發光二極管的案例
吉林大學Nature：紅光OLED新紀錄：偶極子發射自由基高效發光二極管
【前言】
有機發光二極管(OLEDs)、基于量子點的發光二極管、基于鈣鈦礦的發光二極管和微型發光二極管已經被提倡用于制造下一代顯示器和有源照明的輕質和柔性單元。盡管已經有一些基于OLEDs的高端商業產品，但為了使這項技術實現更廣泛的影響，成本必須降低，同時保持產品的高運行效率。
【成果簡介】
今日，來自劍橋大學的Richard H. Friend教授和吉林大學的李峰教授（共同通訊）聯合在Nature上發表文章，題為“Efficient radical-basedlight-emitting diodes with doublet emission”。作者展示了基于自由基的OLEDs的高效發光特性，它的發光來自自旋偶極，而不是單線態或三線態躍遷。作者展示的OLED在波長為710nm時，其最大外部量子效率為27 %，這是深紅和紅外LED的最高報道值。常規發光二極管中，空穴和電子分別占據最高已占軌道和最低未占軌道(HOMO和LUMO )，并復合形成單線態或三線態激發態。在本文高效的OLEDs中，作者實現了對HOMO的選擇性空穴注入和對SOMO的電子注入，形成高熒光雙重激發態，實現高內量子產率發光。
展開 ACS Nano: 用納米球透鏡光刻法制備的偏振選擇III族氮化物橢圓納米棒發光二極管
【前言】
在IIIA族氮化物藍色發光二極管出現后的二十年中，發光二極管經歷了重大的研究進步。目前LEDs非常高效明亮，使用壽命相對較長，并且已經成為幾種照明技術中最重要的組件，包括普通室內照明、汽車前燈和液晶顯示器(LCDs)背光照明。發光二極管的一個主要缺陷是發射的光是非偏振的，這不能直接用于需要偏振光的應用，例如LCD背光照明。在這些應用中，需要外部偏振器來吸收具有不需要的偏振光。大約50 %的光在這個過程中丟失，導致相當低的能量效率。因此，找到一種制造發射偏振光的發光二極管的方法將有助于解決許多現存的問題。此外，與LEDs的尺寸相比，外部偏振器通常相當大，并且使用一個偏振器只能定義一個偏振。因此，具有嵌入偏振選擇性的單個LED將允許設計具有各種優選偏振方向的光源。
目前科研人員已經提出了幾種從單個III族氮化物LED獲得偏振光的方法。例如，據報道，從生長在c面藍寶石上的常規III族氮化物LED側面發射的光是高度偏振的。然而，這需要專門設計的包裝來確保光只從側面出來。類似地，生長在非極性或半極性襯底上的III -氮化物多量子阱也可以發射高偏振光。但是非極性或半極性襯底仍然非常昂貴，并且在這些襯底上生長的薄膜質量仍然非常差。此外，研究人員還展示了嵌入線柵偏振器的發光二極管，并顯示出高偏振選擇性。由III族氮化物半導體制成的不對稱納米結構，如納米線或納米光柵，也被證明能發射偏振光。這些納米結構是通過自下而上或自上而下的方法制造的。對于自下而上的方法，納米線通常用等離子體輔助分子束外延(PAMBE)系統生長。這些納米線通常直徑很小(30 nm)，通常呈現對稱的橫截面。為了從頂部觀察極化發射，這些納米線必須水平放置，這表明這些納米線必須從生長的襯底上移除并放置在目標襯底上。
展開 武漢大學汪成、北京大學孫俊良合作：首次制備了基于COF的白色發光二極管
該工作合成了具有黃色熒光的三維共價有機框架（COF），首次制備了基于COF的白色發光二極管，拓展了此類材料的新應用。
論文題為《含有聚集誘導發光基團的三維COF的構建及其在白色發光二極管中的應用》（An AIEgen-Based 3D Covalent Organic Framework for White Light-Emitting Diodes）。丁慧敏博士、黎建博士和謝國華副研究員為論文共同第一作者，汪成與北京大學孫俊良研究員為共同通訊作者。
COF是一類新型有機多孔框架晶體材料，具有設計性強、孔道規整、穩定性高及功能可調等特點，在眾多領域展現出廣闊的應用前景。當前COF的研究成果絕大部分是關于二維體系的，盡管三維COF在吸附與分離、催化等方面具有獨特優勢，但由于在合成、結構解析方面存在較多困難，相關報道較少。
