發光器件的案例
Inuru開發可印刷任何形狀的OLED發光器件
憑借最新的成果，Inuru已經可以像當前在紙上打印不同顏色一樣精確印刷出不同形狀的光源器件。
與目前的LED/光波導解決方案所需的厚度相比，Inuru的OLED方案可以將整個照明器件的厚度減小到0.2毫米。此外，由于發光器件表面的每個部分都直接發光，因此均勻性也很好。
新穎的設計可能性
隨著尺寸限制的消除，Inuru的包裝和標簽客戶終于可以在不受標準部件形狀限制的條件下，設計點亮徽標和藝術品等。
另外，這種薄如紙張的OLED光源同時還具有超高亮度和節能的特點。它們甚至可以用一些很薄的印刷電池供電，這讓一些空間有限的應用領域也能集成該方案。
由于其節能屬性，設計者不需要作電池隱藏設計，全套方案交付時也就像一張很薄的紙張。這也顯示出Inuru 這種OLED解決方案集成到可穿戴設備、時尚和汽車內部照明中的潛力。
專有OLED技術的拓展
OLED光源目前還主要用作顯示器，其纖薄的外形意味著無限的設計可能性，不過直到今天，OLED光源還是以標準部件的形式交付客戶。
其原因是成本密集的真空制造工藝。在這種工藝下，改變OLED面板的形狀和尺寸會伴隨非常高的設備成本和安裝時間成本。這一事實阻礙了OLED技術在體積小、復雜性高這一類應用中的廣泛應用。這一點讓產品在設計時總是靠向標準部件，不過這樣又會影響設計效果。
憑借2020年中期的最新投資，Inuru在柏林的阿德勒斯霍夫(Adlershof)高科技產業園區建立了一條新的印刷線。目前，該產線已經可以按客戶需求，印刷OLED光源器件。Inuru正在申請相關專利，以完成其在這種支持自由形狀OLED生產的技術方面的知識產權布局。
展開 中科院展示基于手性TADF發光材料，開發高效率圓偏振光的OLED器件
實際上，基于OLED的CPEL （圓偏振電致發光，Circularly Polarized Electro-Luminescence）因其可以直接高效地產生圓偏振光而一直受到人們的關注，這種技術在3D顯示、光學數據存儲和光學自旋電子學等應用領域具有廣闊的潛力。
圖1展示了中國科學院化學研究所的研究人員用來展示高效圓偏振OLED用手性熱激活延遲熒光(TADF)活性聚合物的供體-受體共聚策略。研究人員報告說，他們在這項研究中首次檢測到由手性TADF活性聚合物所制成圓偏振OLED發出的圓偏振光。該圖摘自德國應用化學期刊雜志
自2018年陳傳峰團隊首次報道基于TADF材料CP-OLED以來，TADF材料已被用于CP-OLED以實現高效CPEL。這種材料一直被業界認為是OLED領域“第三代”發光材料，因為這種高效發光材料可以通過能級上的反向系統間交叉過程（RISC，Reverse Intersystem Crossing Process）同時利用單線態和三線態激子，這里的RISC是能量從激發三重態轉移回單重態的光物理過程。
研究人員表示，鑒于上述原因，基于TADF發光材料的OLED理論上可以實現100%的內量子效率(IQE)。在光電探測器中，IQE指光子入射到光敏器件表面時，所產生電子數量和被吸收光子數量之間的比例。
據介紹，該研究團隊采用手性供體-受體（D*-A）共聚策略，設計并合成了兩對手性TADF聚合物，并基于此制造了一種可以發出圓偏振光的OLED器件。這里的手性供體部分是供體分子的一部分，也是另一分子的一部分，具有剛性的三苯乙烯支架結構。這種支架結構可以形成手性性質，同時避免聚合物骨架形成共軛。
另一方面，研究人員使用二苯甲酮二苯砜單元和二苯甲酮單元作為受體部分來制備聚合物對。
展開 光電耦合器的工作原理以及應用
目前它已成為種類最多、用途最廣的光電器件之一。
在光電耦合器輸入端加電信號使發光源發光，光的強度取決于激勵電流的大小，此光照射到封裝在一起的受光器上后，因光電效應而產生了光電流，由受光器輸出端引出，這樣就實現了電一光一電的轉換。
