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“預(yù)鋪反粘”采用的材料是高分子自粘膠膜防水卷材，該卷材系在一定厚度的高密度聚乙烯卷材基材上涂覆一層非瀝青類高分子自粘膠層和耐候?qū)訌?fù)合制成的多層復(fù)合卷材，其特點(diǎn)是具有較高的斷裂拉伸強(qiáng)度和撕裂強(qiáng)度，膠膜的耐水性好，一、二級的防水工程單層使用時也可達(dá)到防水要求。

制造覆銅板所用的半固化片、半固化膠膜、RCC 都是制造一般多層板不可缺少的基板材料。PCB 用基板材料已發(fā)展到上百個品種，他已成為電子元器件中不可缺少的重要基礎(chǔ)材料。在推動電子封裝技術(shù)、印制電路板技術(shù)不斷向前發(fā)展起著重要的作用。 近年有機(jī)封裝基板技術(shù)和應(yīng)用的迅速發(fā)展，封裝基板材料，無論在市場規(guī)模上還是技術(shù)水平上，在整個 PCB 材料中，占有越來越突出的地位。

使用環(huán)氧膠膜將單個晶格芯構(gòu)件粘合到層壓面上。（5）層壓板卡扣配合可實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)，這種方法的主要特征是通過從層壓板切割形成鋸齒狀互鎖結(jié)構(gòu)來組裝點(diǎn)陣芯材。芯材與面板通過粘接進(jìn)行連接。

正性光刻膠響應(yīng)波長為330-430納米，膠膜厚為1-3微米。負(fù)性光刻膠在紫外線等曝光源的照射下，將圖形轉(zhuǎn)移至光膠涂層上，在顯影溶液的作用下，負(fù)性光刻膠曝光部分產(chǎn)生交聯(lián)反應(yīng)而不溶于顯影液；未曝光部分溶于顯影液，將與掩膜上相反的圖形復(fù)制到襯底上。負(fù)性光刻膠響應(yīng)波長為 330-430 納米，膠膜厚0.3-1微米。正性光刻膠的分辨率更高，無溶脹現(xiàn)象。因此，正性光刻膠的應(yīng)用比負(fù)性光刻膠更為普及。圖2.

顯影：在顯影機(jī)中利用顯影劑去除被曝光的光刻膠，在光刻膠膜上顯示出電路圖形。刻蝕：在刻蝕機(jī)中通過離子撞擊去除多余的氧化層或其他薄膜層，將電路圖形從光刻膠膜永久轉(zhuǎn) 移到晶圓表面。離子注入：將摻雜劑材料射入晶圓表面（也可通過熱擴(kuò)散工藝實(shí)現(xiàn)）。該步驟的主要目的是形成 PN 結(jié)，PN 結(jié)是晶體管工作的基本結(jié)構(gòu)。