晶體管級(jí)的案例
賦能邊緣AI創(chuàng)新：新思科技聯(lián)手Innatera，以領(lǐng)先仿真技術(shù)助力類(lèi)腦芯片開(kāi)發(fā)
<ul><li>新思科技助力 Innatera 設(shè)計(jì)芯片，實(shí)現(xiàn)邊緣端的實(shí)時(shí)、高能效 AI 處理，加速推動(dòng)物理人工智能領(lǐng)域下一代應(yīng)用的開(kāi)發(fā)</li><li>新思科技 PathFinder-SC? 簽核解決方案以更高精度提供更準(zhǔn)確的版圖級(jí)結(jié)果，專(zhuān)業(yè)管理設(shè)計(jì)需求，并支持早期階段分析</li><li>新思科技 Totem? 電源完整性平臺(tái)支持晶體管級(jí)分析，為超低功耗 AI 處理器提供可靠的電力傳輸與性能優(yōu)化</li></ul><p><br></p><p>面向傳感器邊緣超低功耗智能應(yīng)用的類(lèi)腦神經(jīng)形態(tài)計(jì)算領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)者 Innatera 公司宣布，選擇新思科技公司（NASDAQ股票代碼: SNPS）為其下一代神經(jīng)形態(tài)微控制器提供設(shè)計(jì)與驗(yàn)證支持。新思科技可靠的靜電放電（ESD）與電源完整性分析解決方案，將幫助 Innatera 擴(kuò)大其運(yùn)營(yíng)規(guī)模，以滿足工業(yè)傳感器、機(jī)器人、可穿戴設(shè)備和智能家居等領(lǐng)域?qū)吘壧幚砜焖僭鲩L(zhǎng)的需求。</p><p>神經(jīng)形態(tài)微控制器通過(guò)模擬生物神經(jīng)元通信方式的脈沖神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（SNNs）來(lái)處理信息，在傳感器邊緣實(shí)現(xiàn)類(lèi)腦智能。這種事件驅(qū)動(dòng)的方法能夠在傳感器密集、對(duì)響應(yīng)速度和能效要求極高的環(huán)境中實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)、超低功耗運(yùn)行。Innatera 的架構(gòu)結(jié)合了混合信號(hào)模擬計(jì)算、密集互連以及低電壓設(shè)計(jì)——這些都是實(shí)現(xiàn)高能效的關(guān)鍵因素，但也可能成為電噪聲和 ESD（靜電放電）敏感性的潛在來(lái)源。為解決這些挑戰(zhàn)，并確保在復(fù)雜神經(jīng)形態(tài)電路中實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健性能，Innatera 利用 PathFinder-SC 和 Totem 來(lái)驗(yàn)證電源完整性、管理噪聲耦合、并在不犧牲速度或效率的前提下維持可靠性。</p><p>PathFinder-SC 可在大規(guī)模芯片上模擬 ESD 事件，在最終設(shè)計(jì)進(jìn)入制造階段前識(shí)別潛在弱點(diǎn)與根本原因，確保芯片在面對(duì)實(shí)際靜電沖擊時(shí)能發(fā)揮最佳功能。
展開(kāi) Ansys多物理場(chǎng)解決方案榮獲三星3nm和4nm工藝技術(shù)認(rèn)證
Redhawk-SC通過(guò)利用其底層Ansys? SeaScape?基礎(chǔ)架構(gòu)的彈性計(jì)算、大數(shù)據(jù)分析和高容量來(lái)分析龐大復(fù)雜的3nm電源網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)，同樣，Totem也通過(guò)了晶體管級(jí)定制設(shè)計(jì)的認(rèn)證。此外，Redhawk-SC和Totem的預(yù)測(cè)準(zhǔn)確性也已通過(guò)三星Foundry廣泛測(cè)試的認(rèn)證。
Ansys Redhawk-SC分析結(jié)果展示了汽車(chē)芯片上數(shù)千個(gè)實(shí)例的電壓下降的嚴(yán)重程度。過(guò)度的電壓下降會(huì)導(dǎo)致性能下降，甚至是芯片故障