光電耦合器主要由三部分組成：光的發射、光的接收及信號放大。光的發射部分主要由發光器件構成，發光器件一般都是發光二極管，發光二極管加上正向電壓時，能將電能轉化為光能而發光，發光二極管可以用直流、交流、脈沖等電源驅動，但發光二極管在使用時必須加正向電壓。光的接收部分主要由光敏器件構成，光敏器件一般都是光敏晶體管，光敏晶體管是利用PN結在施加反向電壓時，在光線照射下反向電阻由大變小的原理來工作的。
光的信號放大部分主要由電子電路等構成。發光器件的管腳為輸入端，而光敏器件的管腳為輸出端。工作時把電信號加到輸入端，使發光器件的芯體發光， 而光敏器件受光照后產生光電流并經電子電路放大后輸出，實現電→光→電的轉換，從而實現輸入和輸出電路的電器隔離。由于光電耦合器輸入與輸出電路間互相隔離，且電信號在傳輸時具有單向性等優點， 因而光電耦合器具有良好的抗電磁波干擾能力和電絕緣能力。
推薦兩款由工采網代理的來自臺灣美祿的光耦合器，首先是光耦 - MPH-314,MPH-314系列光耦合器非常適合驅動電源逆變器和用于電機控制的逆變器和MOSFET。它包含一個LED光學耦合到一個具有功率輸出級的集成電路。光耦合器在-40°C~+110°C的溫度范圍內保證其工作參數。
最后是光耦 - MPH-341,MPH-341系列光耦合器非常適合驅動逆變器和用于電機控制逆變器和逆變器。它包含一個砷化鋁鎵LED光學耦合到一個具有功率輸出級的集成電路。3.0A峰值輸出電流能夠直接驅動最高額定值高達1200 V/200 A的大多數IGBT。
展開 《Advanced Materials》基于雙網絡離子凝膠的超伸縮和持久電致發光器件
基于其優異的機械性能和高導電性，已將開發的DN離子凝膠設想為可拉伸的離子導體，用于極易拉伸的交流電致發光（ACEL）器件。
用開發的離子凝膠制成的ACEL裝置在超過1200％的超高伸長率下表現出穩定的工作性能，并表現出嚴重
的機械變形，例如彎曲，滾動和扭曲。此外，已開發的
ACEL器件在1000次拉伸/釋放循環中或在高達200°C的苛刻溫度下也顯示出穩定的發光。
相關論文以題為
Super Stretchable and Durable Electroluminescent Devices Based on Double‐Network Ionogels
發表在《
A
dvanced Materials
》上。
【主圖導讀】
圖1
a）聚（N-異丙基丙烯酰胺-co-N，N'-二乙基丙烯酰胺）（PNN）/殼聚糖（Ch）和PNN/交聯Ch（x-Ch）的網絡結構示意圖。b）PNN / Ch和PNN/x-Ch離子凝膠的拉伸應力-應變曲線。c）PNN/x-Ch離子凝膠（符號）在拉伸過程中的電阻變化及其與λ
2
的擬合（線）。d）在6000×100％伸長/釋放周期內，PNN/x-Ch的電阻變化。
圖2
a）可拉伸ACEL裝置的圖示結構（左）和照片（右）。b）ACEL設備等效電路的示意圖。c）雙電層和發射層在不同頻率下的電容變化。d）PNN/x-Ch離子凝膠，Ecoflex 00-30和ACEL設備的拉伸應力-應變曲線。e）ACEL設備在各種施加的電壓和頻率（符號）及其裝配（線）下的亮度變化。f）國際照明委員會（CIE）在300 V電壓下以各種頻率協調ACEL設備。
圖3
a）ACEL器件在各種變形（彎曲，滾動和扭曲）下的發光性能照片。
展開 
高速光耦的工作原理以及應用
目前它已成為種類最多、用途最廣的光電器件之一。高速光耦一般由三部分組成：光的發射、光的接收及信號放大。輸入的電信號驅動發光二極管（LED），使之發出一定波長的光，被光探測器接收而產生光電流，再經過進一步放大后輸出。這就完成了電—光—電的轉換，從而起到輸入、輸出、隔離的作用。由于光耦合器輸入輸出間互相隔離，電信號傳輸具有單向性等特點，因而具有良好的電絕緣能力和抗干擾能力。
