氧化鋁陶瓷的案例
迄今最高：立體光刻3D打印強度超1GPa的氧化鋁陶瓷
奧地利萊奧本大學的研究人員展示了陶瓷立體光刻技術基于多材料方法制造具有空前高強度氧化鋁陶瓷的能力。使用不同材料逐層沉積，可以在表層中引入定制的壓縮殘余應力，目的是與陶瓷材料的整體性能相比，提高陶瓷材料的強度和可靠性。目前，Lithoz公司的CeraFab 7500打印機打印機已經可以通過兩缸系統添加材料，不僅可以復合打印兩種陶瓷材料，還可以實現陶瓷與金屬的復合。這為如何將增材制造的進步與多材料設計相結合，為制造復雜的3D打印陶瓷結構開辟了一條新途徑（多材料陶瓷3D打印機的運行原理可查看3D打印技術參考視頻號）。
首次在3D打印的氧化鋁陶瓷中測量到高達1GPa的特征強度
研究人員采用的材料是來自Lithoz公司的LithaLox MS548氧化鋁光固化懸浮液和LithaLox ZTA20氧化鋁和氧化鋯（80%氧化鋁和20%氧化鋯）光固化懸浮液，制備了多層氧化鋁(A)和氧化鋁-氧化鋯(ZTA)圓盤樣品用于材料表征測試，其結構為ZTA層嵌入在A層之間，形成A-ZTA-A的結構。多材料結構使用Lithoz公司新型的CeraFab Multi 2M30打印機制造，單材料結構采用CeraFab 7500打印機制造，兩臺打印機的橫向分辨率均為40μm，在打印過程中每層以180mJ/cm2曝光。所有樣品分別在1600°C的條件下以1°C/min的加熱速率燒結2小時。
展開 迄今最高：立體光刻3D打印強度超1GPa的氧化鋁陶瓷
奧地利萊奧本大學的研究人員展示了陶瓷立體光刻技術基于多材料方法制造具有空前高強度氧化鋁陶瓷的能力。使用不同材料逐層沉積，可以在表層中引入定制的壓縮殘余應力，目的是與陶瓷材料的整體性能相比，提高陶瓷材料的強度和可靠性。目前，Lithoz公司的CeraFab 7500打印機打印機已經可以通過兩缸系統添加材料，不僅可以復合打印兩種陶瓷材料，還可以實現陶瓷與金屬的復合。這為如何將增材制造的進步與多材料設計相結合，為制造復雜的3D打印陶瓷結構開辟了一條新途徑（多材料陶瓷3D打印機的運行原理可查看3D打印技術參考視頻號）。
首次在3D打印的氧化鋁陶瓷中測量到高達1GPa的特征強度
研究人員采用的材料是來自Lithoz公司的LithaLox MS548氧化鋁光固化懸浮液和LithaLox ZTA20氧化鋁和氧化鋯（80%氧化鋁和20%氧化鋯）光固化懸浮液，制備了多層氧化鋁(A)和氧化鋁-氧化鋯(ZTA)圓盤樣品用于材料表征測試，其結構為ZTA層嵌入在A層之間，形成A-ZTA-A的結構。多材料結構使用Lithoz公司新型的CeraFab Multi 2M30打印機制造，單材料結構采用CeraFab 7500打印機制造，兩臺打印機的橫向分辨率均為40μm，在打印過程中每層以180mJ/cm2曝光。所有樣品分別在1600°C的條件下以1°C/min的加熱速率燒結2小時。
展開 納米材料三氧化二鋁在氧化鋁陶瓷中的應用
【納米材料三氧化二鋁在陶瓷中的應用】
傳統的陶瓷材料中晶粒不易滑動，材料質脆，燒結溫度高。納米陶瓷的晶粒尺寸小，晶粒容易在其他晶粒上運動，因此，納米陶瓷材料具有極高的強度和高韌性以及良好的延展性，這些特性使納米陶瓷材料可在常溫或次高溫下進行冷加工。如果在次高溫下將納米陶瓷顆粒加工成形，然后做表面退火處理，就可以使納米材料成為一種表面保持常規陶瓷材料的硬度和化學穩定性，而內部仍具有納米材料的延展性的高性能陶瓷。
