高速存儲技術(shù)的案例
ZXB-FMCKU-M2高速存儲板(高帶寬、低功耗、小尺寸并提供多路高速數(shù)據(jù)接口)
ZXB-FMCKU-M2 小尺寸設(shè)計，2 盤位組Raid 0，對外提供多路的高速數(shù)據(jù)接口的單寬 度FMC存儲卡，可廣泛應(yīng)用相關(guān)領(lǐng)域的數(shù)據(jù)采集記錄存儲及數(shù)據(jù)管理。
產(chǎn)品特點：
l 小尺寸設(shè)計，2盤位組Raid 0，對外提供 尺 寸 ：92mm × 69mm 多 路的高速數(shù)據(jù)接口
l 采用NVME存儲架構(gòu)，可通過千兆/萬兆網(wǎng) 口提供FTP或網(wǎng)盤訪問功能
l 具有高帶寬、低功耗、小尺寸，提供標準 exFAT文件系統(tǒng)
《先進材料》復旦大學超高速存儲器重要進展！
大數(shù)據(jù)、人工智能引領(lǐng)信息時代的飛速發(fā)展，傳統(tǒng)基于馮諾依曼計算機架構(gòu)體系計算機運算速度無法與數(shù)據(jù)存儲速度相匹配，成為困擾當今信息技術(shù)發(fā)展的重要“存儲墻”問題。基于前期發(fā)表在《自然.納米技術(shù)》上的二維材料半浮柵存儲器成功將動態(tài)隨機存儲器的超快寫入速度特性和閃存的數(shù)據(jù)保持能力有效的結(jié)合，使得存儲器的數(shù)據(jù)寫入速度得到顯著提升，但二維半浮柵存儲器擦除速度滯后的的問題阻礙了其在準非易失性存儲器中的應(yīng)用。
為了解決這一難題，近日，復旦大學微電子學院研究生栗敬俁在張衛(wèi)教授、周鵬教授指導下利用二維材料異質(zhì)結(jié)精準轉(zhuǎn)移堆疊技術(shù)，結(jié)合對前階段二維半浮柵存儲器架構(gòu)的總結(jié)和改進，利用橫向PN結(jié)對浮柵充放電實現(xiàn)電子的超高速寫入和擦除功能，成功將準非易失性存儲器的擦除速度提升到納秒級別，構(gòu)造了對稱性的40納秒超快寫入擦除操作，優(yōu)化了準非易失性存儲器性能，獲得了準非易失存儲器在擦除速度上的重要突破。相關(guān)成果發(fā)表在《先進材料》（Advanced Materials）。
展開 一體化高速信號處理微系統(tǒng)、存儲板 ZXB-27DR-42C
ZXB-27DR-42C一體化高速信號處理微系統(tǒng)，采用Xilinx RFSoCZU27DR，可以訪問大型FPGA 門密度，2 路ADC / DAC 端口，4G DDR4 內(nèi)存，適用于各種不同的可編程應(yīng)用，帶有ZU27DR FPGA 的ZXB-RFSOC-2T2R 由 2 路 12 位，采樣率4.0GSPS ADC 和 2 路14 位，采樣率6.554 GSPS DAC 端口提供支持。
數(shù)據(jù)存儲的秘密、取舍與技術(shù)動向
我們現(xiàn)在擁有NVMe over Fabrics，可為外部存儲提供閃存速度。我們還擁有超融合基礎(chǔ)設(shè)施解決方案、軟件定義存儲、云和混合云存儲，以及其他多種選項。
但是，內(nèi)存和存儲技術(shù)在25年來沒有根本性的變化，直到英特爾?傲騰?固態(tài)盤的出現(xiàn)。英特爾?傲騰?固態(tài)盤基于3D XPoint?技術(shù)，與基于3D NAND的技術(shù)相比，在耐久性和低延遲方面有著幾個數(shù)量級的優(yōu)勢。使用它們可將內(nèi)存和存儲的最佳特性相結(jié)合來實現(xiàn)基于服務(wù)器的存儲架構(gòu)。
英特爾?傲騰?固態(tài)盤可提供：
更高的I/O性能和更低的延遲（相比基于NAND的固態(tài)盤），從而提供可預(yù)測、一致的快速服務(wù)
出色的高耐久性，支持主內(nèi)存所處理的相同類型的高寫入流量
更高密度，且成本遠低于DRAM
