存儲技術的案例
關于新興存儲技術，這里有你不知道的諸多知識
當下，新興存儲技術越來越受到業界的矚目，如PCM、MRAM、ReRAM、FRAM等存儲器已經蟄伏待機了幾十年，以尋求適合其自身特點的應用機會，今天看來它們的機會真的到來了。
實際上，在以上提到的幾種存儲類型中，有一些已經批量生產了，且這些芯片也帶來了較好的銷售收入。隨著先進的邏輯處理制程節點驅動復雜的處理器和ASIC采用新興的、具有持久存儲能力的技術，市場有望出現顯著轉變。與此同時，業界大佬英特爾已開始積極推廣其新的3D XPoint存儲器，用作高級計算的非易失性內存。SNIA（Storage Networking Industry Association）、JEDEC和其他標準組織，以及Linux社區和主要軟件公司正在努力建立必要的標準和生態系統，以支持這些新存儲技術的持久性發展。
本文將從多個角度審視新興存儲器技術，并預測這些技術如何改變芯片市場。
新興存儲技術存在的必要性
業界存在著這樣一個疑問：既然基于硅的存儲技術一直是優選方案，為什么還要去研究非硅基存儲器呢？有改變的必要嗎？
其實，這個問題并不難回答。
硅存儲器技術得益于它們始終采用與生產CMOS邏輯芯片幾乎相同的工藝技術，可以利用存儲器和邏輯工藝共同開發的優勢。實際上，在20世紀80年代中期之前，邏輯和存儲制程是相同的。直到那時，存儲市場才變得足夠大（超過50億美元/年），它可以支持任何額外的制程工藝開發。
即便如此，存儲芯片的制程工藝和邏輯制程一直沒有大的區別，存儲器和邏輯芯片之間的這種協同作用可繼續降低制程工藝的開發成本。
展開 相變存儲器的技術特點和發展趨勢
圖1: PCRAM結構示意圖
二、相變存儲器的技術特點
相變存儲器具有很多優點，比如可嵌入功能強、優異的可反復擦寫特性、穩定性好以及和ＣＭＯＳ工藝兼容等。到目前為止，還未發現ＰＣＲＡＭ 有明確的物理極限，研究表明相變材料的厚度降至２ｎｍ時，器件仍然能夠發生相變。因而，ＰＣＲＡＭ 被認為是最有可能解決存儲技術問題、取代目前主流的存儲產品，成為未來通用的新一代非揮發性半導體存儲器件之一。
相變存儲器提高存儲容量的方式有兩種：一種是三維堆疊，還有一種是多值技術。英特爾和美光重點突破的是三維堆疊技術，而IBM在多值存儲領域取得了突破性進展。
圖2：PCRAM突破存儲容量的兩大技術方向：三維堆疊和多值存儲
三維堆疊技術通過芯片或器件在垂直方向的堆疊，可以顯著增加芯片集成度，是延續摩爾定律的一種重要技術。交叉堆疊(cross point)的三維存儲結構被廣泛應用于非易失存儲器，英特爾和美光共同研發的3D Xpoint技術，便是一種三維交叉堆疊型相變存儲器。當前，三維新型非易失存儲器的研究主要集中在器件和陣列層面。與傳統的二維存儲器不同，三維相變存儲器采用了新型的雙向閾值開關（Ovonic Threshold Switch，OTS）器件作為選通器件(selector)。根據OTS器件的物理特性和三維交叉堆疊陣列結構的特點，三維交叉堆疊型相變存儲器采用一種V/2偏置方法以實現存儲單元的操作。
IBM是相變存儲器多值存儲技術的推進者，其每個存儲單元都能長時間可靠地存儲多個字節的數據。
展開 新興NVM存儲技術及工藝選擇
在今年的劍橋ARM研究峰會上，ARM公司Fellow Greg Yeric暢談了ARM對眾多新興非易失性存儲器的看法。