在先前的研究中，汪成課題組提出了具有普適性的由四面體節點和四邊形連接單元通過【4+4】連接方式來構筑三維COF的拓撲設計新策略（J. Am. Chem. Soc. 2016, 138, 3302，他引130次，ESI高被引論文；J. Am. Chem. Soc. 2017, 139, 8705）。本文中，他們從具有聚集誘導發光特征的四苯乙烯（TPE）基團出發，成功制備了含有TPE的三維COF（3D-TPE-COF），并聯合北京大學孫俊良研究員課題組利用連續旋轉電子衍射確定其晶體結構。
研究表明，3D-TPE-COF具有較高的熱穩定性及化學穩定性，而且在450 nm藍光激發下可發出黃色熒光。進一步，他們將該COF材料均勻涂覆到日常使用的450 nm峰值波長的藍色發光二極管表面，點亮后器件會發出白光，成功地制備了第一個基于COF的白色發光二極管。
展開 華僑大學魏展畫組《Nature》:鈣鈦礦發光二極管外量子效率超過20%
Sargent教授在鈣鈦礦發光二極管的研究中取得重大突破。研究人員利用鈣鈦礦的組分分布調控策略得到平整致密且光電性能優異的鈣鈦礦薄膜，并通過加入阻擋層改善電子空穴的注入平衡，得到的鈣鈦礦發光二極管的外量子效率（EQE）超過20%，刷新了鈣鈦礦發光二極管的世界最高紀錄，同時，穩定性也得到極大地提升，遠超國際同行。相關研究成果以題為"Perovskite Light-Emitting Diodes with External Quantum Efficiency Exceeding 20%"發表在國際頂級學術期刊Nature（Dol ：10.1038/s41586-018-0575-3）上。
【成果簡介】
鈣鈦礦半導體材料在太陽能電池領域已經取得了巨大的成功，有機-無機雜化鈣鈦礦太陽能電池的光電轉換效率（PCE）已經從最初的3.8%到現在23.3%的認證效率。由于鈣鈦礦材料制備成本低，可溶液法制備，熒光量子效率高，色純度高且顏色可調等特性，鈣鈦礦材料在平面顯示和固體照明領域極具潛力。自2014年Richard H. Friend和Zhi-Kuang Tan等人首次報導的能在室溫下工作的鈣鈦礦發光二極管，以MAPbI3-X和MAPbBr3(MA = CH3NH3+)作為發光層的近紅外光和綠光的鈣鈦礦LED測得EQE分別為0.76%，0.1%。此后，鈣鈦礦LED便吸引了越來越多的研究者投入研究，并取得了不斷的突破。然而，目前報導的綠光和紅光鈣鈦礦LED的最高外量子效率（EQE）分別為14.36%和11.7%，且鈣鈦礦LED器件穩定性差，遠低于已經商業化的有機發光二極管（OLEDs）和無機量子點發光二極管（QLEDs）（EQE:25%以上）等。鈣鈦礦LED在效率和穩定性上還有很大的提升空間。
展開 
《Ceramics International》：電子阻擋層提高綠色發光二極管效率
論文鏈接：
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0272884220310956
最近，GaN/InGaN基發光二極管（LED）在背光照明和普通照明方面有著巨大的應用。但是出現了“效率下降”問題。各種物理機制已被報道為這種下降的可能原因，包括俄歇復合、電子泄漏、極化場、有限空穴注入、載流子離域和量子受限斯塔克效應（QCSE）。傳統上，在InGaN/GaN發光二極管中使用AlGaN電子阻擋層（EBL）以減少有源區的電子泄漏。AlGaN電子束層除了最小化熱電子逃逸外，還增加了空穴的勢壘高度，導致量子勢壘（QB）和電子束層界面處的能帶彎曲。研究人員提出了許多可能的解決方案來緩解這個問題。已經提出了幾種EBL設計，包括梯度EBL、三元AlInN EBL、AlGaN/GaN/AlGaN基EBL、四元（GaAlInN）EBL和一些特別設計的EBL。