英特爾?傲騰?固態(tài)盤支持與內(nèi)存相同的實時訪問，從而消除瓶頸，更快、更方便地訪問大型數(shù)據(jù)集。它們可提供更強的服務(wù)器擴展能力，降低對延遲敏感型工作負載的事務(wù)處理成本，同時加速算法執(zhí)行來提高數(shù)據(jù)集處理效率。
創(chuàng)建新分層以實現(xiàn)更精確的數(shù)據(jù)控制
英特爾?傲騰?固態(tài)盤可幫助您的IT基礎(chǔ)設(shè)施實現(xiàn)兩個關(guān)鍵目標：
創(chuàng)建更快的存儲
擴展內(nèi)存
模糊內(nèi)存和存儲的界限
英特爾?傲騰?固態(tài)盤與英特爾?3D NAND固態(tài)盤配合使用，可以打造更強大的存儲基礎(chǔ)設(shè)施組合。
展開 
高階自動駕駛系統(tǒng)的通信存儲技術(shù)
同時，在系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計中采用串行器/解串器（SERDES）技術(shù)的高速串行接口來取代傳統(tǒng)的并行總線架構(gòu)，可以減少布線沖突、降低開關(guān)噪聲、更低的功耗和封裝成本等。
總結(jié)
高階自動駕駛域控制器的工作處理能力不僅體現(xiàn)在對于提供大算力、高性能圖像處理芯片，更多也是依賴于內(nèi)部片間通信網(wǎng)絡(luò)、存儲單元與外設(shè)總線傳輸、接口等設(shè)計。通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計講究網(wǎng)絡(luò)設(shè)計帶寬、速率、穩(wěn)定性及避免通信沖突等問題。存儲單元則是要求存儲容量、穩(wěn)定性等方面的需求。外圍接口則更多的關(guān)注接口適配性，與通信網(wǎng)絡(luò)總線的連接程度等問題。以上每一項對于真正涉及域控制器實體PCB版設(shè)計都是必須完全考慮的內(nèi)容，本文從整體分析中給設(shè)計師在各傳輸、存儲等方面的硬件選型上提供了一定的參考。此外，如果更加細化，就會涉及實際的電阻、電容甚至布線規(guī)則等，本文就不再做細化。
展開 新興NVM存儲技術(shù)及工藝選擇
在今年的劍橋ARM研究峰會上，ARM公司Fellow Greg Yeric暢談了ARM對眾多新興非易失性存儲器的看法。
Yeric表示，ARM正在關(guān)注這些前沿的存儲技術(shù)，因為它有可能對邏輯空間產(chǎn)生巨大的顛覆性，在硬件和軟件平臺層面也是如此?！坝懈鞣N類型的電阻式RAM和磁性RAM出現(xiàn)，TSMC最近就制造了一種嵌入式ReRAM，而類似的技術(shù)和產(chǎn)品的研發(fā)及生產(chǎn)案例還有很多。ARM也有自己的項目，是由DARPA資助的CeRAM（correlated electron RAM）研究”。
圖：ARM公司Fellow Greg Yeric
Yeric解釋說：“28nm閃存不能再繼續(xù)擴展，而是轉(zhuǎn)向獨立閃存的3D堆疊方向，傳統(tǒng)閃存很耗電，而且存取速度相對于應(yīng)用需求來說很慢。”
為了抓住這一波發(fā)展時機，幾十年來，行業(yè)一直在研究和開發(fā)多種存儲技術(shù)，許多技術(shù)項目試圖成為“通用”存儲器，用以取代包括邏輯內(nèi)基本SRAM單元在內(nèi)的所有內(nèi)容，但到目前為止還沒有成功案例，Yeric說：“如果就某項性能指標而言，實際上多種新型存儲技術(shù)已經(jīng)取得了部分成功。但是，由于多種技術(shù)各自針對不同的利基，形成了碎片化的市場存在狀態(tài)，從而缺乏商業(yè)推動力，但半導體研究工廠在這方面有很多優(yōu)勢。
“通常情況下，ReRAM缺乏耐久性，而MRAM的耐久性確實不錯，但其開/關(guān)率非常低，”Yeric說。這意味著工程師必須小心選擇他們的應(yīng)用目標，無論這些是固態(tài)驅(qū)動器（與3D-NAND閃存競爭），還是作為微控制器旁邊的嵌入式存儲器，其中相變存儲器，ReRAM和MRAM都是競爭者。
