Q2D的案例
使用Q2D分析影響差分線特征阻抗的因素 ￥0.5
大家如果不是很清楚，可以借助了ANSYS Q2D軟件來進行分析。
Q2D軟件為二維準靜態場求解器，主要用來提取橫截面均勻的傳輸線（不限于傳輸線，在較短的長度范圍內，如果結構的橫截面不變化，同樣可以用Q2D來確定該小段的特性阻抗）的RLGC寄生參數和特性阻抗等，操作非常簡單，也注定Q2D的功能也相對單一些。
利用Q2D分析傳輸線的串擾
利用Q2D分析互容和互感的變化趨勢及電磁場分布：
2.1、線間距的影響
隨著間距增大，互感和互容變弱，3倍線寬后，變弱趨勢變緩；觀察電磁場分布，離的越近，到達受害線的電力線和磁力線的數目越多，3倍線寬后，明顯到達受害線的電力線和磁力線數目減小。
2.2、增大線寬W能否減小串擾？
從互容和互感的值比較來看，的確增大線寬可以一定程度上減小互容和互感，注意要保持阻抗都為50ohm比較才有意義。
線寬加寬后電場E幅度對比：
明顯線寬加寬后，在攻擊線處的電場幅度要小，類似于平行板電容器，面積越大，對電場的束縛越大，電場越不容易往外傳播；
線寬加寬后磁場H幅度對比：
為什么磁場的幅度變化不大？因為磁場是沿著信號路徑畫圈圈的，加大線寬對信號路徑的回路大小幾乎沒有影響。
特別注意：雖然增大線寬可以減小互容和互感，但是從下面表格數據對比可以看出，互容和互感值變化平緩，即增大線寬可以減輕串擾，然而改善效果有限。
2.3 添加防護布線是否有用？
增加防護布線（短路）可以減小傳輸線間的互容和互感，尤其是線間距越大，效果越好；
添加防護布線后電場分布：
因為電場總是由高電壓向低電壓，由正電荷向負電荷移動，添加防護布線后，有部分電力線會回歸到中間的GND上，到達攻擊線上的電力線就少，串擾自然也就減弱了。
展開 VK1Q68D抗噪數顯LED屏驅動小體積數碼管顯示驅動芯片，最大支持10×2按鍵
VK1Q68D是一種帶鍵盤掃描接口的數碼管或點陣LED驅動控制專用芯片。內部集成有3線串 行接口、數據鎖存器、LED 驅動、鍵盤掃描等電路。SEG腳接LED陽極，GRID腳接LED陰極，可 支持13SEGx4GRID、12SEGx5GRID、11SEGx6GRID、10SEGx7GRID的點陣LED顯示面板，最大支 持10x2按鍵。適用于要求可靠、穩定和抗干擾能力強的產品。采用 QFN24L的封裝形式。
高穩定數顯驅動芯片超小體積/封裝數顯驅動防干擾數碼管驅動IC-VK1Q68D QFN24L支持10x2按鍵
產品型號：VK1Q68D
產品品牌：永嘉微電/VINKA
封裝形式：QFN24L
工程服務，技術支持！
概述
VK1Q68D是一種帶鍵盤掃描接口的數碼管或點陣LED驅動控制專用芯片。內部集成有3線串行接口、數據鎖存器、LED 驅動、鍵盤掃描等電路。SEG腳接LED陽極，GRID腳接LED陰極，可支持13SEGx4GRID、12SEGx5GRID、11SEGx6GRID、10SEGx7GRID的點陣LED顯示面板，最大支持10x2按鍵。適用于要求可靠、穩定和抗干擾能力強的產品。
趣談基本傳輸線結構演變
兩個小注意事項：
與特征阻抗有關的RLGC，都指的是集總值，也就是單位長度的值，比如單位長度的電容pF/m，如果在Q2D中就是lumpd RLGC；
要看傳輸線的空間電磁場分布，只可以在Q2D或者HFSS中，Q3D不支持空間場plot，因為Q3D里面沒有輻射的概念，它仿真的是電小尺寸結構，也即是輻射效率超級超級低的結構。
使用ANSYS HFSS仿真芯片的BGA封裝