Yeric表示，ARM正在關注這些前沿的存儲技術，因為它有可能對邏輯空間產生巨大的顛覆性，在硬件和軟件平臺層面也是如此。“有各種類型的電阻式RAM和磁性RAM出現，TSMC最近就制造了一種嵌入式ReRAM，而類似的技術和產品的研發及生產案例還有很多。ARM也有自己的項目，是由DARPA資助的CeRAM（correlated electron RAM）研究”。
圖：ARM公司Fellow Greg Yeric
Yeric解釋說：“28nm閃存不能再繼續擴展，而是轉向獨立閃存的3D堆疊方向，傳統閃存很耗電，而且存取速度相對于應用需求來說很慢?！?為了抓住這一波發展時機，幾十年來，行業一直在研究和開發多種存儲技術，許多技術項目試圖成為“通用”存儲器，用以取代包括邏輯內基本SRAM單元在內的所有內容，但到目前為止還沒有成功案例，Yeric說：“如果就某項性能指標而言，實際上多種新型存儲技術已經取得了部分成功。但是，由于多種技術各自針對不同的利基，形成了碎片化的市場存在狀態，從而缺乏商業推動力，但半導體研究工廠在這方面有很多優勢。
“通常情況下，ReRAM缺乏耐久性，而MRAM的耐久性確實不錯，但其開/關率非常低，”Yeric說。這意味著工程師必須小心選擇他們的應用目標，無論這些是固態驅動器（與3D-NAND閃存競爭），還是作為微控制器旁邊的嵌入式存儲器，其中相變存儲器，ReRAM和MRAM都是競爭者。
“MRAM的后續版本很有希望取代SRAM，以滿足緩存要求。
展開 技術變革關鍵期，中國如何突圍存儲器產業？
清華大學微電子所吳華強發表“新型存儲器及存算融合技術的發展趨勢”指出，現在海量的數據與復雜的模型對算力的要求越來越高。傳統基于局部原理構建的存儲層級架構無法解決數據、存儲高度密集的流式神經網絡處理。同時人工智能系統的功耗遠高于人腦，存在巨大的能耗差，基于新器件和新架構來開發新的人工智能芯片非常必要和急需。而新型存儲器技術在非易失、高速和低成本方面具有明顯優勢。基于存算融合技術的智能計算芯片，新型存儲器在新的領域具有重大的應用前景。
目前，全球各國已經開始布局新的計算架構開發，比如美國國防先期研究計劃局(DARPA)的FRANC項目，目標是通過人工智能使模擬信號處理方式所能實現的計算性能和能效與現有數字方法相比能大幅提升。
吳華強還指出，現在正是發展存算融合技術的好時機。過去幾十年中，半導行行業通過器件越來越小，集成度越來越高，計算性能可以持續得到提升?，F在這條途徑的成本已經越來越高，發展空間越來越有限。另一方面人工智能對于計算能力提出更大的需求。與此同時，存儲及數據搬運極大限制了計算性能的提升和功耗的降低。信息系統的架構將轉向數據為中心的計算。人工智能要的是系統整體的準確(統計準確)，而不是單個器件的精確，我們完全可以通過低精度計算的設計來實現高性能的人工智能芯片。
這些都是推進新型存儲技術的有利時機。中國企業應當抓住這個技術變革的難得機遇期，提前布局，推動中國在新型存儲技術上的追趕。
為了深入探討IC產業發展策略，共商全球IC產業發展大計，共享全球IC產業發展成果，共同推進全球IC產業可持續健康發展。
展開 
數據存儲的秘密、取舍與技術動向
我們現在擁有NVMe over Fabrics，可為外部存儲提供閃存速度。我們還擁有超融合基礎設施解決方案、軟件定義存儲、云和混合云存儲，以及其他多種選項。
但是，內存和存儲技術在25年來沒有根本性的變化，直到英特爾?傲騰?固態盤的出現。英特爾?傲騰?固態盤基于3D XPoint?技術，與基于3D NAND的技術相比，在耐久性和低延遲方面有著幾個數量級的優勢。使用它們可將內存和存儲的最佳特性相結合來實現基于服務器的存儲架構。