氧化鋁陶瓷（alumina ceramics ）是一種以α-Al2O3（VK-L30）為主晶相的陶瓷材料，由于α-Al2O3具有熔點高，硬度大，耐化學腐蝕，優良的介電性，是氧化鋁各種形態中最穩定的晶型，也是自然界中惟一存在的氧化鋁的晶型。
用α-Al2O3（VK-L30）為原料制備的氧化鋁陶瓷結構件材料，其機械性能、高溫性能、介電性能及耐化學腐蝕性能都是非常優異的。
【關于氧化鋁的添加量】
加入0.5~1%的納米三氧化二鋁(VK-L30)，可以使Al2O3瓷的燒結溫度降低150~200℃ ，大大節約能源，并且納米三氧化二鋁不屬于外來雜質，大大提高了產品質量。
【關于納米三氧化二鋁燒結陶瓷的性能】
(1)機械強度高。Al2O3瓷燒結產品的抗彎強度可達250MPa，熱壓產品可達500MPa。 Al2O3成分愈純，強度愈高。強度在高溫下可維持到900℃。利用其機械強度，可以制成裝置瓷和其他機械構件。添加納米氧化鋁燒結的陶瓷強度提高，不容易斷裂。
(2)電阻率高，電絕緣性能好。常溫電阻率1015Ω·cm，絕緣強度15kV/mm。利用其絕緣性和強度，可以制成基板、管座、火花塞、電路管殼等。
(3)硬度高。莫氏硬度為9，加上優良的抗磨損性，廣泛用以制造磨輪、磨料、拉絲模、擠壓模、軸承等。
(4)熔點高，抗腐蝕。
展開 國產氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊，提升新能源汽車五項重要性能
氧化鋁陶瓷基板和氮化鋁陶瓷基板普遍使用的DBC直接覆銅工藝，DBC直接覆銅是利用共晶鍵合法工藝制備而成，覆銅層與氧化鋁陶瓷基板和氮化鋁陶瓷基板之間沒有粘結材料，采用氧化鋁陶瓷基板或氮化鋁陶瓷基板的半導體電子器件在高溫服役過程中，往往會因為銅和氧化鋁陶瓷基板或氮化鋁陶瓷基板之間的熱膨脹系數不同而產生較大的熱應力，從而導致銅層從氧化鋁陶瓷基板或氮化鋁陶瓷基板表面剝離，因此傳統的采用DBC工藝的氧化鋁陶瓷基板或氮化鋁陶瓷基板已經難以滿足高溫、大功率、高散熱、高可靠性的SiC碳化硅汽車電子功率器件模塊封裝要求。
采用Si3N4-AMB工藝氮化硅陶瓷覆銅基板則是利用包括鈦Ti、鋯Zr、鉭Ta、鈮Nb、釩V、鉿Hf等活性金屬元素可以潤濕陶瓷表面的特性，將銅層通過活性金屬釬料釬焊在Si3N4氮化硅陶瓷基板上。通過活性金屬釬焊AMB工藝形成的銅與陶瓷界面粘結強度更高，且Si3N4氮化硅陶瓷基板相比Al2O3氧化鋁陶瓷基板和AlN氮化鋁陶瓷基板同時兼顧了優異的機械性能和良好的導熱性，因此采用Si3N4-AMB工藝氮化硅陶瓷覆銅基板各方面性能比較均衡，在高溫下的工作可靠性能更強，所以說氮化硅陶瓷覆銅基板是氧化鋁陶瓷基板和氮化鋁陶瓷基板升級迭代產品，是SiC汽車電子功率器件模塊封裝理想之選。
二、氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊，提升新能源汽車五項重要性能
碳化硅SiC作為寬禁帶半導體材料，相對于Si硅基器件具有禁帶寬度大、熱導率高、擊穿電場高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等諸多優勢特點，尤其是在高頻、高溫、高壓等工作場景中，有著易散熱、小體積、 高功率、低能耗等一眾明顯的優勢。
展開 
一文了解納米氧化鋯復合陶瓷粉體
