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帖子 MOS和IGBT有什么區(qū)別?
在電路設(shè)計(jì)中,MOS和IGBT會(huì)經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用,MOS和IGBT在外形及特性參數(shù)也比較相似,那為什么有些電路用MOS?而有些電路用IGBT?下面我們就來(lái)了解一下,MOS和IGBT到底有什么區(qū)別吧! 什么是MOS
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凡億PCB ??? 3年前
MOS管和IGBT管有什么區(qū)別?
帖子 干貨 | 技術(shù)參數(shù)詳解,MOS知識(shí)最全收錄
柵電荷的曲線圖體現(xiàn)在數(shù)據(jù)表中,包括固定漏電流和變化漏源電壓情況下所對(duì)應(yīng)的柵電荷變化曲線。在上圖中,平臺(tái)電壓VGS(pl)隨著電流的增大增加的比較小(隨著電流的降低也會(huì)降低)。平臺(tái)電壓也正比于閾值電壓,所以不同的閾值電壓將會(huì)產(chǎn)生不同的平臺(tái)電壓。
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平頭叔 ??? 3年前
干貨 | 技術(shù)參數(shù)詳解,MOS管知識(shí)最全收錄
帖子 干貨 | 詳解MOS和IGBT的區(qū)別
在電子電路中,MOS和IGBT會(huì)經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用,MOS和IGBT在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS,而有些電路用IGBT? 下面我們就來(lái)了解一下,MOS和IGBT到底有什么區(qū)別吧! 1、什么是MOS
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電子元器件超市 ??? 4年前
干貨 | 詳解MOS管和IGBT的區(qū)別
帖子 MOS和IGBT的區(qū)別
在電子電路中,MOS和IGBT會(huì)經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用,MOS和IGBT在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS,而有些電路用IGBT? 下面我們就來(lái)了解一下,MOS和IGBT到底有什么區(qū)別吧!
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平頭叔 ??? 4年前
MOS管和IGBT的區(qū)別
帖子 干貨 | 詳解MOS和IGBT的區(qū)別
在電子電路中,MOS和IGBT會(huì)經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用,MOS和IGBT在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS,而有些電路用IGBT? 下面我們就來(lái)了解一下,MOS和IGBT到底有什么區(qū)別吧! 1、什么是MOS
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電子工程世界EEWorld ??? 4年前
干貨 | 詳解MOS管和IGBT的區(qū)別
帖子 內(nèi)阻很小的MOS為什么會(huì)發(fā)熱?
mos,做電源設(shè)計(jì),或者做驅(qū)動(dòng)方面的電路,難免要用到MOSMOS有很多種類(lèi),也有很多作用。做電源或者驅(qū)動(dòng)的使用,當(dāng)然就是用它的開(kāi)關(guān)作用。 無(wú)論N型或者P型MOS,其工作原理本質(zhì)是一樣的。MOS是由加在輸入端柵極的電壓來(lái)控制輸出端漏極的電流。
2200
平頭叔 ??? 4年前
內(nèi)阻很小的MOS管為什么會(huì)發(fā)熱?
帖子 從實(shí)用的角度聊聊MOS
然后這個(gè)電壓值大于這個(gè)特定值的時(shí)候,電阻就接近于零,至于說(shuō)等于這個(gè)值的時(shí)候會(huì)怎么樣,我們先不用這個(gè)臨界的電壓值,我們稱之為Vgs(th),也就是打開(kāi)MOS需要的G、S電壓,這是每一個(gè)MOS的固有屬性,我們可以在MOS的數(shù)據(jù)手冊(cè)里面找到它。圖7:MOS數(shù)據(jù)手冊(cè)顯然,Vgs(th)一定要小于這個(gè)高電平的電壓值,否則就沒(méi)有辦法被正常的打開(kāi)。
2100
凡億PCB ??? 3年前