高速光耦是一種把發光器件和光敏器件封裝在同一殼體內，中間通過電→光→電的轉換來傳輸電信號的半導體光電子器件。其中，發光器件一般都是發光二極管。而光敏器件的種類較多，除光電二極管外，還有光敏三極管、光敏電阻、光電晶閘管等。高速光耦可根據不同要求，由不同種類的發光器件和光敏器件組合成許多系列的光電耦合器。
比較器A1將ZDl(結點A)的參考電壓和通過分壓電路R7和R8的輸出電壓進行比較，因而控制Q2的導通狀態，可以定義發光二極管D1的電流和通過光耦合在光敏晶體管Q1的集電極電流。然后Q1定義脈沖寬度和輸出電壓，補償任何使輸出電壓改變的傾向。
隨著光電耦合器的使用時間增加和傳輸比即增益的下降，為了防止控制失靈，給Q2提供充足的驅動電流裕量是很有必要的。光電耦合器的種類較多，常見有光電二極管型、光電三極管型、光敏電阻型、光控晶閘管型、光電達林頓型、集成電路型等。（外形有金屬圓殼封裝，塑封雙列直插等）。
在光電耦合器內部，由于發光管和受光器之間的耦合電容很小（2pF以內）所以共模輸入電壓通過極間耦合電容對輸出電流的影響很小，因而共模抑制比很高。
光電耦合器的輸出特性是指在一定的發光電流IF下，光敏管所加偏置電壓VCE與輸出電流IC之間的關系，當IF=0時，發光二極管不發光，此時的光敏晶體管集電極輸出電流稱為暗電流，一般很小。
展開 OLED 電視價格有望下探！韓國科學家研發出替代稀土金屬的生產方案
這種單晶狀態的MnBz材料在用作發光材料時，可以發出明亮的綠光，這種光具有很窄的發射光譜和很高的量子產率。
這之后，該團隊進一步使用單晶狀態的MnBz設計了一種新型的基于Mn絡合物的暖白色OLED發光器件。經過測試，該器件表現出78%的優異顯色指數（CRI）。另外，在研究中，這種MnBz發光材料還被用于制造綠色磷光OLED器件，同樣地，該器件表現出優異的性能。測試結果顯示，這些OLED發光器件顯示出11.42%的破紀錄的量子效率和56.84cd/A的電流效率。
據研究人員介紹，這些基于MnBz材料的OLED發光器件即使在很低的開啟電壓下也能響應發出異常高的亮度，這為未來制造低功耗OLED消費電子器件和照明應用鋪平道路。對此，Sree博士進一步解釋道，“我們所研究的這種環保、且具有成本效益的發光材料可以進一步促進OLED的更廣泛的應用。他們將通過改變我們與世界互動的方式，最終影響人們的生活。”
展開 LED | 科學家發現通過拉伸LED器件，可實現接近100%的發光效率
該團隊已經表明，對上述TMD型LED器件施加小于1%的機械應變（拉伸）就可以通過對材料電子能級結構的改變，實現接近100%的發光效率（即光致發光量子產率），即使在高亮度水平下也是如此。根據這一研究成果，該團隊認為它可以助力新一代超高光效LED器件的研發，它可以很好地規避傳統LED隨發光亮度提升而降低發光效率的問題。
激子-激子湮滅
在所有有機和一些無機LED器件中，高亮度下的效率下降問題源于一種稱為激子-激子湮滅 (EEA)的現象。據介紹，當電流或激光束等能源激發半導體器件有源層時，它會將帶負電的電子從半導體的價帶激發到其導帶上，而激發后的位置會留下帶正電的空穴。在具有特定特性的半導體中，上述過程形成的電子-空穴對會進一步形成一個束縛對，這一束縛對實際上可以認為是一種準粒子——激子(Exiton)。隨后，這些激子中的電子和空穴進一步復合并發生輻射——對外產生光子，這一過程就是LED發出可見光的過程。
在低電流驅動下，LED有源區的激子密度很低，這時幾乎所有產生的激子都有足夠的空間進行輻射復合，這種狀態下的TMD LED，其量子產率可以達到近100%。但隨著驅動電流的進一步提升——LED 亮度（以及激子密度）的增加，這種LED有源區的激子開始出現無規律碰撞——這一過程并不會有光子產生，激子之間相互抵消會導致一些非輻射型的衰變或EEA，最終激子能量以熱量的形式消散。這些過程的結果是：光致發光效率隨著亮度的增加而下降，這一現象尤其對一些超薄材料型LED有著至關重要的影響。