三星電子晶圓代工設(shè)計(jì)技術(shù)團(tuán)隊(duì)副總裁Sangyun Kim表示：“三星Foundry與Ansys建立了長(zhǎng)期的合作關(guān)系，并通過(guò)許多技術(shù)節(jié)點(diǎn)向前推進(jìn)。我們將繼續(xù)擴(kuò)大與Ansys的合作領(lǐng)域，以解決客戶(hù)在數(shù)字、全定制、混合信號(hào)和3D-IC設(shè)計(jì)的功耗和性能方面所面臨的新挑戰(zhàn)。”
Ansys副總裁兼電子與半導(dǎo)體事業(yè)部總經(jīng)理John Lee指出：“Ansys與三星專(zhuān)注于提供技術(shù)支持解決方案，滿足客戶(hù)在芯片技術(shù)方面的前沿需求。本次與三星Foundry的合作將提高我們Ansys多物理場(chǎng)仿真平臺(tái)的簽核精度，Ansys也將繼續(xù)致力于為我們的共同客戶(hù)提供最佳用戶(hù)體驗(yàn)。”
展開(kāi) Ansys多物理場(chǎng)解決方案榮獲三星3nm和4nm工藝技術(shù)認(rèn)證
Redhawk-SC通過(guò)利用其底層Ansys? SeaScape?基礎(chǔ)架構(gòu)的彈性計(jì)算、大數(shù)據(jù)分析和高容量來(lái)分析龐大復(fù)雜的3nm電源網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)，同樣，Totem也通過(guò)了晶體管級(jí)定制設(shè)計(jì)的認(rèn)證。此外，Redhawk-SC和Totem的預(yù)測(cè)準(zhǔn)確性也已通過(guò)三星Foundry廣泛測(cè)試的認(rèn)證。
Ansys Redhawk-SC分析結(jié)果展示了汽車(chē)芯片上數(shù)千個(gè)實(shí)例的電壓下降的嚴(yán)重程度。過(guò)度的電壓下降會(huì)導(dǎo)致性能下降，甚至是芯片故障
三星電子晶圓代工設(shè)計(jì)技術(shù)團(tuán)隊(duì)副總裁Sangyun Kim表示：“三星Foundry與Ansys建立了長(zhǎng)期的合作關(guān)系，并通過(guò)許多技術(shù)節(jié)點(diǎn)向前推進(jìn)。我們將繼續(xù)擴(kuò)大與Ansys的合作領(lǐng)域，以解決客戶(hù)在數(shù)字、全定制、混合信號(hào)和3D-IC設(shè)計(jì)的功耗和性能方面所面臨的新挑戰(zhàn)。”
Ansys副總裁兼電子與半導(dǎo)體事業(yè)部總經(jīng)理John Lee指出：“Ansys與三星專(zhuān)注于提供技術(shù)支持解決方案，滿足客戶(hù)在芯片技術(shù)方面的前沿需求。本次與三星Foundry的合作將提高我們Ansys多物理場(chǎng)仿真平臺(tái)的簽核精度，Ansys也將繼續(xù)致力于為我們的共同客戶(hù)提供最佳用戶(hù)體驗(yàn)。”
展開(kāi) Ansys多物理場(chǎng)解決方案榮獲臺(tái)積電N3和N4工藝技術(shù)認(rèn)證
同樣，Totem也通過(guò)了晶體管級(jí)定制設(shè)計(jì)的認(rèn)證，此外，Redhawk-SC和Totem的預(yù)測(cè)準(zhǔn)確性也已通過(guò)臺(tái)積電的認(rèn)證。
在臺(tái)積電公司一座12英寸晶圓加工廠的工人（圖片來(lái)源：TSMC）
臺(tái)積電設(shè)計(jì)基礎(chǔ)架構(gòu)管理事業(yè)部副總裁Suk Lee表示：“Ansys作為我們長(zhǎng)期的生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴，一直不斷努力幫助雙方客戶(hù)從臺(tái)積電行業(yè)領(lǐng)先的工藝技術(shù)中獲得最大效益。我們期待與Ansys繼續(xù)合作，解決客戶(hù)在功耗與性能方面的關(guān)鍵難題，實(shí)現(xiàn)面向5G、AI、HPC、網(wǎng)絡(luò)和汽車(chē)應(yīng)用的新一代芯片設(shè)計(jì)。”
