4D NAND的案例
4D NAND搶了長江存儲Xtacking的風頭？比一比就知道了
昨天，關于此次峰會，行業主要關注的焦點就是我國的長江存儲在會上正式發布了全新的3D NAND架構：Xtacking。
今天，SK海力士成為了另一家備受關注的企業，因為該公司在峰會上宣布推出全球首款4D NAND閃存。
當下，3D NAND發展的如火如荼，而且相應技術仍處于前沿地帶，而SK海力士的宣傳更加吸引眼球，直接推4D產品。
4D閃存技術并不是SK海力士發明的。據悉，該技術最早是由APlus Flash Technology公司提出的，其技術原理是NAND+類DRAM的混合型存儲器，采用了“一時多工”的平行架構，而3D-NAND只能執行“一時一工”。若一到十工同時在4D閃存系統執行時，其速度會比3D-NAND快一到十倍。
打個比方，按照愛因斯坦的“相對論”， 時間已不是常數，因此，可以認為時間在4D閃存系統中變長了，從而能夠處理更多的事情。反之，時間在3D-NAND系統中可以認為變短了，則處理的事情也就少了。
總的來說，4D閃存的設計理念是集前端高速易失性DRAM和后端低成本、非易失性的3D-NAND于一身，巧妙地克服了3D-NAND的缺點。4D閃存是“統一型設計”架構，在制程工藝不變的情況下，可直接應用到各種3D-NAND上。
4D NAND究竟如何？
實際上，SK海力士在今年5月25日就正式發布了4D NAND產品：96層堆疊的512Gb TLC。本次峰會上，該公司更具體地介紹了該款產品。
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根據英特爾年報顯示，3D NAND閃存隸屬的NSG業務在2016-2018年的虧損額分別達到5.4億美元、2.6億美元、500萬美元，直到2019年才開始盈利1.2億美元。
2019年1月，英特爾新CEO司睿博（Bob Swan）上任，英特爾提出“云、網、邊、端”戰略，強調在CPU、AI芯片、FPGA領域構建服務器作用。同時，英特爾開始減少在PC、移動處理器上的投入，處理掉不盈利的業務，停止巨額補貼，解決虧損問題。
2019年7月，英特爾以10億美元的價格把手機基帶業務賣給了蘋果，退出了5G智能手機基帶研發；2020年1月，英特爾宣布將其智能網關部門出售給MaxLinear公司，實現“回血”。
而出售NAND閃存業務也早有征兆。2018年，英特爾宣布退出與美光合資公司JV的IM Flash業務，在外界看來英特爾開始正式加速退出NAND Flash非核心業務。
英特爾剛開始，并沒有自己家的NAND工廠，后來與美光在2005年共同成立了IMFT公司，該公司主要負責NAND閃存研發及生產。
不過，由于美光和英特爾在技術上存在分歧，再加上當時傳英特爾的第一代64層QLC閃存良率僅48%，實際成本超TLC，最終英特爾與美光只能分道揚鑣。
英特爾將IMFT工廠打包賣給了美光，并計劃將用于傲騰的3D XPoint存儲器轉移至英特爾位于中國大連的Fab 68工廠進行生產。
此次
將存儲工廠賣掉之后，并不影響英特爾的行業地位，英特爾可以更加靈活的去和其他廠商購買NAND，然后再搭配英特爾自己2.5D或者3D封裝技術，在服務器市場依然可以大殺四方，而且選擇項會更加多，盈利能力定然不會太差。
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因此，無機 PR 的光吸收率是有機 PR 的 4 倍。如果光吸收好，則有利于雕刻微電路圖案。因此，被評價為適用于下一代曝光技術EUV。
然而，它尚未用于存儲器制造過程。如果SK海力士通過與Inpria的合作將其商業化，這是存儲器行業的首例。
JSR 解釋說：“將金屬氧化物 PR 用于 EUV，我們可以有效地圖案化先進的節點器件架構。Inpria 材料解決方案將降低 EUV 圖案化成本。”
SK海力士表示，“EUV很復雜，需要先進的材料。氧化錫PR將為下一代DRAM提供性能和低成本。”
此前，Lam Research 宣布將為 SK Hynix 提供干式 PR 底層和干式顯影工藝設備。該產品由 Lam Research、荷蘭 ASML 和比利時 iMac 聯合制造。
他們開發的設備在通過沉積過程形成 PR 層中發揮作用。這里使用的材料是無機PR。
據 Lam Research 稱，由于它使用的原材料比濕法少 5 到 10 倍，并且可以減少照射的光量，因此很容易降低成本。過去是旋涂法，在旋轉晶片的同時用設備滴下有機材料PR，因此在應用過程中存在浪費的部分。
此外，EUV工藝分辨率有望提高。分辨率是一個數字，表示鏡頭或感光材料能夠描繪的細節程度。如果增加分辨率，則有利于實現精細圖案。
與此同時，SK海力士宣布其在業界首次成功開發出238層NAND閃存。它正在向客戶提供 238 層 512 Gb (Gb) 三級單元 (TLC) 四維 (4D) NAND 樣品。預計明年上半年量產。
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