這種非輻射型EEA發生的概率，很大程度上取決于半導體能帶結構的細節。
展開 近3.8億補貼！GaN和SiC快來申請
??基于氮化物半導體的納米像元發光器件
考核指標：襯底上（≥2 英寸）藍光納米像元發光器件：發光單元尺寸<500nm，顯示分辨率≥10000 ppi，發光效率 IQE≥ 50%；超輻射發光器件：室溫下表面等離極化激元、激子極化激元的拉比分裂和閾值<1kW/cm2。申請發明專利10項，其中PCT 2 件。
??中高壓 SiC 超級結電荷平衡理論研究及器件研制
考核指標：建立起SiC超級結器件的電荷平衡基礎理論，揭示器件結構參數和工藝條件對電荷平衡效果的影響規律和機制；超級結結構深寬比≥5:1，器件阻斷電壓≥3.3 kV，室溫下比導通 電阻≤6 m?·cm2；申請發明專利≥5 件。
??GaN基寬禁帶半導體與Si半導體的單片異質集成方法
考核指標：GaN與Si（100）半導體單片異質集成晶圓中GaN薄膜位錯密度＜1×107 cm-2，異質結構二維電子氣遷移率≥ 2000cm2/V·s，方塊電阻＜400Ω/sq；單片異質集成晶圓上的GaN基射頻電子器件截止頻率≥40GHz，6GHz 時輸出功率密度≥ 3.5W/mm，功率附加效率≥50%，150℃結溫下MTTF大于106 小時；Si（100）NMOS晶體管的飽和電流≥100mA/mm，開關比≥105，125℃下MTTF大于106小時；申請發明專利≥5件。
??GaN單晶新生長技術研究
考核指標：用新生長技術制備的GaN單晶直徑≥2英寸、厚度≥1cm，在2英寸面積范圍內位錯密度＜1×104cm2；n型GaN單晶襯底電阻率＜20 mΩ?cm，半絕緣GaN單晶襯底電阻率≥1×108Ω?cm；申請發明專利≥5 件。
??申報方式
1. 請各申報單位按要求通過國科管系統進行網上填報。專業機構將以網上填報的申報書作為后續形式審查、項目評審的依據。申報材料中所需的附件材料，全部以電子掃描件上傳。
展開 晶圓級封裝鍵合工藝2-介質鍵合
鍵合優點
1）工藝簡單，易于操作；2）金屬作為鍵合層還可以起到導熱層作用；3）對于發光器件如VCSEL或LED鍵合界面與發光器件有源區相距較遠，這樣不會影響器件的發光效率；4）金屬鍵合通常采用的溫度比其他鍵合溫度低，這樣避免了高溫條件下對器件造成的種種影響。5）鍵合層所用的金屬不但能形成良好的歐姆接觸，還能提高某些發光器件的反射率（如VCSEL激光器制作中布拉格反射鏡上蒸鍍的金層）。
下圖為垂直腔面激光器（VCSEL）采用硅襯底的金屬鍵合結構與鍵合后的SEM圖。
A)
B)
Fig. 10. A) Schematic structure of a 1.55 pm GaInAsP/InP VCSEL fabricated on Si. B) The cross-sectional SEM photo of the GaInAsP/InP VCSEL
2.6 金屬熱壓鍵合
又稱為金屬擴散鍵合，是指將金或者銅沉積到需要連接的部件表面，然后將部件相互對準后放入晶片鍵合機中，控制鍵合腔體內的氣體組分，最后通過對晶片對進行加熱將其鍵合在一起。金屬擴散鍵合是物質界面間原子經過加熱加壓后相互擴散的結果。金屬擴散鍵合對于晶片表面的粗糙度要求很高（粗糙度<5nm）。目前廣泛應用的引線鍵合，載帶鍵合就是利用熱壓鍵合原理的點鍵合技術。
金-金熱壓鍵合的原理是當金-金界面接觸時，在高溫高壓的條件下，金原子相互擴散，形成一層擴散層。擴散層將原來的兩層金層粘在一起，并和兩鍵合金屬形成一個整體，起到了鍵合和密封的作用。一般金-金鍵合的溫度需要300℃左右，壓強在幾百Mpa以上。
3鍵合工藝對比