Ansys副總裁兼總經(jīng)理John Lee指出：“為最大限度滿足客戶(hù)的需求，我們應(yīng)與臺(tái)積電在領(lǐng)先的芯片技術(shù)領(lǐng)域開(kāi)展密切協(xié)作，以實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)解決方案。本次與臺(tái)積電的合作將提高我們Ansys多物理場(chǎng)仿真平臺(tái)的簽核精度，Ansys也將繼續(xù)致力于為我們的共同客戶(hù)提供最佳用戶(hù)體驗(yàn)。”
展開(kāi) 
臺(tái)積電進(jìn)一步深化與Ansys的合作，為新一代應(yīng)用提供高級(jí)電源完整性和電遷移簽核工具
主要亮點(diǎn)
Ansys RedHawk-SC通過(guò)臺(tái)積電3nm高級(jí)工藝技術(shù)認(rèn)證
Ansys綜合全面的電源、熱和可靠性分析解決方案能幫助雙方客戶(hù)滿足在人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)（AI/ML）、5G、高性能計(jì)算（HPC）、網(wǎng)絡(luò)和自動(dòng)駕駛汽車(chē)應(yīng)用等領(lǐng)域創(chuàng)新的關(guān)鍵需求
Ansys憑借其先進(jìn)的多物理場(chǎng)簽核解決方案成功通過(guò)臺(tái)積電最高級(jí)的3nm工藝技術(shù)認(rèn)證。這有助于滿足雙方客戶(hù)在全球最大規(guī)模人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)（AI/ML）、5G、HPC、網(wǎng)絡(luò)和自動(dòng)駕駛汽車(chē)芯片應(yīng)用時(shí)對(duì)關(guān)鍵電源、熱和可靠性的要求。
實(shí)現(xiàn)3nm工藝技術(shù)的電源完整性和電遷移（EM）可靠性仍然是一項(xiàng)極具挑戰(zhàn)性的簽核難題。傳統(tǒng)的離散EM和壓降方法已經(jīng)無(wú)法滿足3nm工藝的簽核要求，因?yàn)?nm工藝集成了數(shù)十億個(gè)晶體管，且在單個(gè)晶圓裸片上提供強(qiáng)大的功率和性能，這要求3nm工藝技術(shù)需要一個(gè)綜合全面的電源完整性、熱完整性和可靠性分析平臺(tái)，如Ansys提供的Ansys RedHawk-SC和Ansys? Totem?。
臺(tái)積電N3工藝對(duì)RedHawk-SC的認(rèn)證包括電網(wǎng)提取、電源完整性和可靠性、信號(hào)EM、自加熱的熱可靠性分析、熱感知EM和統(tǒng)計(jì)EM預(yù)算。Redhawk-SC通過(guò)利用其底層Ansys? SeaScape? 基礎(chǔ)架構(gòu)的彈性計(jì)算、大數(shù)據(jù)分析和高容量來(lái)分析龐大的3nm網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)。同樣，Totem也通過(guò)了晶體管級(jí)定制設(shè)計(jì)的認(rèn)證。
臺(tái)積電設(shè)計(jì)基礎(chǔ)架構(gòu)管理事業(yè)部高級(jí)總監(jiān)Suk Lee表示：“我們對(duì)近期與Ansys合作的結(jié)果感到非常滿意。Ansys為臺(tái)積電最高級(jí)的3nm工藝技術(shù)提供了多物理場(chǎng)設(shè)計(jì)解決方案，這幫助我們雙方客戶(hù)應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)難題和技術(shù)挑戰(zhàn)。
展開(kāi) Ansys多物理場(chǎng)解決方案榮獲臺(tái)積電N3和N4工藝技術(shù)認(rèn)證
同樣，Totem也通過(guò)了晶體管級(jí)定制設(shè)計(jì)的認(rèn)證，此外，Redhawk-SC和Totem的預(yù)測(cè)準(zhǔn)確性也已通過(guò)臺(tái)積電的認(rèn)證。
在臺(tái)積電公司一座12英寸晶圓加工廠的工人（圖片來(lái)源：TSMC）