從實(shí)用的角度聊聊MOS管
帖子 應(yīng)用在充電器領(lǐng)域中的中高壓MOS
推薦由工采網(wǎng)代理的一款來(lái)自臺(tái)灣美祿的MOS,中高壓MOS - MPD04N65,不同的封裝尺寸MOS具有不同的熱阻和耗散功率,需要考慮系統(tǒng)的散熱條件和環(huán)境溫度(如是否有風(fēng)冷、散熱器的形狀和大小限制、環(huán)境是否封閉等因素),基本原則就是:在保證功率MOS的溫升和系統(tǒng)效率的前提下,選取參數(shù)和封裝更通用的功率MOS
1957
如果我年少有為 ??? 3年前
應(yīng)用在充電器領(lǐng)域中的中高壓MOS管
帖子 MOS輸入電阻很高,為什么一遇到靜電就不行
MOS電路輸入端的保護(hù)二極管,其導(dǎo)通時(shí)電流容限一般為1mA,在可能出現(xiàn)過(guò)大瞬態(tài)輸入電流(超過(guò)10mA)時(shí),應(yīng)串接輸入保護(hù)電阻。因此應(yīng)用時(shí)可選擇一個(gè)內(nèi)部有保護(hù)電阻的MOS應(yīng)。還有,由于保護(hù)電路吸收的瞬間能量有限,太大的瞬間信號(hào)和過(guò)高的靜電電壓將使保護(hù)電路失去作用。
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電子產(chǎn)品世界 ??? 2年前
MOS管輸入電阻很高,為什么一遇到靜電就不行
帖子 應(yīng)用在高效開(kāi)關(guān)模式電源領(lǐng)域的普通功率MOS-MOT10N65F
普通功率MOS(通常指?功率MOSFET?,即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體)是一種?電壓控制型?半導(dǎo)體器件,廣泛用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源管理等大電流、高效率場(chǎng)景。其核心工作原理基于?柵極電壓對(duì)導(dǎo)電溝道的調(diào)控?。工采網(wǎng)代理的普通功率MOS - ?MOT10N65F?是一款 ?N溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET?,專(zhuān)為高壓、高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。
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如果我年少有為 ??? 6天前
應(yīng)用在高效開(kāi)關(guān)模式電源領(lǐng)域的普通功率MOS管-MOT10N65F
帖子 板式換熱器中的換熱應(yīng)該如何進(jìn)行固定
說(shuō)到這里,也許你會(huì)問(wèn):那殼式換熱器里的管子是怎么固定的?沒(méi)錯(cuò),在那種結(jié)構(gòu)中,換熱確實(shí)需要被固定在管板上,通常采用脹接或焊接的方式,確保管子不會(huì)松動(dòng)或泄漏,但那是另一個(gè)故事了。 回到板式換熱器,它的“固定”哲學(xué)更偏向于整體的壓緊與精密的定位,而非單根管子的束縛,這種設(shè)計(jì)不僅提升了換熱效率,也讓設(shè)備更加緊湊、靈活,維護(hù)起來(lái)也相對(duì)簡(jiǎn)便。
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曾澤明-前端 ??? 9月前
板式換熱器中的換熱管應(yīng)該如何進(jìn)行固定?
帖子 固定床反應(yīng)器的換熱結(jié)構(gòu)都有哪些?其應(yīng)用又有哪些?
固定床反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是單位體積催化劑對(duì)應(yīng)的換熱面積大,適用于強(qiáng)放熱反應(yīng)。該反應(yīng)器結(jié)構(gòu)與N型固定管板熱交換器一致,、殼程兩側(cè)根據(jù)相應(yīng)介質(zhì)的物性條件以及設(shè)計(jì)壓力、設(shè)計(jì)溫度選用線膨脹系數(shù)接近的材質(zhì),從而達(dá)到減小、殼程結(jié)構(gòu)溫差應(yīng)力的目的。該結(jié)構(gòu)制造工藝成熟,檢修方便,反應(yīng)焊接接頭泄漏可以進(jìn)行補(bǔ)焊或堵,催化劑裝卸過(guò)程簡(jiǎn)單,因此應(yīng)用十分廣泛。
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化工活動(dòng)家 ??? 4年前
列管式固定床反應(yīng)器的換熱結(jié)構(gòu)都有哪些?其應(yīng)用又有哪些?