英特爾?傲騰?固態盤可提供：
更高的I/O性能和更低的延遲（相比基于NAND的固態盤），從而提供可預測、一致的快速服務
出色的高耐久性，支持主內存所處理的相同類型的高寫入流量
更高密度，且成本遠低于DRAM
英特爾?傲騰?固態盤支持與內存相同的實時訪問，從而消除瓶頸，更快、更方便地訪問大型數據集。它們可提供更強的服務器擴展能力，降低對延遲敏感型工作負載的事務處理成本，同時加速算法執行來提高數據集處理效率。
創建新分層以實現更精確的數據控制
英特爾?傲騰?固態盤可幫助您的IT基礎設施實現兩個關鍵目標：
創建更快的存儲
擴展內存
模糊內存和存儲的界限
英特爾?傲騰?固態盤與英特爾?3D NAND固態盤配合使用，可以打造更強大的存儲基礎設施組合。
展開 打破技術封鎖！天津大學發現超高能量存儲“金鑰匙”
無人機 “超長航時飛行”、心臟起搏器供電終身、一條仿生機器魚可以在海洋中穿行上萬公里……隨著科技的高速發展，超高能量存儲技術成為人類社會進步的重要標志之一。日前，天津大學封偉教授團隊成功研制出超高能量氟化碳材料，性能大幅度領先國內外同類產品，該技術現已獲得多項中國和國際發明專利授權，有望使我國率先突破超高能量存儲這一“卡脖子”關鍵技術。
氟化碳是目前世界上理論能量密度最高的原電池固態正極材料，在電子器件、生物醫學和裝備電源等領域有廣闊應用前景。長期以來，西方發達國家一直將高能量氟化碳制備視為核心技術，嚴禁技術輸出和公開交流。我國相關領域發展遠滯后于美、日等發達國家，產品性能遠低于國外同類產品，目前國內廣泛使用的氟化碳材料主要依賴國外進口，價格高達600～800萬元/噸，嚴重制約了我國相關領域科學研究和產業發展。
當前，國際主流的氟化碳材料難以實現“能量密度高”和“功率密度高”的兼顧，這也成為了制約人類進入超高能量存儲時代的技術瓶頸。天津大學封偉教授團隊從2008年開始率先提出通過開發具有獨特結構的新型氟化碳材料，達到氟化碳材料能量密度和功率密度“雙高”的目標。
團隊歷經十年攻關，通過顛覆共價型氟碳結構，在國際上率先研制出新型氟化碳材料。研究結果顯示：他們研發的新材料能量密度達到2738 Wh/kg，比國外同類產品高30%，達到世界領先水平，同時在超大放電電流條件下穩定工作，真正實現了能量密度與功率密度“雙高”。這種新型氟化碳材料制備技術標志著我國成功突破了超高能量存儲這一“卡脖子”關鍵技術，一舉突破發達國家對我國長達數十年的技術封鎖。
“目前我們團隊已經實現了新型氟化碳材料的穩定生產，并深入挖掘了氟化機理、結構調控、電化學動力學等科學問題，” 封偉教授表示。“我相信，我們的‘中國創造’有望在不遠的將來站在全球高能量存儲行業的制高點。
展開 一文讀懂｜三大新興存儲技術：MRAM、RRAM和PCRAM
密度高：部分PCM采用非晶體管設計，可實現高密度存儲。
抗輻照特性好：PCM存儲技術與材料帶電粒子狀態無關，故其具有很強的抗空間輻射能力，能滿足國防和航天的需求。
但是目前PCM存在的問題有：
在當一個器件單元中的相變材料處在高溫熔化狀態時，熱擴散可能會使相鄰的器件單元也發生相變，從而導致存儲信息的錯誤；
目前二極管作為選通管是高密度PCM的一個主要選擇，但其制備工藝會導致同一字線上相鄰二極管之間會形成寄生三極管，而寄生三極管的串擾電流又會影響數據穩定性；