臺(tái)積電設(shè)計(jì)基礎(chǔ)架構(gòu)管理事業(yè)部副總裁Suk Lee表示：“Ansys作為我們長(zhǎng)期的生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴，一直不斷努力幫助雙方客戶(hù)從臺(tái)積電行業(yè)領(lǐng)先的工藝技術(shù)中獲得最大效益。我們期待與Ansys繼續(xù)合作，解決客戶(hù)在功耗與性能方面的關(guān)鍵難題，實(shí)現(xiàn)面向5G、AI、HPC、網(wǎng)絡(luò)和汽車(chē)應(yīng)用的新一代芯片設(shè)計(jì)。”
Ansys副總裁兼總經(jīng)理John Lee指出：“為最大限度滿足客戶(hù)的需求，我們應(yīng)與臺(tái)積電在領(lǐng)先的芯片技術(shù)領(lǐng)域開(kāi)展密切協(xié)作，以實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)解決方案。本次與臺(tái)積電的合作將提高我們Ansys多物理場(chǎng)仿真平臺(tái)的簽核精度，Ansys也將繼續(xù)致力于為我們的共同客戶(hù)提供最佳用戶(hù)體驗(yàn)。”
展開(kāi) 仿真案例｜SIwave瞬態(tài)分析的CPM模型
結(jié)合芯片級(jí)無(wú)源寄生參數(shù)和有源電流信息，借助封裝/PCB級(jí)電磁提取技術(shù)，用戶(hù)可以更準(zhǔn)確地識(shí)別更真實(shí)的PDN時(shí)域噪聲。這也有利于更精確的信號(hào)完整性（SI）和電磁干擾（EMI）分析。芯片功耗模型（CPM）是一種SPICE網(wǎng)表格式，包括芯片C4bump的PDN寄生和晶體管級(jí)電流源，這些電流源為每個(gè)bump重新生成電流，這對(duì)于封裝和PCB的PDN時(shí)域分析至關(guān)重要。
ANSYS SIwave提供了一個(gè)可以導(dǎo)入CPM模型的設(shè)計(jì)流程，并與ANSYS電路仿真器進(jìn)行聯(lián)合仿真，用于進(jìn)行PDN瞬態(tài)噪聲分析。
為PDN瞬態(tài)噪聲配置的CPM模型
PDN結(jié)構(gòu)涉及3個(gè)主要組成部分：電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)、封裝和PCB以及芯片負(fù)載。VRM將被建模為理想的電壓源；分配端口后，將由SIwave電磁場(chǎng)求解器提取封裝和PCB；在CPM模型中描述芯片負(fù)載行為。所有這三個(gè)部分都將在ANSYS Electronics Desktop中使用電路仿真器進(jìn)行級(jí)聯(lián)，以執(zhí)行瞬態(tài)分析。
SIwave使用CPM的pin分組信息自動(dòng)定義PDN芯片連接側(cè)的端口。這些端口將與電路中CPM模型的節(jié)點(diǎn)相匹配。用戶(hù)需要在SIwave中手動(dòng)定義VRM側(cè)的pin分組和端口。
請(qǐng)注意，CPM模型中已經(jīng)包含芯片焊盤(pán)參數(shù)，用戶(hù)不應(yīng)再在SIwave封裝/PCB提取中包含此信息。為此，將使用一個(gè)PLOC文件來(lái)定義僅在SIWave中的pin分組和端口。如果沒(méi)有PLOC，但CPM模型可用，則使用以下步驟實(shí)現(xiàn)目標(biāo)：
1、導(dǎo)入CPM模型，勾選“Create ports at all CMP-package interface nodes”選項(xiàng)創(chuàng)建端口。該模型可用于直流和交流掃頻分析。
2、在Component（組件）側(cè)欄中找到“CPMS and PLOCS”區(qū)域，然后選擇導(dǎo)入的CPM模型。
展開(kāi) Ansys多物理場(chǎng)解決方案榮獲臺(tái)積電N3和N4工藝技術(shù)認(rèn)證
同樣，Totem也通過(guò)了晶體管級(jí)定制設(shè)計(jì)的認(rèn)證，此外，Redhawk-SC和Totem的預(yù)測(cè)準(zhǔn)確性也已通過(guò)臺(tái)積電的認(rèn)證。
在臺(tái)積電公司一座12英寸晶圓加工廠的工人（圖片來(lái)源：TSMC）