在這項研究中，使用Apsys模擬了四種不同電子阻擋層的LED的光學和電學特性。有源區由三對量子阱(QW)組成。每個阱和勢壘的厚度分別為2.6 nm和8.5 nm。有源區位于p-GaN(厚度：0.15μm，摻雜：1×1018 cm?3)和n-GaN(厚度：3μm，摻雜：5×1018 cm?3)之間。在常規發光二極管(CLED)中，在有源區和p-GaN之間插入Al0.15Ga0.85NEBL(厚度：0.020μm，摻雜：3×1017 cm?3)。在梯度AlxGa(1-x)NEBL(GeBL)中，生長方向的電子阻擋層中的鋁含量從0%到15%不等。在四元EBL(QLED)中，用四元Ga0.65Al0.2In0.15N取代傳統的EBL。類似地，在三元LED(TITE)中，采用三元Al0.8In0.2N組成作為EBL。
展開 新加坡國立大學《Nature》子刊：透明近紅外鈣鈦礦發光二極管！
圖1透明鈣鈦礦發光二極管的架構和性能。
圖2透明鈣鈦礦發光二極管的電學和光學特性。
圖3展示了透明鈣鈦礦發光二極管的隱蔽照明功能。
在這項工作中，作者成功地制備了透明鈣鈦礦基近紅外發光二極管，并在小型可穿戴器件上進行了功能應用。隨著消費者對這些智能和高度連接設備中先進功能的需求不斷增加，作者預計，這一概念可能會在下一代技術中產生重要的安全功能和交互式傳感功能，特別是對于空間有限的設備。
（文：愛新覺羅星）
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展開 為什么發光二極管的很難發出藍光？
發光二極管
如今，LED在日常生活中已被廣泛使用，在我國推廣節能照明的政策下，生產LED的廠家不計其數。這種種跡象讓人們理所當然地認為，和電腦、智能手機相比，這么個小小的燈管沒有太多的科學含量。
但實際上，我國鋪天蓋地的光伏企業所做的，僅僅是對LED的封裝工作。這和電腦的生產十分相似，大大小小的企業只是把各個零件裝配起來，牛X一點的企業還會自行設計電腦外形。在LED這個行業，所有的光電企業，技術水平幾乎都達不到自行生產LED核心的部分，即發光二極管的芯片的程度。
簡單來說，半導體容易發出紅黃光，很難發出藍光。
韓研究人員開發出40000nit超高亮度、柔性、防水型量子點發光二極管
這項名為“基于鋁箔的高亮度、柔性、防水的頂發光型InP量子點發光二極管”的研究顯示，研究人員所開發的這款柔性防水量子點（QD）發光二極管（QLED）亮度非常高，據測試，其最大亮度達到了創紀錄的40000 cd/m2。這項研究是由韓國首爾國立大學（SNU）的Taesoo Lee博士、Geun Woo Baek博士和Jeonghun Kwak教授進行的。這些研究人員是電致QLED領域的知名專家，他們的創新理念照亮了QD基柔性和可穿戴顯示器的未來。
郭教授和李博士與QLED設備和QD解決方案
根據韓媒IEEE Photonics報道，眾所周知，2023年諾貝爾化學獎授予了三位科學家，以表彰他們在量子點研究方面的貢獻，其中特別提到了這種材料對未來顯示技術的重要性。量子點因其出色的光學特性，包括鮮艷的顏色和明亮的發光，得到了極大的關注，成為顯示器件最有前景的發光方案之一。得益于細致的器件設計和不多優化的QD材料，QLED技術有望很快應用于電視等常見顯示設備，它將讓屏幕的顯示質量和生動性遠遠超過其他現有技術。不過要注意的是，如果希望將QLED應用到可穿戴設備或增強現實（AR）/虛擬現實（VR）顯示器等應用，研究人員還需要進一步提升產品的亮度和優化產品的外形。
在這種情況下，Kwak教授和他的團隊探索了一種新的方法，以開發制造亮度非常高、柔性更好且具備防水功能的QLED器件。他們提出了一種“頂發光”型器件架構，其中光從器件的頂部發射。這種設計允許QLED在選擇基板時具有更大的靈活性，比如可以選擇一些不透明的基板。實際上，在傳統的“底發光”型器件設計中，設計人員需要選擇塑料或有機薄膜等透明材料作為柔性基板，因為這種情況下，光需要朝向底部發出。