氧化鋯增韌氧化鋁陶瓷的增韌機理是基體晶粒的細化、相變韌化、微裂紋增韌、裂紋的轉向與分叉。氧化鋯增韌氧化鋁陶瓷的性能主要由其在燒結過程中形成的顯微結構，而顯微結構又主要由原料的粉體狀態來決定，所以有目的地進行粉體制備和粉體性能調控、處理，以制備優質Al2O3/ZrO2納米復合陶瓷粉體是制備性能優異氧化鋯增韌氧化鋁陶瓷的前提。Al2O3/ZrO2納米復合陶瓷粉體制備方法主要有機械混合法、多相懸浮液混合法、溶膠-凝膠法、化學沉淀法等。
氧化鋯增韌氧化鋁復合陶瓷系統中，氧化鋁是一種高強度的基體，填隙的氧化鋯提供相變增韌機制，利用ZrO2的相變特性對陶瓷材料進行增韌仍是今后陶瓷增韌研究的主要課題之一。
氧化鋯增韌氧化鋁復合陶瓷具有優良的抗腐蝕性、抗熱振性、較高的強度和韌性，具有廣泛的應用前景。用氧化鋯增韌氧化鋁復合陶瓷可以制作陶瓷刀具用來實現對鑄鐵和合金的加工，還可以制成工程陶瓷的界面結構，以延長工程材料的使用壽命，用氧化鋯增韌氧化鋁可以制成耐磨瓷球，因為氧化鋁陶瓷材料具有良好的生物相容性，還可以作為生物醫用材料，用于硬組織(牙齒)的重建和修復。
3、氮化硼-氧化鋯復合粉體
氮化硼-氧化鋯復合粉體制備是利用機械混合法，以氮化硼、氧化鋯和添加助劑為主要原料，經混合配料后在酒精介質中球磨混料，干燥后制備得到復合粉體。其后裝模在熱壓燒結爐中燒成氮化硼氧化鋯復合陶瓷。由純氮化硼本身燒結能力差，難以燒結致密化，一般情況下需添加CaO、B2O3、Al2O3、ZnO等作為燒結助劑。
展開 大壁厚陶瓷光固化3D打印工藝，因泰萊激光實現新突破
△蜂窩板
△陶瓷型芯
△實心圓柱
因泰萊激光自2016年開始一直專注于陶瓷3D打印技術，針對光固化陶瓷3D打印中大壁厚陶瓷件普遍存在的脫脂燒結后開裂問題，這幾年因泰萊激光在研發上持續投入、組織技術攻關，對漿料配制、生坯打印成型、生坯的脫脂和燒結各過程進行有效控制，經過大量測試研究后，最終規避了大壁厚陶瓷件開裂風險，技術取得重大突破， 整個打印生產過程僅需一周的時間，便可得到合格的大壁厚陶瓷結構件，并已通過了多次試驗論證。
大壁厚氧化鋁陶瓷件3D打印工藝
以下是大壁厚氧化鋁陶瓷件3D打印工藝過程：
①3D打印成型：
△工藝人員操作打印中
△CeraBuilder 100Pro陶瓷3D打印機
△陶瓷3D打印過程
△打印完成升起
②脫脂燒結：
△放入燒結
③燒結后成品：
△脫脂燒結后氧化鋁陶瓷件
△脫脂燒結后的實心圓柱
展開 磨粒十字刻劃氧化鋁陶瓷損傷仿真云圖
通過ANSYS/LSDYNA軟件建立雙磨粒90°刻劃氧化鋁陶瓷表面，材料用JH-2本構，損傷失效選用最大拉伸失效，因此fs設為負值，金剛石磨粒為自然界最硬的物質，選用rigid本構。通過速度曲線加載方式定義磨粒的運動方式，模型建立完成后于LSDYNA Solver求解，最終結果用LSPP查看，得出的損失云圖如下圖所示。
當國產氮化硅陶瓷基板邂逅碳化硅功率模塊，中國新能源汽車開啟性能狂飆模式
但是氧化鋁基板導熱性差，驟冷驟熱循環次數僅僅200余次，無法滿足日益發展的新能源電動汽車等第3代大功率半導體的應用發展需求。
氮化鋁陶瓷基板優劣勢。氮化鋁基板導熱率較高，具有優良的絕緣性，DBC和AMB兩種工藝均有采用，氮化鋁基板的導熱性能好，且與第3代大功率半導體材料有很好的匹配性，但是氮化鋁基板機械性能和抗熱震性能差，不僅影響半導體器件可靠性，而且氮化鋁基板屬于高強度的硬脆材料，在復雜服役環境下，容易損壞，使用成本較高。
▲氮化硅陶瓷基板、氧化鋁陶瓷基板、氮化鋁陶瓷基板三種材料性能對比
