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（2）本體類的相關失效，如半導體材料缺陷或封裝中所用基板本身存在的問題。（3）工藝波動造成的失效。芯片介質層相關失效，如柵氧，金屬間介質層等缺陷；硅襯底和SiO2界面間存在缺陷，如Dislocation等；芯片后端金屬互聯層由于金屬的電遷移或含鹵素及鹵化物的污染造成的金屬腐蝕等；封裝工藝參數不合理導致的管腳連線造成的短路或者開路等。