展開 河南大學&中科大Nature Photonics：兼具高亮度和高效率的可見區量子點發光二極管
量子點發光二極管(QLEDs)由于其改善了色彩飽和度、亮度、光譜可調性和較低的制造成本，在顯示屏和照明這兩個具有深遠技術意義的主要應用領域得到了廣泛的探索。基于量子點的發光二極管的最新進展已經滿足了顯示器的要求，這必然要求高外部量子效率(EQE)，但它們的工作在一個相對較低的亮度范圍內(< 2000 cd/m2)。對于照明，必須同時超過亮度(~103-104 cd/m2)和EQE(~6%)的閾值。然而到目前為止幾乎所有的QLED設備開發要么在高EQE但低亮度或相反。對于紅色QLEDs，雖然EQE由于創新的設備設計而增加到18-20.5%，但峰值EQE的亮度仍然在100-2000 cd/m2范圍內，遠遠低于照明閾值。對于綠色QLEDs, 460,000 cd/m2的高亮度和6%的EQE是最近才同時實現的。這對藍色QLEDs來說更具挑戰性，即使峰值EQE已經提高到10%以上，對應的亮度仍然非常低(約102 cd/m2)。如何使得QLEDs在高亮度的同時保持高效率、且具有長壽命和高穩定性，是QLED領域的亟需解決的難題，也是制約其在高亮高效顯示和照明領域應用的關鍵技術瓶頸。
【成果簡介】
近日，河南大學杜祖亮教授、李林松教授和中國科技大學張振宇教授共同報道了紅色，綠色和藍色QLED的最高亮度記錄，最值得注意的是，亮度和EQE閾值同時被超越，使這些設備適用于顯示和照明應用。作者從量子點的合成設計入手，構筑了以Se為陰離子貫穿元素的新型核殼結構高量子產率量子點（CdSe / ZnSe）。初始亮度為100 cd/m2時，紅色，綠色和藍色QLED的T50工作壽命（亮度降低到初始亮度的一半的時間）分別達到約1,600,000 h，1,700,000 h和7,000h。
展開 【原創分享】電子學中的百科書-二極管的分類
上篇文章中我們討論了關于二極管的誕生，本篇文章我們主要討論一下二極管的分類，那么肯定會有人說，二極管有什么分類，都不是單向導電嗎？何必進行分類。
如果你這樣認為那么建議您好好看看本篇文章吧，首先我們先來看一些圖片，這些都是不同二極管在電路中的電路符號：
如圖所示：
第一個：為我們常用的普通二極管
第二個：發光二極管
第三個：光電二極管
第四個：瞬態抑制二極管
第五個：變容二極管
第六種：肖特基二極管
第七種：齊納二極管
第八種：隧道二極管
其中發光二極管與光電二極管雖然都是一光為介質，都是發光二極管是通電發光。而光電二極管通常配合紅外線發光二極管，制作為紅外對管。
如圖所示：
那么這是通過二極管在電路中的特性進行分類，這些二極管在電路應用的作用不同，當然這是后面文章要講解的。但如果就這樣分類是不是太草率了？確實
我們只介紹了二極管在電路中的作用，那么如果根據二極管的制作方法不同，可以分為點接觸型與面接觸型。
如圖所示：
其中點接觸型與面接觸型最大的特點就是，點接觸型為高頻二極管，常用的有檢波二極管，如：1N34
但點接觸型二極管絕大多數為鍺二極管。
而面接觸型二極管多為硅管。
其中：點接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過電流法而形成的。因此，其PN結的靜電容量小，適用于高頻電路。
展開 Lumerical案例 | 近紅外鈣鈦礦發光二極管光提取效率優化
在光電子技術迅猛發展的今天，鈣鈦礦基發光二極管（PeLED）以其獨特的材料優勢和廣泛的應用前景，成為學術界和產業界關注的焦點。這類器件不僅具備可調帶隙、高色純度和低溫制備兼容性等突出特性，在近紅外（NIR）光發射領域更展現出巨大潛力。然而，光提取效率（LEE）受限一直是制約PeLED性能提升的關鍵瓶頸。近期，一項發表于《Scientific Reports》的研究通過創新的層厚度優化策略與活性層吸收調控技術，成功將近紅外PeLED的光提取效率提升近20%，在803nm波長處達到42.89%的優異水平，為PeLED的實際應用開辟了新路徑。