帖子 干貨|MOS損壞之謎
第三種:內(nèi)置二極管破壞在DS端間構(gòu)成的寄生二極管運(yùn)行時(shí),由于在Flyback時(shí)功率MOSFET的寄生雙極晶體運(yùn)行,導(dǎo)致此二極管破壞的模式。第四種:由寄生振蕩導(dǎo)致的破壞此破壞方式在并聯(lián)時(shí)尤其容易發(fā)生在并聯(lián)功率MOS FET時(shí)未插入柵極電阻而直接連接時(shí)發(fā)生的柵極寄生振蕩。
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電子工程世界EEWorld ??? 3年前
干貨|MOS管損壞之謎
視頻 Comsol 功率晶體Mos電熱入門(mén)教程視頻
Comsol 功率晶體Mos電熱分析 在原有案例上增加散熱器,對(duì)Mos熱分析做了詳細(xì)展示。
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琳泓c(diǎn)omsol ??? 4年前
Comsol 功率晶體管Mos電熱入門(mén)教程視頻
帖子 RS瑞森半導(dǎo)體MOS在便攜式儲(chǔ)能電源上的應(yīng)用
在DC-DC單元中,推薦使用瑞森半導(dǎo)體低壓MOS-SGT系列:1、12V推薦RS30N150D、RS30N150T、RS40N130G、RS40N180T型號(hào)2、24V推薦RS60N130G、RS60N200T型號(hào)3、48V推薦RS85N140T、RS85N140S、RS85N150T、RS85N150S型號(hào)低壓MOS-SGT推薦:
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瑞森半導(dǎo)體 ??? 3年前
RS瑞森半導(dǎo)體MOS管在便攜式儲(chǔ)能電源上的應(yīng)用
帖子 千斤頂支架固定裝置焊接件組裝 我設(shè)計(jì)了這些千斤頂支架,用于焊接,重量適中,可調(diào)節(jié)。中心設(shè)計(jì)為可從焊接底座上拆卸,可更換不同高度的管子。常見(jiàn)用途是支撐懸掛在固定臺(tái)上的長(zhǎng)管等,以及焊接拖車(chē)框架。
中心設(shè)計(jì)為可從焊接底座上拆卸,可更換不同高度的管子。常見(jiàn)用途是支撐懸掛在固定臺(tái)上的長(zhǎng)管等,以及焊接拖車(chē)框架。
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仿真資料吧 ??? 1年前
千斤頂支架固定裝置焊接件組裝



我設(shè)計(jì)了這些千斤頂支架,用于焊接,重量適中,可調(diào)節(jié)。中心管設(shè)計(jì)為可從焊接底座上拆卸,可更換不同高度的管子。常見(jiàn)用途是支撐懸掛在固定臺(tái)上的長(zhǎng)管等,以及焊接拖車(chē)框架。
帖子 干貨 | 電源緩啟動(dòng)(軟起動(dòng))原理
所以,從上電到MOS開(kāi)啟所需要的時(shí)間為:Tth=-t*ln[1-(Uc*(R1+R2)/(48*R1))]第二階段:MOS開(kāi)啟后,漏極電流開(kāi)始增大,其變化速度跟MOS的跨導(dǎo)和柵源電壓變化率成正比,具體關(guān)系為:dIdrain/dt = gfm *dVgs/dt,其中g(shù)fm為MOS的跨導(dǎo),是一個(gè)固定值,Idrain為漏極電流,Vgs為MOS的柵源電壓,此期間體現(xiàn)為柵源電壓對(duì)漏源電流的恒定控制
2545
電子工程世界EEWorld ??? 4年前
干貨 | 電源緩啟動(dòng)(軟起動(dòng))原理
帖子 RS瑞森半導(dǎo)體低壓MOS在電動(dòng)車(chē)控制器中的應(yīng)用
其中48V蓄電池使用耐壓65V或70V以上MOS,60V蓄電池使用耐壓80V以上MOS,72V使用耐壓100V以上MOS。(二)在設(shè)計(jì)電動(dòng)車(chē)控制器時(shí),為增大其控制電流,部分控制器會(huì)設(shè)計(jì)成雙管并聯(lián),這樣就對(duì)并聯(lián)的MOS有較高的一致性要求,特別是其中的開(kāi)啟特性。通常該類(lèi)型MOS在生產(chǎn)時(shí),會(huì)專(zhuān)門(mén)針對(duì)其開(kāi)啟特性進(jìn)行細(xì)分,從而達(dá)到與同一批MOS的開(kāi)啟特性盡量接近。
2079
瑞森半導(dǎo)體 ??? 3年前
RS瑞森半導(dǎo)體低壓MOS在電動(dòng)車(chē)控制器中的應(yīng)用
帖子 碳化硅MOS在三相逆變器上的應(yīng)用-REASUNOS瑞森半導(dǎo)體
33, 66);">DC-AC部分</strong>是<span style="color: rgb(217, 33, 66);">逆變線路</span>是將電池直流電轉(zhuǎn)換成交流電以供計(jì)算機(jī)使用,可推薦使用<span style="color: rgb(0, 0, 0);">瑞森半導(dǎo)體</span><strong style="color: rgb(217, 33, 66);">500V系列的高壓MOS
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瑞森半導(dǎo)體 ??? 2年前
碳化硅MOS管在三相逆變器上的應(yīng)用-REASUNOS瑞森半導(dǎo)體
帖子 RS瑞森半導(dǎo)體低壓MOS-SGT在電動(dòng)車(chē)控制器上的應(yīng)用
二、MOS推薦及產(chǎn)品優(yōu)勢(shì) MOS在電動(dòng)車(chē)控制器中的作用非常重要,MOS輸出電流就是用來(lái)驅(qū)動(dòng)電機(jī),電流輸出越大,電機(jī)扭矩就強(qiáng),加速就有力。
2203
瑞森半導(dǎo)體 ??? 3年前
RS瑞森半導(dǎo)體低壓MOS-SGT在電動(dòng)車(chē)控制器上的應(yīng)用
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