氮化硅陶瓷基板優劣勢。氮化硅基板綜合性能優異可靠，主要采用活性金屬釬焊覆銅AMB工藝，氮化硅基板在高導熱性、高機械強度、低膨脹系數、抗氧化性能、熱腐蝕性能、低介電損耗、低摩擦系數等方面具有優異的性能。它的理論熱導率高達400W/（m.k），熱膨脹系數約為3.0x10-6℃，與Si、SiC、GaAs等材料都有良好的匹配性，氮化硅基板的高強度和高導熱性能完全滿足高溫、大功率、高散熱、高可靠性的第3代大功率半導體電子器件基板材料封裝要求。
氧化鋁基板和氮化鋁基板普遍使用的DBC直接覆銅工藝，DBC直接覆銅是利用共晶鍵合法工藝制備而成，覆銅層與氧化鋁基板和氮化鋁基板之間沒有粘結材料，采用氧化鋁陶瓷基板或氮化鋁陶瓷基板的半導體電子器件在高溫工作過程中，通常會因為銅和氧化鋁陶瓷基板或氮化鋁陶瓷基板之間的熱膨脹系數不同而產生較大的熱應力，從而導致覆銅層從氧化鋁陶瓷基板或氮化鋁陶瓷基板表面剝離，因此，采用傳統的DBC工藝的氧化鋁陶瓷基板或氮化鋁陶瓷基板已經難以滿足大功率、高溫、高散熱、高可靠性的SiC碳化硅汽車電子功率器件模塊等第3代大功率半導體材料封裝要求。
展開 陶瓷電路基板材料的性能研究
相對密度分析
上圖是添加不同量微米Al2O3 和納米CaZrO3粉后對氧化鋁陶瓷集成電路基板材料相對密度的影響。由圖可知隨著溫度的升高，其基板材料的相對密度隨著升高，溫度達到1100 ℃達到最大值。當微米Al2O3 的添加量為60 wt%，納米ZrO2 的添加量為10 wt% 時，氧化鋁陶瓷集成電路基板材料的相對密度相對其它配方最大，此時樣品較致密，有利于氧化鋁陶瓷集成電路基板材料力學性能的提高
介電常數分析
上圖是基板材料的介電常數隨燒結溫度變化曲線。可看出隨著溫度升高，其介電常數隨之升高。當溫度達到1100 ℃時，介電常數達到最大值。當微米Al2O3 添加量從50 wt% 變化至65 wt%，納米CaZrO3 添加量從20 wt% 變化至5 wt% 時，氧化鋁集成電路基板材料的介電常數呈先增加后減少的趨勢。當微米Al2O3 含量為60 wt%，納米CaZrO3 含量為10 wt% 的時候，所制備的樣品性能最佳。這是因為影響介電常數的因素是多方面的，只要涉及配方組成中化學組成，當堿金屬離子氧化物的含量越多，其介電常數越大。另外，溫度升高過程中各離子和偶極子的熱運動會隨著加強，最終導致介電常數增加。
介質損耗分析
上圖是基板材料的介質損耗隨燒結溫度變化曲線。可得到隨著溫度的升高，介質損耗逐漸下降。當微米Al2O3 在50 wt% 至65 wt% 之間變化，納米CaZrO3在20 wt% 至5 wt% 之間變化時，介質損耗先減少后增加，當微米Al2O3 添加量為60 wt%，納米CaZrO3 添加量為10 wt%，且當燒結溫度為1100 ℃時，燒結后樣品的介質損耗值最小。
展開 佳能也開始做陶瓷3D打印機了，高分辨率氧化鋁基陶瓷材料
△3DCeram陶瓷3D打印在醫療上的應用案例
△3DCeram陶瓷漿料
3DCeram位于法國利摩日，自2001年成立起就開始研究光固化（SLA）3D打印陶瓷技術，經過10多年的發展，如今已成為了不折不扣的陶瓷3D打印專家，不但研制出了打印幅面300毫米 x 300毫米的大型SLA陶瓷3D打印機CERAMAKER，而且開發出了多種打印材料，包括氧化鋁(Al2O3)、氧化鋯(ZrO2)、羥基磷灰石(HAP)以及磷酸三鈣(TCP)等（均屬于3DMIX系列），還開設了FCP服務，提供快速響應的打印服務，并且順利通過了ISO9001和ISO13485質量體系認證。
△3DCeram的大尺寸高光潔度工業陶瓷打印零部件
浙江迅實科技