臺(tái)積電設(shè)計(jì)基礎(chǔ)架構(gòu)管理事業(yè)部副總裁Suk Lee表示：“Ansys作為我們長(zhǎng)期的生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴，一直不斷努力幫助雙方客戶(hù)從臺(tái)積電行業(yè)領(lǐng)先的工藝技術(shù)中獲得最大效益。我們期待與Ansys繼續(xù)合作，解決客戶(hù)在功耗與性能方面的關(guān)鍵難題，實(shí)現(xiàn)面向5G、AI、HPC、網(wǎng)絡(luò)和汽車(chē)應(yīng)用的新一代芯片設(shè)計(jì)。”
Ansys副總裁兼總經(jīng)理John Lee指出：“為最大限度滿足客戶(hù)的需求，我們應(yīng)與臺(tái)積電在領(lǐng)先的芯片技術(shù)領(lǐng)域開(kāi)展密切協(xié)作，以實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)解決方案。本次與臺(tái)積電的合作將提高我們Ansys多物理場(chǎng)仿真平臺(tái)的簽核精度，Ansys也將繼續(xù)致力于為我們的共同客戶(hù)提供最佳用戶(hù)體驗(yàn)。”
展開(kāi) Ansys多物理場(chǎng)解決方案通過(guò)臺(tái)積電3nm工藝技術(shù)認(rèn)證
臺(tái)積電進(jìn)一步深化與Ansys的合作，為新一代應(yīng)用提供高級(jí)電源完整性和電遷移簽核工具
主要亮點(diǎn)
Ansys RedHawk-SC通過(guò)臺(tái)積電3nm高級(jí)工藝技術(shù)認(rèn)證
Ansys綜合全面的電源、熱和可靠性分析解決方案能幫助雙方客戶(hù)滿足在人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)（AI/ML）、5G、高性能計(jì)算（HPC）、網(wǎng)絡(luò)和自動(dòng)駕駛汽車(chē)應(yīng)用等領(lǐng)域創(chuàng)新的關(guān)鍵需求
Ansys憑借其先進(jìn)的多物理場(chǎng)簽核解決方案成功通過(guò)臺(tái)積電最高級(jí)的3nm工藝技術(shù)認(rèn)證。這有助于滿足雙方客戶(hù)在全球最大規(guī)模人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)（AI/ML）、5G、HPC、網(wǎng)絡(luò)和自動(dòng)駕駛汽車(chē)芯片應(yīng)用時(shí)對(duì)關(guān)鍵電源、熱和可靠性的要求。
實(shí)現(xiàn)3nm工藝技術(shù)的電源完整性和電遷移（EM）可靠性仍然是一項(xiàng)極具挑戰(zhàn)性的簽核難題。傳統(tǒng)的離散EM和壓降方法已經(jīng)無(wú)法滿足3nm工藝的簽核要求，因?yàn)?nm工藝集成了數(shù)十億個(gè)晶體管，且在單個(gè)晶圓裸片上提供強(qiáng)大的功率和性能，這要求3nm工藝技術(shù)需要一個(gè)綜合全面的電源完整性、熱完整性和可靠性分析平臺(tái)，如Ansys提供的Ansys RedHawk-SC和Ansys? Totem?。
臺(tái)積電N3工藝對(duì)RedHawk-SC的認(rèn)證包括電網(wǎng)提取、電源完整性和可靠性、信號(hào)EM、自加熱的熱可靠性分析、熱感知EM和統(tǒng)計(jì)EM預(yù)算。Redhawk-SC通過(guò)利用其底層Ansys? SeaScape? 基礎(chǔ)架構(gòu)的彈性計(jì)算、大數(shù)據(jù)分析和高容量來(lái)分析龐大的3nm網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)。同樣，Totem也通過(guò)了晶體管級(jí)定制設(shè)計(jì)的認(rèn)證。
臺(tái)積電設(shè)計(jì)基礎(chǔ)架構(gòu)管理事業(yè)部高級(jí)總監(jiān)Suk Lee表示：“我們對(duì)近期與Ansys合作的結(jié)果感到非常滿意。
展開(kāi) Ansys多物理場(chǎng)解決方案榮獲臺(tái)積電N3和N4工藝技術(shù)認(rèn)證
同樣，Totem也通過(guò)了晶體管級(jí)定制設(shè)計(jì)的認(rèn)證，此外，Redhawk-SC和Totem的預(yù)測(cè)準(zhǔn)確性也已通過(guò)臺(tái)積電的認(rèn)證。
