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案例講解 19.1 CHARGE - PN depletion phase shifter – Ansys Optics - Ring Modulator – Ansys Optics - Traveling Wave Mach-Zehnder Modulator – Ansys Optics - Vertical photodetector – Ansys Optics

Ansys Lumerical Charge CHARGE 基于有限元漂移- 擴(kuò)散方法，能為設(shè)計(jì)師對(duì)有源光子和光電半導(dǎo)體器件中的電荷傳輸提供正確的工具進(jìn)行綜合全面的仿真。CHARGE 可自洽求解描述靜電勢(shì) (泊松方程) 和自由載流子密度(漂移- 擴(kuò)散方程) 的方程組。

5、Ansys EMA3D Charge Ansys Discovery中新的集成數(shù)據(jù)可視化功能，可在EMA3D Charge的端到端工作流程中完成仿真結(jié)果分析。通過GPU加速圖形可視化工具包，工程師現(xiàn)在可以更高效地訪問EMA3D Charge物理求解器所有3D和時(shí)變變量。

運(yùn)用模塊內(nèi)完善的半導(dǎo)體材料以及物理模型設(shè)定建模后，用穩(wěn)態(tài)設(shè)定多個(gè)偏壓條件(-0.5~4V,0.5V步長)進(jìn)行仿真，并于光路調(diào)變范圍設(shè)定設(shè)置電荷監(jiān)視器“monitor_charge”以將電荷密度保存在 tw_modulator_charge.mat 中，稍后將其導(dǎo)入 MODE 求解器。

從 Silvaco Victory Process 仿真器導(dǎo)入 Ansys Lumerical CHARGE 求解器的 3D 結(jié)構(gòu)透視圖，分別帶有 (a) 大電觸點(diǎn)和 (c) 小電觸點(diǎn)；(b) Ansys Lumerical CHARGE 求解器中導(dǎo)入結(jié)構(gòu)的 2D 橫截面視圖，分別帶有 (b) 大電觸點(diǎn)和 (d) 小電觸點(diǎn)。

了解有關(guān)Ansys EMA3D Charge 平臺(tái)級(jí) EMC 電纜建模的更多信息。https://www.ansys.com/products/electronics/ansys-ema3d-cable1.

內(nèi)容簡介 EMA3D Cable 和EMA3D Charge是Ansys 平臺(tái)級(jí)電磁兼容以及充放電仿真解決方案

在此示例中，我們根據(jù)步驟1和2D ATP的熱生成率結(jié)果，在Ansys Lumerical腳本中計(jì)算DCR,作為后處理。運(yùn)行和結(jié)果第 1 步：模擬電場和暗發(fā)生率 打開并運(yùn)行 CHARGE 項(xiàng)目文件 spad_charge_project.ldev。這將運(yùn)行SPAD設(shè)備的2D CHARGE仿真，如下圖所示（分別為網(wǎng)格上的CAD模型和摻雜曲線）。

從 Silvaco Victory Process 仿真器導(dǎo)入 Ansys Lumerical CHARGE 求解器的 3D 結(jié)構(gòu)透視圖，分別帶有 (a) 大電觸點(diǎn)和 (c) 小電觸點(diǎn)；(b) Ansys Lumerical CHARGE 求解器中導(dǎo)入結(jié)構(gòu)的 2D 橫截面視圖，分別帶有 (b) 大電觸點(diǎn)和 (d) 小電觸點(diǎn)。

點(diǎn)擊免費(fèi)報(bào)名 https://s.jishulink.com/oS36rF 23R1新功能介紹-Ansys EMA3D EMA3D Cable 和EMA3D Charge是Ansys 平臺(tái)級(jí)電磁兼容以及充放電仿真解決方案。

Lumerical FDTD和CHARGE，用于計(jì)算傳感器的量子效率作為入射角和波長的函數(shù)4.