南極熊看到了浙江迅實科技推出的陶瓷光固化3D打印機Cera RAY。CeraRay的核心部件是自主研發的新型RayTwo DLP光源，可以穩定、準確的將光波照射到指定點上，由此固化出來的產品尺寸精確，且極高的功率有效地提高了固化速度。據悉，CeraRay打印層厚可以控制在10-50微米，成型精度達到±0.05mm，打印速度達到15-30s/層。此外，迅實科技在CeraRay的斜拔式分離系統中引入了THK高精度直接模組，使得設備更加穩定、可靠。
除了在精度和速度方面的優勢，CeraRay的材料兼容性也非常好，設備可以打印氧化物陶瓷、非氧化物陶瓷、復合陶瓷金屬等多種材料。升級過的刮刀結構分層系統還有效解決了材料粘連問題，提高了材料的利用率。
△CeraRay 3D打印的陶瓷樣件
展開 一文看陶瓷基板的現狀與發展分析【干貨分享】
AlN陶瓷具有高的導熱性能，適用于大功率半導體基片，在散熱過程中自然冷卻即可達到目的，同時還具有很好的機械強度、優良的電氣性能。雖然目前國內制造技術還需改進，價格也比較昂貴，但其年產增率比Al2O3陶瓷高4倍以上，以后可以取代BeO和一些非氧化物陶瓷。所以采用AlN陶瓷做絕緣導熱基板已是大勢所趨，只不過是存在時間與性價比的問題。
（2）直接敷鋁(DAB)陶瓷基板與直接敷銅陶瓷基板(DBC)性能比較
直接敷鋁基板作為一種絕緣載體應用于電子電路而取得長足進展，該技術借鑑了直接敷銅陶瓷基板技術。這類新型的直接敷Al基板在理論和實驗上表現出好的特性。盡管它的特性在很多方面相似于直接敷Cu基板。對于直接敷Cu基板，由于金屬銅的膨脹系數室溫時為17.0 ′10-6/°C，96氧化鋁陶瓷基板的熱膨脹系數室溫時為6.0′10-6/°C，銅和氧化鋁敷接的溫度較高（大于1000℃），界面會形成比較硬的產物CuAlO2，所以敷接銅的氧化鋁基板的內應力較大，抗熱震動性能相對較差，在使用中常常因疲勞而損壞。
鋁和銅相比，具有較低的熔點，低廉的價格和良好的塑性，純鋁的熔點只有660℃，純鋁的膨脹系數在室溫時為23.0′ 10-6/℃，金屬鋁和氧化鋁陶瓷基板的敷接是物理濕潤，在界面上沒有化學反應，而且純鋁所具有的優良的塑性能夠有效緩解界面因熱膨脹系數不同引起的熱應力，研究也證實Al/Al2O3陶瓷基板具有非常優良的抗熱震性能。這是直接敷Cu基板無法比擬的，同時金屬鋁和氧化鋁陶瓷之間的抗剝離強度也較大。
直接敷鋁基板作為基板特別適合于功率電子電路直接敷鋁基板性能不同于直接敷銅基板的性能，前者在高溫循環下有更好的穩定性能。直接敷鋁基板的芯片也表現出更好的穩定性，勝過直接敷銅基板。直接敷鋁基板以它的高的抗熱震性、低的重量，有望在將來開發出更好的性能，以滿足更高的需求。
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【見多識廣】陶瓷材料的十大成型工藝，一起來看看啊！
大家最熟悉的陶瓷火花塞目前就是用干袋式等靜壓成型，壓制時間通常只有1~2s。
等靜壓成型的優點：
（1）壓力從各個方向傳遞，壓坯密度分布均勻，壓坯強度高；
（2）素坯密度高，均勻缺陷少，燒成收縮比一般干壓低；
（3）能壓制具有凹形、細長件以及其他復雜形狀的零件；
（4）摩擦損耗小，成型壓力較低；
（5）模具成本低廉。
等靜壓成型的缺點： 壓坯尺寸和形狀不易精確控制，生產率較低，不易實現自動化；
應用：
（1）大型薄壁、高精度、高性能的氧化鋁陶瓷天線罩及大型壁厚、形狀復雜、帶傘棱的97%氧化鋁陶瓷高頻端子絕緣瓷套采用濕式等靜壓技術。
（2）95%氧化鋁陶瓷真空開關滅弧室“管殼”系列產品、氧化鋁和氧化鋯陶瓷柱塞，以及石油鉆探用大尺寸氧化鋯陶瓷缸套等采用等靜壓技術。