“MRAM的后續(xù)版本很有希望取代SRAM，以滿足緩存要求。
展開 存儲新勢力：MRAM技術(shù)解析
MRAM簡介
磁隨機存儲器（Magnetic random access memory，MRAM）是一種利用讀取磁阻大小為原理的新型非易失性（Non-Volatile）隨機存儲器之一（圖1）。與其他存儲技術(shù)相比（表1），MRAM在速度、面積、寫入次數(shù)和功耗方面能夠達到較好的折中，因此被業(yè)界認為是構(gòu)建下一代非易失性緩存和主存的潛在存取器件之一。
圖1 存儲器類型
表1 各類存儲器的性能比較
(一) 磁隧道結(jié)及隧穿磁阻效應(yīng)
MRAM性能的提升，得益于磁隧道結(jié)（Magnetic Tunnel Junction，MTJ）的隧穿磁阻（Tunnel Magnetoresistance，TMR）值不斷提高。磁隧道結(jié)是MRAM的基本存儲單元，其核心部分是由兩個鐵磁金屬層（典型厚度為1~2.5nm）夾著一個隧穿勢壘層（絕緣材料，典型厚度為1~1.5nm）構(gòu)成類似于三明治結(jié)構(gòu)的納米多層膜（圖2）。其中一個鐵磁層被稱為參考層（Reference Layer）或固定層（Pinned Layer），它的磁化沿易磁化軸方向固定不變。另一個鐵磁層被稱為自由層（Free Layer），它的磁化有兩個穩(wěn)定的取向，分別與參考層平行或反平行，這將使磁隧道結(jié)處于低阻態(tài)或高阻態(tài)，該現(xiàn)象被稱為隧穿磁阻效應(yīng)。兩個阻態(tài)可分別代表二進制數(shù)據(jù)“0”和“1”，是MRAM存儲的基本原理。隧穿磁阻效應(yīng)可以用自旋相關(guān)隧穿理論予以解釋，如圖3所示，對于鐵磁金屬，自旋向上和自旋向下的電子態(tài)在費米能級附近分布不均衡。當參考層與自由層磁化方向一致時，兩層鐵磁材料中處于多數(shù)態(tài)的電子自旋方向相同，隧穿概率較高，隧穿電流較大，磁隧道結(jié)呈現(xiàn)低阻態(tài)；反之，磁隧道結(jié)呈現(xiàn)高阻態(tài)。
展開 希捷技術(shù)再創(chuàng)新，存儲江湖再現(xiàn)領(lǐng)頭羊
2018年大容量存儲行業(yè)的主要供應(yīng)商如西部存儲、日立、東芝、希捷基本上是齊頭并進，大家都能開發(fā)出10TB、12TB、14TB硬盤，但到2019年，希捷將憑借獨特的HAMR和多讀寫臂技術(shù)脫穎而出，重占行業(yè)領(lǐng)頭羊?qū)氉? 本文作者：電子發(fā)燒友網(wǎng)，陳路
2018年大容量存儲行業(yè)的主要供應(yīng)商如西部存儲、日立、東芝、希捷基本上是齊頭并進，大家都能開發(fā)出10TB、12TB、14TB硬盤，但到2019年，希捷將憑借獨特的HAMR和多讀寫臂技術(shù)脫穎而出，重占行業(yè)領(lǐng)頭羊?qū)氉? 希捷科技全球副總裁暨中國區(qū)總裁孫丹女士透露：“明年，希捷將憑借獨創(chuàng)的熱輔助磁記錄（HAMR）技術(shù)和多讀寫臂技術(shù)，上半年推出16TB硬盤，下半年推出20TB硬盤，不僅容量穩(wěn)占業(yè)內(nèi)領(lǐng)先地位，而且硬盤保持讀寫性能不變。HAMR硬盤將是未來大容量硬盤的主流技術(shù)發(fā)展趨勢?！?圖1：希捷科技全球副總裁暨中國區(qū)總裁孫丹女士
伴隨著大數(shù)據(jù)、移動云聯(lián)網(wǎng)、云計算、物聯(lián)網(wǎng)、AI技術(shù)的不斷進步，中國智慧城市建設(shè)正在穩(wěn)步推進，安防監(jiān)控行業(yè)作為智慧城市的安全之門，其核心地位不言而喻。前瞻技術(shù)研究院最新市場研究報告顯示，到2022年，中國安防監(jiān)控行業(yè)市場規(guī)模將達到近萬億水平。海量的音視頻數(shù)據(jù)存到哪里、怎么存、安全性如何確保，這對大容量存儲行業(yè)來說既是機遇也是挑戰(zhàn)。