材料發生非晶態和晶態之間的轉變時，其體積會發生變化，進而可能導致相變材料和與其接觸的電極材料發生剝離，器件失效。
PRAM目前發展到了另外一個領域：Intel和美光2015年聯合推出了3D Xpoint技術。3D Xpoint技術的存儲單元的確是PRAM，但它找到了一種合適的選擇管，即1R1D的結構而不是1R1T結構，這和三星的方向完全不同。
3D Xpoint技術在非易失存儲器領域實現了革命性突破，雖然其速度略微比DRAM慢，但其容量卻比DRAM高，比閃存快1000倍。但也有明顯缺點：3D Xpoint采用堆迭結構，目前一般是兩層結構。堆迭層數越多，需要的掩模板個數就越多，而在整個IC制造工業中，掩模板占到了成本的最大份額。因此，從制造的角度來說，要想實現幾十層的3D堆迭結構非常困難。
展開 存儲新勢力：MRAM技術解析
MRAM簡介
磁隨機存儲器（Magnetic random access memory，MRAM）是一種利用讀取磁阻大小為原理的新型非易失性（Non-Volatile）隨機存儲器之一（圖1）。與其他存儲技術相比（表1），MRAM在速度、面積、寫入次數和功耗方面能夠達到較好的折中，因此被業界認為是構建下一代非易失性緩存和主存的潛在存取器件之一。
圖1 存儲器類型
表1 各類存儲器的性能比較
(一) 磁隧道結及隧穿磁阻效應
MRAM性能的提升，得益于磁隧道結（Magnetic Tunnel Junction，MTJ）的隧穿磁阻（Tunnel Magnetoresistance，TMR）值不斷提高。磁隧道結是MRAM的基本存儲單元，其核心部分是由兩個鐵磁金屬層（典型厚度為1~2.5nm）夾著一個隧穿勢壘層（絕緣材料，典型厚度為1~1.5nm）構成類似于三明治結構的納米多層膜（圖2）。其中一個鐵磁層被稱為參考層（Reference Layer）或固定層（Pinned Layer），它的磁化沿易磁化軸方向固定不變。另一個鐵磁層被稱為自由層（Free Layer），它的磁化有兩個穩定的取向，分別與參考層平行或反平行，這將使磁隧道結處于低阻態或高阻態，該現象被稱為隧穿磁阻效應。兩個阻態可分別代表二進制數據“0”和“1”，是MRAM存儲的基本原理。隧穿磁阻效應可以用自旋相關隧穿理論予以解釋，如圖3所示，對于鐵磁金屬，自旋向上和自旋向下的電子態在費米能級附近分布不均衡。當參考層與自由層磁化方向一致時，兩層鐵磁材料中處于多數態的電子自旋方向相同，隧穿概率較高，隧穿電流較大，磁隧道結呈現低阻態；反之，磁隧道結呈現高阻態。
展開 用光線存儲數據的節能方案：有望應用于下一代數據存儲！
（圖片來源：參考資料【2】）
（圖片來源：參考資料【2】）
研究顯示，這些熒光納米晶體將成為傳統磁性（硬盤驅動器）和固態（固態硬盤）存儲技術或者藍光光盤的一種很有前景的替代品。
Riesen 博士表示：“這項用光線存儲信息的技術有意思的地方在于，可以同時存儲幾個比特，而且數據是可重寫的，這一點不同于其他大多數的光學存儲技術。”
價值
這種“多級數據存儲”（在單個晶體上存儲幾個字節）為更高的存儲密度開辟了道路。這項技術也采用了非常低功率的激光器，提高了它的能量效率，對于消費類應用來說也更實用。
新南威爾士大學教授 Hans Riesen 表示：“低能量需求也使得該系統非常適合集成電路上的光學數據存儲?！?隨著三維數據存儲技術的發展，這項技術也有望提升存儲數據量。