（3）高壓鈉燈用透明氧化鋁陶瓷管、氧化鋁火花塞普遍使用干袋式等靜壓技術。
展開 十大結構陶瓷成型工藝最全總結
等靜壓成型的缺點： 壓坯尺寸和形狀不易精確控制，生產率較低，不易實現自動化；
應用：
（1）大型薄壁、高精度、高性能的氧化鋁陶瓷天線罩及大型壁厚、形狀復雜、帶傘棱的97%氧化鋁陶瓷高頻端子絕緣瓷套采用濕式等靜壓技術。
（2）95%氧化鋁陶瓷真空開關滅弧室“管殼”系列產品、氧化鋁和氧化鋯陶瓷柱塞，以及石油鉆探用大尺寸氧化鋯陶瓷缸套等采用等靜壓技術。
（3）高壓鈉燈用透明氧化鋁陶瓷管、氧化鋁火花塞普遍使用干袋式等靜壓技術。
五
注漿成型
注漿成型是一種非常簡便且靈活性很強的成型技術，它的基本原理是將具有較高故相含量和良好流動性的料漿注入多孔模具（通常用石膏磨具），因為模具多孔性所具有的的毛細管吸力，模具內壁從漿料中吸取水分從而沿模壁形成固化的坯體，待坯體形成一定的強度即可脫模。
基本工藝流程為：粉末→漿料→注漿→脫模→干燥→型坯
漿料成型的主要工藝方法：空心注漿、實心注漿、壓力注漿、真空輔助注漿、離心注漿。
優點：
（1）采用廉價的石膏模具，設備簡單、成本低，適合于復雜形狀的陶瓷零部件及大尺寸陶瓷制品的制造；
（2）成型工藝控制方便、產品致密度高。
展開 淺談納米氮化硅在陶瓷中的應用
一代陶瓷刀具為氧化鋁陶瓷刀具，于1950年開始在生產上進行應用，1968年二代的復合氧化鋁陶瓷刀具在強度和韌性上較第一代性能更加優異；20世紀70年代末80年代初國際上第三代陶瓷刀具——氮化硅陶瓷刀具才出現。這類刀具又比第二代復合氧化鋁刀具更高的韌性、抗沖擊性、高溫強度和抗熱震性。氮化硅刀具主要適用于鑄鐵、高溫合金的粗加工、高速切削和重切削，其優異的化學穩定性和耐磨性可在高速條件下長時間進行切削加工運作，比普通硬質合金刀具運行效率平均提高三倍以上。
4.鋁冶金氮化硅（VK-SiN01）陶瓷部件
氮化硅陶瓷具有的抗鋁液腐蝕的特性讓其在鑄鋁連軋生產線和煉鋁、熔鋁作業中，可用來制作測溫熱電偶管套、煉鋁爐爐襯、鋁液包子內襯、坩堝、鑄鋁模具、鋁電解槽等用具。例如氮化硅陶瓷制成的熱電偶管套用于鋁液測溫這一技術已經開始在我國普及，這種管套相較于常用的不銹鋼、剛玉陶瓷管套在使用性能上更加優異，畢竟不銹鋼容易被鋁液腐蝕，連續使用20h后就會被損壞，剛玉更是經不起熱沖擊。而在鋁液中性能長期穩定、間歇測溫1200次以上都不開裂的氮化硅陶瓷管套在加工過程中可謂是一大利器。
總而言之，氮化硅陶瓷是工業技術特別是尖端技術中不可缺少的關鍵材料。目前國內加工水平總體水平不高，因此氮化硅陶瓷有很大的發展空間。
展開 ANSYS/LSDYNA中的JH-2本構模型參數含義及陶瓷材料的具體參數值
眾所周知，在ANSYS/LSDYNA中JH-2模型適用于模擬大變形材料的力學行為的，用于陶瓷、玻璃、藍寶石等硬脆材料的力學模擬中，JH-2本構模型具有三類參數，分別對應著LSDYNA材料卡片中的三類指標，本構參數眾多，那么對于了解其真實含義至關重要，對此，筆者在查閱文獻基礎下總結了各個參數的準確含義并對其背后的數學公式的前后推導順序做出了總結，如圖1所示。
圖1
文獻中給出了比較權威的關于氧化鋁陶瓷的jh-2本構全部參數，可以對大家對于硬脆陶瓷材料的參數選擇調試提供很大的參考意義，三類陶瓷材料的本構參數如圖2所示。
圖2
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