此外，隨著智慧城市或數(shù)字城市的興起，未來各行各業(yè)的大數(shù)據(jù)都將面臨爆炸性增長，這必然將帶來一波大數(shù)據(jù)中心的建設(shè)熱潮，進一步推高對低成本、低功耗、大容量硬盤的需求。
希捷孫總裁高屋建瓴地指出了當前整個大容量硬盤存儲行業(yè)的5大發(fā)展趨勢。第1大趨勢是，容量每年20-30%速率增長，同時每TB容量的成本逐年在下降。
展開 相變存儲器的技術(shù)特點和發(fā)展趨勢
圖1: PCRAM結(jié)構(gòu)示意圖
二、相變存儲器的技術(shù)特點
相變存儲器具有很多優(yōu)點，比如可嵌入功能強、優(yōu)異的可反復擦寫特性、穩(wěn)定性好以及和ＣＭＯＳ工藝兼容等。到目前為止，還未發(fā)現(xiàn)ＰＣＲＡＭ 有明確的物理極限，研究表明相變材料的厚度降至２ｎｍ時，器件仍然能夠發(fā)生相變。因而，ＰＣＲＡＭ 被認為是最有可能解決存儲技術(shù)問題、取代目前主流的存儲產(chǎn)品，成為未來通用的新一代非揮發(fā)性半導體存儲器件之一。
相變存儲器提高存儲容量的方式有兩種：一種是三維堆疊，還有一種是多值技術(shù)。英特爾和美光重點突破的是三維堆疊技術(shù)，而IBM在多值存儲領(lǐng)域取得了突破性進展。
圖2：PCRAM突破存儲容量的兩大技術(shù)方向：三維堆疊和多值存儲
三維堆疊技術(shù)通過芯片或器件在垂直方向的堆疊，可以顯著增加芯片集成度，是延續(xù)摩爾定律的一種重要技術(shù)。交叉堆疊(cross point)的三維存儲結(jié)構(gòu)被廣泛應(yīng)用于非易失存儲器，英特爾和美光共同研發(fā)的3D Xpoint技術(shù)，便是一種三維交叉堆疊型相變存儲器。當前，三維新型非易失存儲器的研究主要集中在器件和陣列層面。與傳統(tǒng)的二維存儲器不同，三維相變存儲器采用了新型的雙向閾值開關(guān)（Ovonic Threshold Switch，OTS）器件作為選通器件(selector)。根據(jù)OTS器件的物理特性和三維交叉堆疊陣列結(jié)構(gòu)的特點，三維交叉堆疊型相變存儲器采用一種V/2偏置方法以實現(xiàn)存儲單元的操作。
IBM是相變存儲器多值存儲技術(shù)的推進者，其每個存儲單元都能長時間可靠地存儲多個字節(jié)的數(shù)據(jù)。
展開 技術(shù)變革關(guān)鍵期，中國如何突圍存儲器產(chǎn)業(yè)？
清華大學微電子所吳華強發(fā)表“新型存儲器及存算融合技術(shù)的發(fā)展趨勢”指出，現(xiàn)在海量的數(shù)據(jù)與復雜的模型對算力的要求越來越高。傳統(tǒng)基于局部原理構(gòu)建的存儲層級架構(gòu)無法解決數(shù)據(jù)、存儲高度密集的流式神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理。同時人工智能系統(tǒng)的功耗遠高于人腦，存在巨大的能耗差，基于新器件和新架構(gòu)來開發(fā)新的人工智能芯片非常必要和急需。而新型存儲器技術(shù)在非易失、高速和低成本方面具有明顯優(yōu)勢。基于存算融合技術(shù)的智能計算芯片，新型存儲器在新的領(lǐng)域具有重大的應(yīng)用前景。
目前，全球各國已經(jīng)開始布局新的計算架構(gòu)開發(fā)，比如美國國防先期研究計劃局(DARPA)的FRANC項目，目標是通過人工智能使模擬信號處理方式所能實現(xiàn)的計算性能和能效與現(xiàn)有數(shù)字方法相比能大幅提升。