PeLED的技術優勢與現存挑戰
1.1鈣鈦礦材料的光電特性
鈣鈦礦材料之所以在光電子領域引發廣泛研究熱潮，源于其一系列優異的物理化學性質。這類材料具有可調的帶隙結構，通過組分調控可實現從紫外到近紅外全光譜范圍的光發射；同時具備高色純度，其電致發光半高寬（FWHM）僅為有機材料的1/3至1/4，這對于顯示和傳感應用至關重要。此外，鈣鈦礦材料還擁有長載流子擴散長度、低激子束縛能以及與低溫制備工藝的良好兼容性，這些特性使其在太陽能電池、激光器和傳感器等領域均展現出卓越性能。
在發光二極管應用中，鈣鈦礦材料與傳統有機發光材料（OLED）相比具有顯著優勢。由于鈣鈦礦材料中載流子相互作用的激子性質較弱，無需應對OLED中占比75%的三重態激子非輻射復合問題，這為提高器件效率奠定了材料基礎。理論上，若內部量子效率（IQE）接近單位值，PeLED中光功率模式占光源總光功率的比例可達55%，遠高于OLED的光回收效率。
1.2光提取效率：PeLED面臨的核心挑戰
盡管PeLED在材料特性上具有優勢，但其光提取效率卻受到嚴重限制。
展開 
高效鈣鈦礦型發光二極管
論文鏈接：
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.jpcc.0c08769
鈣鈦礦型發光材料具有高光致發光量子產率(PL QY)、高色純度、帶隙可調、色域寬、載流子遷移率高、載流子擴散長度長等特點。這些優異的光電性能使其廣泛應用于光電子器件，包括太陽能電池、光電探測器、發光二極管(LED)和激光器。特別是全無機鈣鈦礦型CsPbX3(X=Cl，Br，I)納米晶體。基于CsPbX3的LED的外量子效率(EQE)已經超過20%，這表明鈣鈦礦型LED在下一代顯示器的應用中具有很強的競爭力。LED的EQE受EML材料和器件結構的影響。
為了獲得更高效的LED，需要改進EML和器件結構。對于電發射層的優化，摻雜、表面鈍化和表面配體工程是消除缺陷態從而改善其光致發光性能的好方法。對于器件結構優化，合適的傳輸層是很重要的。利用摻鎂氧化鋅(ZnMgO)作為氧化鋅ETL和量子點層之間的過渡層，減少了電子注入，抑制了激子猝滅，從而提高了器件的EL性能。最近，C60因其高電子遷移率和極高的穩定性而被認為是一種很有前途的電子傳輸材料，并被廣泛應用于鈣鈦礦太陽能電池中。
圖1。(A)原始的和優化的CsPbI3NCS溶解在甲苯中的吸收和光致發光(365nm光激發波長)光譜的比較。(B)原始的和優化的CsPbI3NCS的PLQY值。(C)原始和優化的CsPbI3 NCS的TRPL衰減曲線。(D)未處理和優化的CsPbI3納米薄膜的XRD圖譜。(E)原始CsPbI3 NCS和(F)優化CsPbI3NCS的TEM圖像，其相應的尺寸分布直方圖顯示在插圖中。
圖2。(A)ZnO/C60雙層發光二極管的器件結構。
展開 柔性鈣鈦礦型發光二極管新紀錄
盡管鈣鈦礦型發光二極管(PeLED)在下一代顯示器和照明方面很有前途，但其效率仍然遠遠低于傳統的無機和有機發光二極管。要獲得高性能的PeLED，需要在電致發光過程的各個方面做出重大努力。在此，作者提出了一種基于合理界面工程的改進柔性膜片結構，以實現高效的光子產生和增強的光輸出耦合。相關論文以題目為“Rational Interface Engineering for Efficient Flexible Perovskite Light-Emitting Diodes”發表在ACS Nano期刊上。
論文鏈接：
https://doi.org/10.1021/acsnano.0c01908