晶圓鍵合應用于MEMS工業已達數十年時間。各個工藝都有長足的發展。下表為各個工藝的對比。
展開 LED｜Porotech開發出首款原生紅色氮化銦鎵基Micro LED顯示器
到目前為止，業界還只能使用GaN基發光器件來制造藍色和綠色的Micro-LED微型顯示器。紅色Micro-LED微型發光器件需要用到磷化鋁銦鎵材料，不過這種材料的紅色Micro-LED在AR所需尺寸層面還有很多問題，主要就是這種器件的光效會隨著尺寸的減小而急劇降低。實際上，為了制作出全彩顯示器，業界必須解決紅色Micro-LED的效率問題，進而最終將三者結合起來。
針對此問題，Porotech突破性地開發出一種基于原生氮化銦鎵材料的紅色Micro-LED，他們現在可以結合這三種分別發出紅色、綠色和藍色光的Micro-LED技術開發出全彩微型顯示器。另外，這也意味著現在制造廠商可以利用同一類工具鏈（Tool Chain）——它消除了原來使用不同材料結構制造時所需混合設備的復雜性。
“AR是一種可以改變游戲規則的技術，而Micro-LED技術更是推動AR技術最終商業化的重要因素，”Porotech首席執行官兼聯合創始人博士說，“在傳統的液晶顯示器 (LCD) 中，圖像是利用液晶屏調制和過濾背光所發白光的結果，實際上，這一調制和過濾過程將背光所發光能中很大一部分浪費掉了。除了這種低效率問題之外，LCD顯示器的各種過濾、擴散和調制材料也會也影響整個顯示器的輕薄屬性。
“另一方面，自發光型顯示技術可以自己發出所需的光——對比LCD其光能利用率要高很多。這其中，基于無機發光材料的自發光顯示器更可以以單片方式生產制造。與傳統的LCD或有機半導體顯示器相比，它們更容易縮小像素尺寸，從而制造出更小、更輕、更亮和可靠的高分辨率顯示器。”
不過，迄今為止這一領域還有一個無法克服的問題——基于無機發光材料的微型自發光顯示器需要結合使用基于不同材料結構的發光器件。
展開 重大突破：吉林大學時隔7年再發《Nature》！
據悉，李峰是吉林大學化學學院、超分子結構與材料國家重點實驗室教授、博士生導師，近年來一直致力于新型發光方式、發光機理的高效有機發光材料及器件的研究，相關工作成果發表于Nature，Angew. Chem., Int. Ed.，Adv. Mater.等國際頂級期刊。研發的雙線態自由基發光材料與器件已經獲得了中國和美國的發明專利授權，擁有自主知識產權。（來源：吉林大學）
臺灣美祿丨光電耦合器MPC354的參數大全
光電耦合器能夠在電路中起到代替繼電器、變壓器等器件的作用，而用于隔離電路、開關電路、數模轉換、邏輯電路、過流保護、長線傳輸、高壓控制及電平匹配等。三極管輸出型光電耦合器的特點，是具有很高的輸入輸出絕緣性能，頻率響應可達300kHz，開關時間數微秒。
光耦亦稱光電隔離器或光電耦合器，作為一種隔離電子器件，光耦主要對強電和弱電有著卓越的隔離作用，因此光耦在數字電路上得到了廣泛的應用。
光電三極管又叫光敏三極管，是一種相當于在三極管的基極和集電極之間接入一只光電二極管的三極管，光電二極管的電流相當于三極管的基極電流。從結構上講，此類管子基區面積比發射區面積大很多,光照面積大，光電靈敏度比較高，因為具有電流放大作用，在集電極可以輸出很大的光電流。
光耦合器是一種以光為媒介傳輸電信號的設備；通常，發光器件（紅外發光二極管LED）和受光器（光敏半導體管，光敏電阻）被封裝在同一殼體中。當在輸入端施加電信號時，發光器發出光線，并且受光器在接收到從輸出端流出的光之后產生光電流，從而實現“電-光-電”控制。由于光耦種類繁多，結構獨特，特點突出，因而其應用十分廣泛。
由工采網代理的臺灣美祿的光耦-MPC354系列結合了兩個AlGaAs紅外發射二極管作為交流輸入，其光耦合到一個硅平面光電晶體管探測器在塑料SOP4封裝與不同的鉛形成選項；具有堅固的共面雙模結構，提供了穩定的隔離功能。