吳華強還指出，現(xiàn)在正是發(fā)展存算融合技術(shù)的好時機。過去幾十年中，半導行行業(yè)通過器件越來越小，集成度越來越高，計算性能可以持續(xù)得到提升?，F(xiàn)在這條途徑的成本已經(jīng)越來越高，發(fā)展空間越來越有限。另一方面人工智能對于計算能力提出更大的需求。與此同時，存儲及數(shù)據(jù)搬運極大限制了計算性能的提升和功耗的降低。信息系統(tǒng)的架構(gòu)將轉(zhuǎn)向數(shù)據(jù)為中心的計算。人工智能要的是系統(tǒng)整體的準確(統(tǒng)計準確)，而不是單個器件的精確，我們完全可以通過低精度計算的設(shè)計來實現(xiàn)高性能的人工智能芯片。
這些都是推進新型存儲技術(shù)的有利時機。中國企業(yè)應(yīng)當抓住這個技術(shù)變革的難得機遇期，提前布局，推動中國在新型存儲技術(shù)上的追趕。
為了深入探討IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展策略，共商全球IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計，共享全球IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展成果，共同推進全球IC產(chǎn)業(yè)可持續(xù)健康發(fā)展。
展開 磁浮子：為存儲技術(shù)發(fā)展帶來新機遇！
這項研究將數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的開發(fā)向前推進了一大步。
技術(shù)
如果斯格明子用于編碼數(shù)據(jù)“1”，那么磁浮子就用于編碼數(shù)據(jù)“0”。手性磁浮子是一種出現(xiàn)于特定合金表面附近的三維磁結(jié)構(gòu)。
于利希研究中心Peter Grünberg 研究所（PGI-1）博士 Nikolai Kiselev 表示：“長期以來，手性磁體領(lǐng)域研究的唯一對象就是磁性斯格明子?，F(xiàn)在我們?yōu)榭蒲腥藛T的研究提供了一種新對象【磁浮子】，它具有一系列獨特的特性。”三年前，他與研究所主任教授 Stefan Blügel 以及其他合作伙伴一起，從理論上預(yù)測了這種新型磁結(jié)構(gòu)的存在。
現(xiàn)在，來自德國恩斯特魯斯卡電子顯微學與電子譜學中心（Ernst Ruska-Centre for Microscopy and Spectroscopy with Electrons）的主任教授 Rafal E. Dunin-Borkowski 及其同事們通過實驗成功地在真實材料中證明了這種磁浮子的存在。
以斯格明子為代表的磁結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性與材料的一種特性相關(guān)，它就是手性。手性一詞指一個物體不能與其鏡像相重合，例如我們的雙手，左手與互成鏡像的右手不重合。左手不能轉(zhuǎn)化為右手，同樣右手磁結(jié)構(gòu)和左手磁結(jié)構(gòu)也不能相互轉(zhuǎn)化。
此外，斯格明子和新發(fā)現(xiàn)的手性磁浮子都非常微小，一般來說直徑只有幾十納米。因此，原則上它們可用于在存儲芯片上非常密集地打包數(shù)據(jù)。然而，它們的小尺寸使得觀察變得極具挑戰(zhàn)性。Rafal Dunin-Borkowski 解釋道：“在這么小尺寸基礎(chǔ)上的磁織構(gòu)可視化，需要采用全世界范圍內(nèi)只有少數(shù)幾個實驗室才有的最先進的技術(shù)。”
為什么磁孤子（在非線性物理中這種粒子般的物體的另一個名字），例如斯格明子和手性磁浮子，具有很好的應(yīng)用前景？另外一個重要原因就是：與存儲于硬盤驅(qū)動器中的數(shù)據(jù)比特不同，斯格明子是可移動的物體。
展開 
