width="100%">三、封裝材料與工藝: 鍵和絲、焊球、焊膏

電子封裝設備及先進制造技術、電子封裝測試技術設備、電子燒結相關產品與技術等;</div><div contenteditable="false" width="100%">二、先進封裝與系統集成: 球柵陣列封裝、芯片級封裝、倒裝芯片、晶圓級封裝、三維集成及其它各種先進的封裝和系統集成技術等;</div><div contenteditable="false" width="100%">三、封裝材料與工藝: 鍵和絲、焊球、焊膏

電子封裝設備及先進制造技術、電子封裝測試技術設備、電子燒結相關產品與技術等;</div><div contenteditable="false" width="100%">二、先進封裝與系統集成: 球柵陣列封裝、芯片級封裝、倒裝芯片、晶圓級封裝、三維集成及其它各種先進的封裝和系統集成技術等;</div><div contenteditable="false" width="100%">三、封裝材料與工藝: 鍵和絲、焊球、焊膏

電子封裝測試技術設備、電子燒結相關產品與技術等; </div><div contenteditable="false" width="100%"> 二、先進封裝與系統集成: 球柵陣列封裝、芯片級封裝、倒裝芯片、晶圓級封裝、三維集成及其它各種先進的封裝和系統集成技術等; </div><div contenteditable="false" width="100%"> 三、封裝材料與工藝: 鍵和絲、焊球、焊膏