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若將槽寬縮減至50或100納米，相移器的Vπ損耗積可分別降低至當前器件值的50%或75%。結合兩種方法，損耗-效率乘積可降至≈50dB·V，對應插入損耗5dB且Vπ值<10V，已接近實際應用的電壓要求。未來工作將探索其他可行方案，包括幾何結構與材料工程優化。

例如對于3V的輸入電壓，利用芯片上的NFET可以得到5V/2A的輸出，其次，對于中小功率的應用，可以使用成本低小型封裝。 另外，如果開關頻率提高到1MHz，還能夠降低成本、可以使用尺寸較小的電感器和電容器。 有些新器件還增加許多新功能，如軟啟動、限流、PFM或者PWM方式選擇等。

SiC MOSFET芯片面積比IGBT小很多，譬如100A 1200V的SiC MOSFET芯片大小大約是IGBT與續流二級管之和的五分之一。因此，在電機驅動應用中，SiC MOSFET的價值能夠得到很好的體現，其中包括650V SiC MOSFET。在耐高壓方面，1200V以上高壓的SiC高速器件，可以通過提高系統的開關頻率來提高系統性能，提高系統功率密度。

</p><p><span style="color: rgb(25, 27, 31);">&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;</span>輪軌瞬態滾動接觸有限元模型中，由于車輪具有較高的滾動速度，使得車輪瞬態滾動時對系統激擾較大，輪軌接觸力穩定困難。