一文讀懂｜三大新興存儲技術(shù)：MRAM、RRAM和PCRAM
密度高：部分PCM采用非晶體管設(shè)計，可實現(xiàn)高密度存儲。
抗輻照特性好：PCM存儲技術(shù)與材料帶電粒子狀態(tài)無關(guān)，故其具有很強的抗空間輻射能力，能滿足國防和航天的需求。
但是目前PCM存在的問題有：
在當一個器件單元中的相變材料處在高溫熔化狀態(tài)時，熱擴散可能會使相鄰的器件單元也發(fā)生相變，從而導致存儲信息的錯誤；
目前二極管作為選通管是高密度PCM的一個主要選擇，但其制備工藝會導致同一字線上相鄰二極管之間會形成寄生三極管，而寄生三極管的串擾電流又會影響數(shù)據(jù)穩(wěn)定性；
材料發(fā)生非晶態(tài)和晶態(tài)之間的轉(zhuǎn)變時，其體積會發(fā)生變化，進而可能導致相變材料和與其接觸的電極材料發(fā)生剝離，器件失效。
PRAM目前發(fā)展到了另外一個領(lǐng)域：Intel和美光2015年聯(lián)合推出了3D Xpoint技術(shù)。3D Xpoint技術(shù)的存儲單元的確是PRAM，但它找到了一種合適的選擇管，即1R1D的結(jié)構(gòu)而不是1R1T結(jié)構(gòu)，這和三星的方向完全不同。
3D Xpoint技術(shù)在非易失存儲器領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了革命性突破，雖然其速度略微比DRAM慢，但其容量卻比DRAM高，比閃存快1000倍。但也有明顯缺點：3D Xpoint采用堆迭結(jié)構(gòu)，目前一般是兩層結(jié)構(gòu)。堆迭層數(shù)越多，需要的掩模板個數(shù)就越多，而在整個IC制造工業(yè)中，掩模板占到了成本的最大份額。因此，從制造的角度來說，要想實現(xiàn)幾十層的3D堆迭結(jié)構(gòu)非常困難。
展開 康謀技術(shù) | 高效環(huán)境感知：毫米波雷達數(shù)據(jù)采集、可視化及存儲方案
<p>隨著自動駕駛技術(shù)的快速發(fā)展，自動駕駛的研發(fā)逐漸形成一整套的流程，包括<strong>數(shù)據(jù)采集，清洗標注，算法訓練，仿真測試</strong>到<strong>量產(chǎn)</strong>等各技術(shù)環(huán)節(jié)。通過復雜的步驟從原始數(shù)據(jù)中提出高價值的信息，其中對原始數(shù)據(jù)的精準采集是實現(xiàn)車輛環(huán)境感知的基石。毫米波雷達因其出色的測距、測速能力以及對惡劣天氣的魯棒性，成為不可或缺的傳感器之一。</p><p>本文將以4D毫米波雷達ARS548為例，分享毫米波雷達如何快速實現(xiàn)數(shù)據(jù)采集，可視化及存儲策略。關(guān)于毫米波雷達的特性可進一步了解文章<strong>《毫米波雷達技術(shù)解析》</strong>。</p><h2>一、ARS548毫米波雷達概述</h2><p><strong>ARS548</strong>是 4D高分辨率成像毫米波雷達（4D High Resolution Radar），如圖1所示。它能夠有效的測量<strong>距離（Range），速度（Velocity），水平角度（Azimuth）</strong>和<strong>俯仰角度或高度（Elevation）</strong>四個維度的信息，具備感知目標三維空間位置能力。
展開 材料復合新技術(shù)國家重點實驗室的計算利器—工作站/服務(wù)器/存儲配置推薦
材料復合新技術(shù)國家重點實驗室主要致力于研究材料復合技術(shù)及其在各個領(lǐng)域的應(yīng)用。材料復合是指將兩種或多種不同材料進行組合，形成具有優(yōu)良性能和特性的復合材料。以下是該實驗室可能關(guān)注的一些研究重點：