阿德萊德大學教授 Heike Ebendorff-Heidepriem 表示：“我們認為，采用我們在IPAS所具備的玻璃加工能力，這一數據存儲平臺有望拓展至三維技術，將納米晶體嵌入到玻璃或者聚合物中。新材料的跨學科研究開發，對實際應用會產生深遠的影響。”
Riesen 表示：“三維光學存儲有望在小型數據立方體上實現拍字節級別的數據存儲。客觀地來看，人們普遍認為，人類大腦可以存儲2.5拍字節。對于突破數據存儲技術的瓶頸而言，這項新技術有望成為切實可行的解決方案。”
展開 高階自動駕駛系統的通信存儲技術
該接口利用SerDes技術可通過雙絞線或同軸線纜傳輸高清數字視頻以及雙向控制通道。這樣可以在域控制器單元與攝像頭或顯示單元與攝像頭之間進行優化。同時通過不同的采樣時鐘確保視頻流和數據流在相同物理通道中的同步傳送。
在如上視頻圖像的處理過程中我們可稱之為圖像序列化，這一過程可以方便網絡傳輸，協議解釋及數據存儲。同時，在系統架構設計中采用串行器/解串器（SERDES）技術的高速串行接口來取代傳統的并行總線架構，可以減少布線沖突、降低開關噪聲、更低的功耗和封裝成本等。
總結
高階自動駕駛域控制器的工作處理能力不僅體現在對于提供大算力、高性能圖像處理芯片，更多也是依賴于內部片間通信網絡、存儲單元與外設總線傳輸、接口等設計。通信網絡設計講究網絡設計帶寬、速率、穩定性及避免通信沖突等問題。存儲單元則是要求存儲容量、穩定性等方面的需求。外圍接口則更多的關注接口適配性，與通信網絡總線的連接程度等問題。以上每一項對于真正涉及域控制器實體PCB版設計都是必須完全考慮的內容，本文從整體分析中給設計師在各傳輸、存儲等方面的硬件選型上提供了一定的參考。此外，如果更加細化，就會涉及實際的電阻、電容甚至布線規則等，本文就不再做細化。
展開 希捷技術再創新，存儲江湖再現領頭羊
2018年大容量存儲行業的主要供應商如西部存儲、日立、東芝、希捷基本上是齊頭并進，大家都能開發出10TB、12TB、14TB硬盤，但到2019年，希捷將憑借獨特的HAMR和多讀寫臂技術脫穎而出，重占行業領頭羊寶座。
本文作者：電子發燒友網，陳路
2018年大容量存儲行業的主要供應商如西部存儲、日立、東芝、希捷基本上是齊頭并進，大家都能開發出10TB、12TB、14TB硬盤，但到2019年，希捷將憑借獨特的HAMR和多讀寫臂技術脫穎而出，重占行業領頭羊寶座。
希捷科技全球副總裁暨中國區總裁孫丹女士透露：“明年，希捷將憑借獨創的熱輔助磁記錄（HAMR）技術和多讀寫臂技術，上半年推出16TB硬盤，下半年推出20TB硬盤，不僅容量穩占業內領先地位，而且硬盤保持讀寫性能不變。HAMR硬盤將是未來大容量硬盤的主流技術發展趨勢。”
圖1：希捷科技全球副總裁暨中國區總裁孫丹女士
伴隨著大數據、移動云聯網、云計算、物聯網、AI技術的不斷進步，中國智慧城市建設正在穩步推進，安防監控行業作為智慧城市的安全之門，其核心地位不言而喻。前瞻技術研究院最新市場研究報告顯示，到2022年，中國安防監控行業市場規模將達到近萬億水平。海量的音視頻數據存到哪里、怎么存、安全性如何確保，這對大容量存儲行業來說既是機遇也是挑戰。
此外，隨著智慧城市或數字城市的興起，未來各行各業的大數據都將面臨爆炸性增長，這必然將帶來一波大數據中心的建設熱潮，進一步推高對低成本、低功耗、大容量硬盤的需求。
希捷孫總裁高屋建瓴地指出了當前整個大容量硬盤存儲行業的5大發展趨勢。第1大趨勢是，容量每年20-30%速率增長，同時每TB容量的成本逐年在下降。