MPC354系列將兩個砷化鋁鎵紅外發射二極管作為交流輸入，其光學耦合到塑料SOP4封裝中的硅平面光電晶體管探測器，具有不同的鉛形成選項。MPC354系列具有堅固的共面雙模子結構，具有較穩定的隔離特性。
光耦合器屬光電器件中之一環，系一發光及受光元件的組合體，借由光的傳輸達到導通的要求，為一理想的絕緣體，因此在許多電子電器產品上，皆采用此器件作為【高壓隔離】用途。
展開 詳解光耦合器是什么
光耦合器屬光電器件中之一環，系一發光及受光元件的組合體，借由光的傳輸達到導通的要求，為一理想的絕緣體，因此在許多電子電器產品上，皆采用此器件作為【高壓隔離】用途。發光器件通常為發光二極體，受光器件通常在低階產品為光二級管/光三級管/光晶閘管，高階產品為光耦合積體電路。
臺灣美祿在光耦合器領域頗有建樹，技術以及產品方面已經很完善，如果想了解更多光耦合器的技術資料，歡迎致電聯系：133 9280 5792(微信同號)
南京理工曾海波、徐曉寶、宋繼中AFM:α-δ晶相工程大幅提升鈣鈦礦光電器件穩定性
宋繼中教授，南京理工大學新型顯示材料與器件工信部重點實驗室青年教授，副主任，江蘇省杰出青年基金獲得者。2015年獲得南京航空航天大學材料學博士學位，2011-2012年任友達光電OLED研發部高級工程師，2017-2018在北卡羅納大學黃勁松教授實驗室擔任訪問學者。主要從事量子點發光顯示材料與器件研究，發展了全無機鈣鈦礦量子點的紅綠藍三基色發光器件體系，揭示了其超純色、廣色域等電致發光特點，代表性論文(Adv. Mater. 2015, 27, 7162)已獲Science、Nature等引用700次。在Adv. Mater., J. Am.Chem. Soc., Nano Lett., Angew. Chem. Int. Ed.等期刊發表SCI 論文50余篇，第一與通訊作者影響因子10.0以上期刊論文15篇，獲SCI引用3000余次，ESI高被引論文10篇。
【團隊介紹】
新型顯示材料與器件工信部重點實驗室(暨南京理工大學光電材料與器件研究所)，2016年通過工信部認定正式成立，依托“材料學”與“光學工程”國家重點學科，從事光電(顯示、探測、能源)材料與器件領域的前沿基礎研究、工程技術開發及創新人才培養。實驗室現有教師16名，包括國家杰青1人，國家青千2人，省杰青1人，校青年教授5人。
重點實驗室在銻烯二維材料、全無機鈣鈦礦發光量子點等方面取得了一系列國際認可的創新性成果，建立了氧化鋅量子點藍色發光的間隙鋅缺陷態躍遷模型，發展了全無機鈣鈦礦量子點的紅綠藍三基色發光器件新體系，理論發起并實驗驗證了二維原子晶體“銻烯”，發表SCI論文300余篇，獲得國家發明專利32項。近年來主持國家杰出青年科學基金、國家重大科學研究計劃課題、國家國際科技合作專項等30余項科研項目。
展開 韓國研究團隊開發出性能提升24%藍色OLED
通過這種方式，實現了藍色磷光OLED中所需的三重態約束（促使三重態激子僅在發光層內部才能有效地重新結合）并驗證了其可作為降低驅動電壓的中間層而使用，能夠平衡電流流動，同時有效防止光線損失。
第一作者黃恩惠表示：“在扭曲的分子結構中實現人字形(Herringbone)排列是一項非常不尋常的成就，這標志著新型有機半導體材料發展史上的一個重要轉折點。”
權泰赫教授補充稱：“我們提出了一種能夠獨立于發光層，同時能解決三重態約束和電荷平衡問題的新穎的中間層材料開發策略”，他進一步表示，“基于這一成果，我們計劃進一步深化對下一代顯示和發光器件的研究。”
該研究成果已于19日在國際知名學術期刊《Cell》的姊妹刊《Chem》上發表。本研究得到了韓國國家研究基金會（NRF）、韓國能源技術評估研究所（KETEP）以及UNIST的資助與支持。
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