2、仿真準備工作，由于要通過TDR值來優化BGA過孔反焊盤的尺寸，需要將HFSS中的solution type設置為Terminal，即終端模式求解，另外掃頻方式只能選擇Interpolating（插值法掃描）。還有在HFSS》design setting中注意勾選Enable material override和automatically use causal material。（勾選這兩項一是為了簡化建模，讓金屬自動覆蓋介質材料，因此不必額外再做減法substract；另一項是為了使得仿真求解滿滿足因果性，不然仿真結果容易出錯）
3、建立模型，具體過程就不詳述了，按BGA封裝尺寸建立即可，如下圖：在BGA焊球上方加一塊pec以保證GND相連，wave port 2是一個100ohm的同軸差分線，可以通過Q2D來確定其尺寸和介質的介電常數。
4、如果不想那么麻煩，wave port 2也可以用lumped port替代，缺點是端口不能deembed，deembed是HFSS簡化模型的強大工具，但是僅僅針對wave port有效，lumped port也可以deembed，不過它的作用是消除lumped port的寄生電感，請注意這兩個區別，lumped port模型如下圖：
最后仿真的TDR如下：紅色為優化的結果，但是還沒到最佳，原因有二：第一、過孔有殘樁且非功能焊盤沒去掉；第二、過孔的反焊盤直徑還比較小，可以繼續加大，最佳的優化BGA+過孔阻抗在98ohm。
附錄：使用Q2D確認100ohm差分同軸線的尺寸和介質介電常數。
展開 干貨 | ANSYS線纜仿真功能介紹
在ANSYS HFSS/Q3D/Q2D/Maxwell 3D/ Maxwell 2D電磁仿真模塊中，有線纜線束的快速建模接口，可以方便、快速的建立雙軸電纜、同軸線纜、雙絞線束、電源電纜、線纜線束、漏纜等線纜線束模型。
ANSYS線纜線束模型
ANSYS對線纜的仿真采用有限單元法FEM（Finite Element Method），直接對線纜及其周邊環境采用三維全波算法進行計算，直接計算周圍電磁場的分布，并可以把場的仿真結果動態鏈接到電路仿真模塊中，添加激勵源與負載，進行場路協同仿真，再為線纜線束添加真實激勵，對線纜線束串擾，輻射發射，輻照敏感度進行仿真。
計算線纜線束的時域與頻域的傳輸特性，計算結果精度更高。ANSYS對線纜線束的解決方案適用于復雜模型，線纜彎曲或終端而導致的不連續性所引起的場效應也會被計算在內。
ANSYS 線纜建模
ANSYS線纜仿真
展開 主板維修教程之CPU供電電路原理及檢修
在主板的Q1X極，場效應管的X極就可以測定供電是是否正常。將萬用表打在直流20V檔上，紅表筆接地，黑表筆點測試點Q2的D極或者說點Q1的X極；或者點電感線圈L2，即可判斷出供電電壓是否正常。
那哪個才是Q1哪個才是Q2，Q1D極接的是紅色5V或者12V，這時將萬用表打在蜂鳴檔上，一支表筆放在ATX電源的黃SE12V里面，另一支去連接Q1的Ｄ極，點哪個Ｄ極，響有蜂鳴聲哪個就是Q1。
當找到Ｑ１，那Q2就容易找到，當我們確定Q1以后，，紅表筆點入Ｑ1的X極，黑表筆在它旁邊找跟Q2的地極哪個相連或蜂鳴，那就可以確定出它的單組供電，確定出一項供電。
那像有些主板它屬于三相供電，在主板中多項供電也主是單項供電的并聯，為了增大電流采取了并聯關系，現在多數主板的供電電路都采用了兩項電路，或多項設計，用力滿足CPU高功耗的需求，使功率達到80瓦，工作電流達到50A。
采用多項供電不僅可以為CPU提供足夠可靠的電能，還可通過分流的使作用使每項場效應管的負載減少，為主板的穩定運行創造一個良好的工作環境，三項供電電路采用Intel公司一個特定的工作模式。
怎么樣才能找到CPU供電電路中的電源管理芯片？只要確定出一項供電以后，用萬用表打在蜂鳴檔上，一支表筆接差場效應管Q1控制極（Ｇ極），另一支表筆和旁邊的芯片去連接一下，連通以后即可知道它是不是電源管理芯片。找到電源管理芯片，就不用找電壓識別管腳。
