然而,由于窄禁帶半導(dǎo)體納米線與常規(guī)超導(dǎo)體之間晶格失配很大,高質(zhì)量樣品的制備一直是制約半導(dǎo)體-超導(dǎo)納米線拓?fù)淞孔佑?jì)算研究的關(guān)鍵難題。中科院半導(dǎo)體所趙建華、潘東團(tuán)隊(duì)長(zhǎng)期致力于用于拓?fù)淞孔佑?jì)算的高質(zhì)量半導(dǎo)體-超導(dǎo)納米線分子束外延可控制備研究。他們首先在Si襯底上外延出了高質(zhì)量純相超細(xì)單晶InAs納米線(D. Pan et al.
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第三代半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)新孵化中心 ??? 3年前