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圖形選擇：用測試圖形（如through pitch線寬、尖端對尖端等）結合SRAM結構和工藝弱點，通過頻譜分析篩選關鍵圖形。</p><p>2. 仿真計算：建立光刻仿真條件（機臺信息、照明方式、薄膜堆棧等），開展SMO計算。</p><p>3.

</p><p>&nbsp;</p><p>QQ::</p><p>負體積是由於element本身產生大變形造成自我體積的內面跑到外面接著被判讀為負體積，</p><p>控制使element不出現不合理變形的方法就如同dragonwen與ayke所說的幾點，注意使Hourglassing情形減少，有以下幾個方法可以試看看</p><p>1.避免單點loading=&amp;gt;不要將force施在單一node