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通過比較普通不銹鋼、Ni基合金及氮化鉻涂層不銹鋼的表面接觸阻力和耐蝕性，可以獲得利用。用PVD方法制備的氮化鉻電鍍不銹鋼是標準樣品中唯一顯示導電性和耐蝕性的樣品。利用PVD方法在316L不銹鋼表面沉積CrN電鍍，結果表明CrN電鍍不銹鋼的表面接觸阻力比較原始。詩篇在降低量級的同時，在恒電位極化實驗中表現出了良好的穩定性。

3、PVD北方華創磁控濺射技術屬于PVD（物理氣相沉積）技術的一種，是制備薄膜材料的重要方法之一。它是利用帶電荷的粒子在電場中加速后具有一定動能的特點，將離子引向被濺射的物質制成的靶電極（陰極），并將靶材原子濺射出來使其沿著一定的方向運動到襯底并在襯底上沉積成膜的方法。磁控濺射設備使得鍍膜厚度及均勻性可控，且制備的薄膜致密性好、粘結力強及純凈度高。

GaN、晶圓、襯底、封裝、測試、光電子器件、(發光二極管LED、激光器LD、探測器紫外)、電力電子器件 (二極管、MOSFET、JFET、BJT、IGBT、GTO、ETO、SBD、HEMT等)、微波射頻器件(HEMT、MMIC)等；半導體設備：減薄機、單晶爐、研磨機、熱處理設備、光刻機、刻蝕機、離子注入設備、CVD/PVD設備固晶機、等離子清洗設備、切割機、裝片機、鍵合機、焊線機

為了能夠通過焊接技術將玻璃或晶體連接到金屬或陶瓷基板上，這就要求將可附著的金屬層涂覆到光學元件上，可通過物理汽相沉積(PVD)實現[3]。盡管這種技術保證了熱能的局部化和最小化輸入，使其適于連接玻璃或我們對激光晶體的研究案例，但仍必須分析誘導應力防止可能的激光諧振器運行不當，引起激光的光束質量或最終功率下降。

在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層制得碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）外延片，可制成微波射頻器件，應用于5G通信等領域；在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層（SiC-on-SiC）制得碳化硅外延片，可制成功率器件，應用于電動汽車、新能源、儲能、軌道交通等領域。