展開 
磁浮子：為存儲技術發展帶來新機遇！
這項研究將數據存儲設備的開發向前推進了一大步。
技術
如果斯格明子用于編碼數據“1”，那么磁浮子就用于編碼數據“0”。手性磁浮子是一種出現于特定合金表面附近的三維磁結構。
于利希研究中心Peter Grünberg 研究所（PGI-1）博士 Nikolai Kiselev 表示：“長期以來，手性磁體領域研究的唯一對象就是磁性斯格明子?，F在我們為科研人員的研究提供了一種新對象【磁浮子】，它具有一系列獨特的特性?！比昵?，他與研究所主任教授 Stefan Blügel 以及其他合作伙伴一起，從理論上預測了這種新型磁結構的存在。
現在，來自德國恩斯特魯斯卡電子顯微學與電子譜學中心（Ernst Ruska-Centre for Microscopy and Spectroscopy with Electrons）的主任教授 Rafal E. Dunin-Borkowski 及其同事們通過實驗成功地在真實材料中證明了這種磁浮子的存在。
以斯格明子為代表的磁結構的穩定性與材料的一種特性相關，它就是手性。手性一詞指一個物體不能與其鏡像相重合，例如我們的雙手，左手與互成鏡像的右手不重合。左手不能轉化為右手，同樣右手磁結構和左手磁結構也不能相互轉化。
此外，斯格明子和新發現的手性磁浮子都非常微小，一般來說直徑只有幾十納米。因此，原則上它們可用于在存儲芯片上非常密集地打包數據。然而，它們的小尺寸使得觀察變得極具挑戰性。Rafal Dunin-Borkowski 解釋道：“在這么小尺寸基礎上的磁織構可視化，需要采用全世界范圍內只有少數幾個實驗室才有的最先進的技術?！?為什么磁孤子（在非線性物理中這種粒子般的物體的另一個名字），例如斯格明子和手性磁浮子，具有很好的應用前景？另外一個重要原因就是：與存儲于硬盤驅動器中的數據比特不同，斯格明子是可移動的物體。
展開 康謀技術 | 高效環境感知：毫米波雷達數據采集、可視化及存儲方案
<p>隨著自動駕駛技術的快速發展，自動駕駛的研發逐漸形成一整套的流程，包括<strong>數據采集，清洗標注，算法訓練，仿真測試</strong>到<strong>量產</strong>等各技術環節。通過復雜的步驟從原始數據中提出高價值的信息，其中對原始數據的精準采集是實現車輛環境感知的基石。毫米波雷達因其出色的測距、測速能力以及對惡劣天氣的魯棒性，成為不可或缺的傳感器之一。</p><p>本文將以4D毫米波雷達ARS548為例，分享毫米波雷達如何快速實現數據采集，可視化及存儲策略。關于毫米波雷達的特性可進一步了解文章<strong>《毫米波雷達技術解析》</strong>。</p><h2>一、ARS548毫米波雷達概述</h2><p><strong>ARS548</strong>是 4D高分辨率成像毫米波雷達（4D High Resolution Radar），如圖1所示。它能夠有效的測量<strong>距離（Range），速度（Velocity），水平角度（Azimuth）</strong>和<strong>俯仰角度或高度（Elevation）</strong>四個維度的信息，具備感知目標三維空間位置能力。
展開 材料復合新技術國家重點實驗室的計算利器—工作站/服務器/存儲配置推薦
材料復合新技術國家重點實驗室主要致力于研究材料復合技術及其在各個領域的應用。材料復合是指將兩種或多種不同材料進行組合，形成具有優良性能和特性的復合材料。以下是該實驗室可能關注的一些研究重點：