1) 復合材料設(shè)計和制備：研究復合材料的組成、結(jié)構(gòu)和性能之間的關(guān)系，通過設(shè)計和制備方法來優(yōu)化復合材料的性能。包括選擇合適的材料組分、控制復合界面和相互作用等。
2) 復合材料加工技術(shù)：研究復合材料的加工工藝和工藝參數(shù)，包括復合材料的成型、成型工藝優(yōu)化、復合材料的增強和增韌等技術(shù)。旨在改善復合材料的力學性能和工藝可行性。
3) 復合材料性能評估：對復合材料進行力學、熱學、電學和化學等方面的性能評估，包括強度、硬度、耐磨性、導熱性、電導率等。研究復合材料在不同環(huán)境和應(yīng)力條件下的性能表現(xiàn)。
4) 復合材料應(yīng)用研究：研究復合材料在各個領(lǐng)域的應(yīng)用，如航空航天、汽車制造、電子設(shè)備、能源存儲等。通過探索復合材料在不同應(yīng)用中的性能和可行性，推動復合材料的工程應(yīng)用和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
常用的軟件工具在材料復合新技術(shù)的研究中可能包括：
1) 材料建模和設(shè)計軟件：如Materials Studio、COMSOL Multiphysics、Abaqus等，用于模擬和設(shè)計復合材料的結(jié)構(gòu)和性能。
2) 工藝模擬和優(yōu)化軟件：如ANSYS、SolidWorks等，用于模擬和優(yōu)化復合材料的加工工藝和工藝參數(shù)。
3) 性能評估和分析軟件：如MATLAB、Origin等，用于對復合材料的力學、熱學、電學和化學性能進行評估和分析。
4) 多物理場仿真軟件：如COMSOL Multiphysics、ANSYS等，用于模擬復合材料的多種物理場耦合行為，如結(jié)構(gòu)力學、熱傳導、電磁等。
展開 關(guān)于新興存儲技術(shù)，這里有你不知道的諸多知識
當下，新興存儲技術(shù)越來越受到業(yè)界的矚目，如PCM、MRAM、ReRAM、FRAM等存儲器已經(jīng)蟄伏待機了幾十年，以尋求適合其自身特點的應(yīng)用機會，今天看來它們的機會真的到來了。
實際上，在以上提到的幾種存儲類型中，有一些已經(jīng)批量生產(chǎn)了，且這些芯片也帶來了較好的銷售收入。隨著先進的邏輯處理制程節(jié)點驅(qū)動復雜的處理器和ASIC采用新興的、具有持久存儲能力的技術(shù)，市場有望出現(xiàn)顯著轉(zhuǎn)變。與此同時，業(yè)界大佬英特爾已開始積極推廣其新的3D XPoint存儲器，用作高級計算的非易失性內(nèi)存。SNIA（Storage Networking Industry Association）、JEDEC和其他標準組織，以及Linux社區(qū)和主要軟件公司正在努力建立必要的標準和生態(tài)系統(tǒng)，以支持這些新存儲技術(shù)的持久性發(fā)展。
本文將從多個角度審視新興存儲器技術(shù)，并預(yù)測這些技術(shù)如何改變芯片市場。
新興存儲技術(shù)存在的必要性
業(yè)界存在著這樣一個疑問：既然基于硅的存儲技術(shù)一直是優(yōu)選方案，為什么還要去研究非硅基存儲器呢？有改變的必要嗎？
其實，這個問題并不難回答。
硅存儲器技術(shù)得益于它們始終采用與生產(chǎn)CMOS邏輯芯片幾乎相同的工藝技術(shù)，可以利用存儲器和邏輯工藝共同開發(fā)的優(yōu)勢。實際上，在20世紀80年代中期之前，邏輯和存儲制程是相同的。直到那時，存儲市場才變得足夠大（超過50億美元/年），它可以支持任何額外的制程工藝開發(fā)。
即便如此，存儲芯片的制程工藝和邏輯制程一直沒有大的區(qū)別，存儲器和邏輯芯片之間的這種協(xié)同作用可繼續(xù)降低制程工藝的開發(fā)成本。
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