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整個分子動力學過程通過Lammps實現，其中部分壁面需要在MS中進行調整。

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傳統的晶圓減薄技術包括機械磨削、CMP 和??法腐蝕等。由于晶圓經過減薄后容易產生變形或翹曲，目前業界主流的解決方案是采用一體機的思路，將晶圓的磨削、拋光、保護膜去除 和劃片膜粘貼等工序集合在一臺設備內。晶圓從始至終都被吸在真空吸盤上，始終保持平整狀態，從而 防止了晶圓在工序間搬運時產生變形或翹曲。