1) 復合材料設計和制備：研究復合材料的組成、結構和性能之間的關系，通過設計和制備方法來優化復合材料的性能。包括選擇合適的材料組分、控制復合界面和相互作用等。
2) 復合材料加工技術：研究復合材料的加工工藝和工藝參數，包括復合材料的成型、成型工藝優化、復合材料的增強和增韌等技術。旨在改善復合材料的力學性能和工藝可行性。
3) 復合材料性能評估：對復合材料進行力學、熱學、電學和化學等方面的性能評估，包括強度、硬度、耐磨性、導熱性、電導率等。研究復合材料在不同環境和應力條件下的性能表現。
4) 復合材料應用研究：研究復合材料在各個領域的應用，如航空航天、汽車制造、電子設備、能源存儲等。通過探索復合材料在不同應用中的性能和可行性，推動復合材料的工程應用和產業發展。
常用的軟件工具在材料復合新技術的研究中可能包括：
1) 材料建模和設計軟件：如Materials Studio、COMSOL Multiphysics、Abaqus等，用于模擬和設計復合材料的結構和性能。
2) 工藝模擬和優化軟件：如ANSYS、SolidWorks等，用于模擬和優化復合材料的加工工藝和工藝參數。
3) 性能評估和分析軟件：如MATLAB、Origin等，用于對復合材料的力學、熱學、電學和化學性能進行評估和分析。
4) 多物理場仿真軟件：如COMSOL Multiphysics、ANSYS等，用于模擬復合材料的多種物理場耦合行為，如結構力學、熱傳導、電磁等。
展開 2萬字一文帶你看懂汽車智能座艙的存儲DDR市場、技術
3、DDR的技術趨勢發展簡單介紹
DDR是雙倍速率同步動態隨機存儲器，在SDRAM的基礎上發展而來，與SDRAM相比，它可以在一個時鐘讀寫兩次數據，使得數據傳輸速度加倍。主要應用在個人計算機、服務器上。
自2000年DDR1推出之后，20年內DDR系列已更新到第五代，主要發展方向為工作效率提升與工作電壓降低。
2018年至2020年，海力士、鎂光、三星先后宣布完成DDR5研發，相比于DDR4，DDR5具有更高的帶寬，更快的速率，更低的功耗。根據JEDEC協會，DDR5突發長度增加到BL16，存儲區計數增加至32，為DDR4的兩倍，最高速率可達4.8Gbps，是DDR4的150%，輸入緩沖和核心邏輯的供電電壓降低至1.1V。
DRAM的技術發展路徑是以微縮制程來提高存儲密度，制程工藝進入20nm之后，制造難度大幅提升，內存芯片廠商對于工藝的定義以具體線寬轉為為在制程范圍內提升二或者三代技術來提高存儲密度。譬如，1X/1Y/1Z是指10nm級別第一代、第二代、第三代技術，未來還有1α/1β/1γ。
目前市場上DRAM的應用較為廣泛的制程是2Xnm和1Xnm，三星、鎂光、海力士等巨頭廠商均已開發出1Znm制程的DRAM。國產DRAM廠商合肥長鑫已量產的DRAM為19nm制程，預計2021年可投產17nmDRAM，技術與國際先進的廠商還有比較大的差距。
2、汽車電子DDR的相關特點
1、車規級要求，10倍要求于消費級
但與消費級市場不同的是，由于供應鏈嚴格的標準把控及相對更長的供貨周期，車載存儲器本身在設計和生產上也面臨著更多的高階挑戰。“汽車的門檻在于它的規格和需求，經歷的時間非常長，由于很多車載端的應用關乎人生安全，因此門檻非常高。
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