在臺(tái)積電公司一座12英寸晶圓加工廠的工人（圖片來(lái)源：TSMC）
臺(tái)積電設(shè)計(jì)基礎(chǔ)架構(gòu)管理事業(yè)部副總裁Suk Lee表示：“Ansys作為我們長(zhǎng)期的生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴，一直不斷努力幫助雙方客戶(hù)從臺(tái)積電行業(yè)領(lǐng)先的工藝技術(shù)中獲得最大效益。我們期待與Ansys繼續(xù)合作，解決客戶(hù)在功耗與性能方面的關(guān)鍵難題，實(shí)現(xiàn)面向5G、AI、HPC、網(wǎng)絡(luò)和汽車(chē)應(yīng)用的新一代芯片設(shè)計(jì)。”
Ansys副總裁兼總經(jīng)理John Lee指出：“為最大限度滿足客戶(hù)的需求，我們應(yīng)與臺(tái)積電在領(lǐng)先的芯片技術(shù)領(lǐng)域開(kāi)展密切協(xié)作，以實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)解決方案。本次與臺(tái)積電的合作將提高我們Ansys多物理場(chǎng)仿真平臺(tái)的簽核精度，Ansys也將繼續(xù)致力于為我們的共同客戶(hù)提供最佳用戶(hù)體驗(yàn)。”
展開(kāi) Ansys多物理場(chǎng)解決方案通過(guò)三星Foundry全系列FinFET工藝技術(shù)認(rèn)證
Ansys? Totem?也相應(yīng)通過(guò)了晶體管級(jí)定制設(shè)計(jì)的認(rèn)證。
三星Foundry生態(tài)系統(tǒng)認(rèn)證Ansys簽核工具可用于所有FinFET工藝節(jié)點(diǎn)
三星電子副總裁Sangyun Kim指出：“Ansys Redhawk-SC、Redhawk和Totem此次通過(guò)認(rèn)證使我們雙方客戶(hù)信心大增，大幅增強(qiáng)應(yīng)對(duì)電源完整性、可靠性和熱挑戰(zhàn)的能力，幫助他們快速完成新設(shè)計(jì)。三星與Ansys開(kāi)展長(zhǎng)期互信合作，將幫助我們的客戶(hù)在高精尖芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)創(chuàng)新，滿足嚴(yán)苛的性能要求，為贏得市場(chǎng)奠定基礎(chǔ)。”
Ansys半導(dǎo)體事業(yè)部副總裁及戰(zhàn)略負(fù)責(zé)人Vic Kulkarni指出：“業(yè)界領(lǐng)先的FinFET工藝助力客戶(hù)快速推出尺寸更小、功耗更低的創(chuàng)新應(yīng)用。但是，新的技術(shù)面臨重重挑戰(zhàn)，需要高級(jí)仿真驅(qū)動(dòng)型分析平臺(tái)，以最大限度地提高性能和可靠性。
展開(kāi) 
一款具有94%超高效率、22mA超低靜態(tài)電流及無(wú)濾波器設(shè)計(jì)的高性能D類(lèi)音頻放大器-IML6602
D類(lèi)功率放大器的輸出晶體管級(jí)作為電子開(kāi)關(guān)運(yùn)行，并且沒(méi)有像其他放大器那樣的線性增益。D類(lèi)功率放大器通過(guò)接收傳入的模擬輸入信號(hào)并生成PWM或PDM開(kāi)始工作。然后它將輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換為脈沖流。這是一種主要放大MOSFET和晶體管的放大器，因此，可以說(shuō)一個(gè)典型的D類(lèi)功放由兩個(gè)輸出MOSFET、一個(gè)脈寬調(diào)制器和一個(gè)外部低通濾波器組成，用于
工采網(wǎng)代理的D類(lèi)音頻放大器-iML6602，這是款2×30W立體聲/單通道60W輸出的高性能芯片，采用雙通道架構(gòu)，可在24V供電THD+N=10%條件下，BTL模式能持續(xù)提供2*30W/8Ω功率輸出；PBTL（單通道）模式能夠持續(xù)提供60W/4Ω功率輸出，同時(shí)管腳能兼容替代TPA3118，無(wú)需修改電路設(shè)計(jì)，無(wú)需修改PCB布局。以94%超高效率、22mA超低靜態(tài)電流及無(wú)濾波器設(shè)計(jì)，為藍(lán)牙音箱、Soundbar、電視音響等設(shè)備提供“高保真+低功耗”的終極解決方案。