如何檢修CPU供電路：
1、測Ｑ1的D極5V或12V，他是由ATX電源的紅色5V或黃SE12V直接提供。如果不正常，查電源紅線或黃SE線到D極。如果正常，進行下一步工作。
2、測Q1的G極3~5V控制電壓，由電源管理芯片提供，如果正常，場效應管壞，更換場效應管。如果不正常，把Q1的G極懸空，測電源芯片的輸出端電壓。
展開 適用于ansys的應變梯度塑性本構（CMSG）子程序（開源資源）
4,4) = q/2.d0 - r*dstre(4)*dstre(4)
ddsdde(5,5) = q/2.d0 - r*dstre(5)*dstre(5)
ddsdde(6,6) = q/2.d0 - r*dstre(6)*dstre(6)
c *** OUTPUT
kflag=props(6)
if (kflag.eq.1) then
c fcc
c arsenlis and parks (1998)
xm=3.06d0
b=0.2555d-6
r=1.9
else
c bcc
xm=2.9d0
b=0.2725d-6
r=1.9
endif
if (ele.eq.0.d0) then
gnd=0.d0
else
gnd=r*SVAR(npt,10)/b
endif
ssd=((syield*(E/syield)**ene*(epseq+syield/E)**ene)/
& (xm*0.5*eg*b))**2
td=gnd+ssd
c gradient
statev(10)= SVAR(npt,10)
c to plot ssd in m^-2
statev(11)=(1000000.0d0)*ssd
c to plot gnd in m^-2
statev(12)=(1000.0d0)*gnd
c total dislocations
展開 干貨｜深入剖析鋰電池保護電路工作原理
電池充電時電流方向如箭頭所示
充電時，控制IC X1會時刻監測第5腳VDD和第6腳VSS之間的電壓，當這個電壓大于等于過充截止電壓且滿足過充電壓的延時時間時，X1會通過控制第3腳來關閉MOS管Q2，Q2被關閉之后，充電回路被切斷（Q2的體二極管D2也是反向截止的），這個時候，電池只能放電。
過充保護解除條件（滿足其一即可）：
1，電芯兩端的電壓下降到保護IC的過充恢復電壓。
2，在電池包得輸出端加負載放電，放電到電壓小于過充保護電壓。
13.過放保護
在電池包兩端加負載放電時，電流（方向如箭頭所示）與充電是相反的，如下圖所示。
電池放電時電流方向如箭頭所示
放電時，控制IC X1同樣會時刻監測第5腳VDD和第6腳VSS之間的電壓，當這個電壓小于等于過放截止電壓且達到過放電壓的延時時間，控制IC X1會通過第1腳關閉Q1，Q1被關閉之后，放電回路被切斷（Q1的體二極管D1是反向截止），這個時候，電池只能充電。
過放保護解除條件：拿掉負載，給電池包充電，當VM-VDD之間的電壓達到過放恢復電壓值時，控制IC X1會重新打開MOS管Q1。
14.過流保護/短路保護
過流保護指的是過放電流的保護，一般的控制IC有過流保護和短路保護兩種，控制IC時刻監測VSS-VM之間的電壓值，當電壓值達到過流保護或者短路保護的閾值且滿足延時時間，控制IC會將MOS管Q1關閉，切斷放電回路。
展開 餓啊夫人是個挺好的呀分局開給i
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定位費格瑞特回一句
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