附件下載聯(lián)系工作人員獲取附件前言在本例中，我們?cè)?em>Ansys Lumerical MultiphysicsTM中模擬了基于氮化物的藍(lán)光發(fā)射微型LED（uLED），在CHARGE和MQW（多量子井）求解器之間有一個(gè)半耦合工作流。

在本案例中，我們首先使用CHARGE求解器模擬不同偏置電壓下，波導(dǎo)橫截面上的電場分布。然后，我們根據(jù)對(duì)應(yīng)的電場分布變化來計(jì)算BiTiO3材料折射率的變化，并模擬分析出不同偏置電壓下波導(dǎo)的有效折射率。 步驟一：用CHARGE模擬電場分布在建立好模型后，我們將陰極觸點(diǎn)設(shè)置為定值0 V，陽極觸點(diǎn)設(shè)置為掃描模式，掃描范圍為1-5 V，掃描點(diǎn)間隔為0.5 V。

步驟1：運(yùn)行多物理仿真獲得初始結(jié)果 使用 Charge 仿真得到調(diào)制區(qū)在不同偏壓 (-0.4V~4V) 的載流子分布，并導(dǎo)出 monitor_charge 的結(jié)果。

與Ansys Lumerical CHARGE耦合后，設(shè)計(jì)師能夠探索其他導(dǎo)入屬性，例如量子效率和串?dāng)_，這兩者都需要仿真電氣行為。Ansys Lumerical的FDTD和CHARGE可用于解決眾多設(shè)計(jì)難題，例如：背照式傳感器、光學(xué)和電子串?dāng)_的影響、微透鏡偏移或斜入射角幾何結(jié)構(gòu)的優(yōu)化，以及將彩色濾光片整合到復(fù)雜傳感器幾何結(jié)構(gòu)時(shí)的效果。

Lumerical CHARGE?基于物理場的載流子傳輸求解器和Ansys Lumerical HEAT?基于物理場的熱傳輸求解器 這些認(rèn)證有助于客戶為新一代光子集成電路（PIC）設(shè)計(jì)高性能光子組件，從而實(shí)現(xiàn)更快、更高效的數(shù)據(jù)通信技術(shù)，此類通信技術(shù)非常適合超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）應(yīng)用Ansys與GlobalFoundries合作，目前四款Ansys光子求解器已通過認(rèn)證

01 說明 本文旨在介紹Ansys Lumerical針對(duì)有源光子集成電路中PN耗盡型移相器的仿真分析方法。通過FDE和CHARGE求解器模擬并計(jì)算移相器的性能指標(biāo)（如電容、有效折射率擾動(dòng)和損耗等），并創(chuàng)建用于INTERCONNECT的緊湊模型，然后將其表征到INTERCONNECT的測試電路中實(shí)現(xiàn)，模擬反向偏置電壓對(duì)電路中信號(hào)相移的影響。

3、新的Virtuoso版圖集成向?qū)Чぞ?新的向?qū)Чぞ邘椭脩舾脤?shí)現(xiàn)layout和Lumerical器件之間的模型同步，支持使用多物理場求解器（CHARGE、HEAT 和 FEEM）以及 Cadence Virtuoso來優(yōu)化有源器件。

用戶可以為VCSEL和CHARGE仿真添加額外的對(duì)象，例如襯底、觸點(diǎn)、CHARGE電邊界條件和監(jiān)視器。此外，還可以檢查和調(diào)整材料的電學(xué)和光學(xué)屬性。最后，還可以調(diào)整VCSEL和CHARGE/MQW求解器選項(xiàng)。

換熱器的 Ansys Fluent 速度仿真結(jié)果。底部：Ansys Rocky 預(yù)測的粒子沉積。Rocky 還結(jié)合Ansys Maxwell和 Ansys EMA3D Charge 來研究受電磁 (EM) 場影響的帶電粒子。EM 求解器計(jì)算的磁場作為點(diǎn)云導(dǎo)入 Rocky。現(xiàn)有集成還使您能夠通過Ansys optiSLang過程集成和設(shè)計(jì)優(yōu)化軟件執(zhí)行設(shè)計(jì)優(yōu)化分析。