iML6602采用先進(jìn)的Class-D放大技術(shù)，能夠在無(wú)需龐大散熱片的情況下，提供高達(dá)2×30W（8Ω BTL負(fù)載）或1×60W（4Ω PBTL負(fù)載）的輸出功率，其高達(dá)94%的效率，提供高效的續(xù)航能力。同時(shí)，低至0.01%的總諧波失真加噪聲（THD+N）確保音質(zhì)的純凈與細(xì)膩，無(wú)論是深沉的低音還是清脆的高音，都能得到完美呈現(xiàn)。
iML6602是一種高效立體聲D級(jí)音頻放大器，在高效模式（HEM）下具有非常低的空閑功率損失，這有助于延長(zhǎng)電池壽命。高效率允許它可以支持2×30 W沒(méi)有外部散熱器在一個(gè)雙層PCB上。該設(shè)備提供并行BTL應(yīng)用，可以在24V電源電壓下提供60W到4Ω負(fù)載。
展開(kāi) Totem-SC：新一代模擬和混合信號(hào)設(shè)計(jì)功率噪聲和可靠性解決方案【明日16:00直播】
<p>Ansys Totem，一款用于IP模塊、模擬、混合信號(hào)和定制數(shù)字設(shè)計(jì)的晶體管級(jí)電源噪聲與可靠性仿真的簽核工具。作為行業(yè)唯一的混合信號(hào)EM/IR工具，Ansys Totem已被晶圓廠成功在簽核中用于襯底噪聲分析，助力噪聲對(duì)時(shí)序、頻域分析和保護(hù)環(huán)質(zhì)量的影響評(píng)估，加快簽核收斂速度。</p><p>基于此，<strong>11月5日</strong>，Ansys 系列網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)推出<strong>【Totem-SC：新一代模擬和混合信號(hào)設(shè)計(jì)功率噪聲和可靠性解決方案】</strong>，為大家詳細(xì)介紹新一代模擬和混合信號(hào)芯片設(shè)計(jì)電源噪聲和可靠性簽核工具Totem-SC。歡迎感興趣的用戶(hù)報(bào)名參加~</p><p><img src="https://mmbiz.qpic.cn/mmbiz_jpg/lR4GOtoy9vIwy6a3ibZ5B4LQfsw1S2Fk55icF834XGZn4SiatKyWKQdq6f2fPzAyXMHMIaOPnnsF4s9M1Mgu2ueCA/640?wx_fmt=jpeg"></p><p><strong>時(shí)間：</strong>2024年11月5日，16:00-17:00</p><p><strong>講師簡(jiǎn)介：</strong></p><p class="ql-align-center"><img src="https://mmbiz.qpic.cn/mmbiz_png/lR4GOtoy9vIwy6a3ibZ5B4LQfsw1S2Fk5SzrdPPQrxfUM7KiceovSpGnZRz0exfpIzOnM4t2FpXE7Yic1CXprKQ9g/640?
展開(kāi) 利用面向晶體管級(jí)模擬以及混合信號(hào)設(shè)計(jì)（包括存儲(chǔ)器）的分布式機(jī)器處理技術(shù)，整體仿真運(yùn)行時(shí)性能提升高達(dá)30%，內(nèi)存占用減少2倍。此外，ANSYS現(xiàn)在還可支持熱感知電遷移（EM）分析，讓用戶(hù)能夠充分發(fā)揮FinFET晶體管技術(shù)優(yōu)勢(shì)，開(kāi)展成功設(shè)計(jì)。為進(jìn)一步改善低功耗芯片設(shè)計(jì)，ANSYS 17.1可進(jìn)行更快的電源分析，實(shí)現(xiàn)更高的準(zhǔn)確度和更大的功耗節(jié)省，從而助力客戶(hù)更快速地向市場(chǎng)投放體積更小、功率密度更高的器件產(chǎn)品。
如欲了解有關(guān)該版本的更多詳情，敬請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：http://www.ansys.com/Products/Release-Highlights。
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