金屬鹵化物鈣鈦礦由于其溶液可加工性、優異的發光和電荷傳輸特性，為高性價比的高性能光電設備的應用帶來了巨大的希望。近年來，在實現高效鈣鈦礦型發光二極管(?)方面取得了快速的進展。尤其是，形狀因數的靈活性優勢使PELED成為可彎曲顯示和曲面照明應用中的新興技術。然而，PELED需要在各個方面進行重大改進才能解鎖。特別是，PeLED的器件效率應該與傳統的無機和有機LED相當。要使高效的PeLED達到其理論極限，通過共同提高電子-光子轉換過程中的輻射激子復合(高內部量子效率，IQE)和增強內部產生的光子的輸出耦合(高的光輸出耦合效率)，對整個電致發光(EL)過程進行精細的控制是必不可少的。
因此，PeLED的外量子效率(EQE)本質上是由IQE和光輸出效率的組合決定的。離子交換發光的一個主要限制是由于鈣鈦礦晶體內部或其晶界附近的缺陷(如鹵化物空位)而導致鈣鈦礦發射體中嚴重的陷阱介導的非輻射損失。
展開 高穩定紅光鈣鈦礦發光二極管
鈣鈦礦發光二極管（PeLED），特別是通常只有幾個小時的紅光PeLED的長期運行穩定性一直面臨著巨大的挑戰。在此，來自香港大學的蔡植豪教授課題組通過在合成穩定的β-CsPbI3納米晶體（NCs）中摻入poly (maleicanhydride-alt-1-octadecene)（PMA）來證明高效、穩定的紅光發射PeLED。PMA可以通過PMA中的O基團與Pb2+之間的偶聯作用與前體中的PbI2發生化學作用，從而促進穩定的β-CsPbI3 NCs的結晶。同時，交聯PMA顯著降低了β-CsPbI3 NCs表面的PbCs抗位點缺陷。受益于改善的晶體相質量，β-CsPbI3 NCs薄膜的光致發光量子產率從34％顯著提高到89％。在30 mA cm?2電流密度不變的情況下，紅發光膜的外量子效率達到17.8%，并且具有良好的工作穩定性和壽命，初始電致發光強度(T50)的一半時間達到317 h。相關論文以題為“Efficient and Stable Red Perovskite Light-Emitting Diodes with Operational Stability > 300 h”發表在Adv. Mater.期刊上。
論文鏈接：
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adma.202008820
金屬鹵化物鈣鈦礦（MHP）已成為一種新型的革命性半導體，這是因為其驚人的光電性能，包括長的載流子擴散長度和高的缺陷耐受性。鈣鈦礦太陽能電池的連續突破推動了MHP在其他光電應用中的進步，例如發光二極管（LED），光電探測器，場效應晶體管和激光器。特別是鹵化鈣鈦礦LED（PeLED）表現出空前的性能。
展開 綜述：四大方面介紹鈣鈦礦發光領域的研究進展
【 引言】
金屬鹵化物鈣鈦礦是近幾年來發展起來的一類具有良好磁、電和光學性能的重要材料，并在太陽能電池、發光二極管（LED）、激光器、光催化等方面得到廣泛應用。尤其在太陽能電池領域，短短幾年內，鈣鈦礦太陽能電池的光電轉換效率從最初的3.8%達到23.3%，與商業化的晶硅太陽能電池相當，在2013年被Science評為“十大科學進展之一”。
與鈣鈦礦太陽能電池相比較，發光二極管的研究進展較緩慢，在過去3年中，鈣鈦礦型LED的外部量子效率（EQE）從0.0125%提高到10%以上，在近紅外和綠光區域EQE最高分可達12% 和14%，器件顏色純、亮度高、遷移率高。目前鈣鈦礦LED發展存在的挑戰主要是：需要進一步提高器件效率，以期超過有機發光二極管（OLED）和無機量子點LED（QLED）；器件穩定性問題亟待解決。
【 成果簡介】
近日，加拿大多倫多大學教授Edward H. Sargent（通訊作者）等人從金屬鹵化物鈣鈦礦的類別（雜化鈣鈦礦、低維鈣鈦礦、鈣鈦礦納米晶）、鈣鈦礦發光的光物理過程、改善鈣鈦礦發光的策略、鈣鈦礦LED面臨的挑戰四個方面綜述了當前鈣鈦礦發光領域的研究進展，建立了材料特性、光物理和光譜特性與器件性能之間的聯系，并對基于鈣鈦礦LED的制備技術進行了展望。相關成果以題為“Perovskites for Light Emission”發表在Adv. Mater. 上。
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