超結MOS的案例
RS瑞森半導體超結MOS在適配器上的應用
三、典型應用拓撲圖
四、典型應用及產品選型
1、高效率的45W會選用超結MOS：RS65R600F /RSU7N65F;
2、60W會選用超結MOS：RS65R380F/RSU12N65F;
3、72W會選用超結MOS：RS65R280F;
4、90W在PFC位置用RS18N50F，PWM用超結MOS：RS65R190F/RSF65R190F;
5、120W在PFC位置用超結MOS：RS65R190F/RSF65R190F，PWM用超結MOS：RS65R280F*2;
6、200W在PFC位置用超結MOS：RSF60R090F，PWM用超結MOS：RS65R190F/RSF65R190F*2，碳化硅肖特基二極管：RSS04065A/RSS04065B;
（備注:RSF***系列內置FRD系列）
瑞森半導體超結MOS推薦如下產品選型表：
展開 超結MOS在全橋電路上的應用-REASUNOS瑞森半導體
多層外延超結MOS在全橋電路上的應用
二、全橋電路的原理
全橋電路通過控制開關管的通斷來改變電源與負載之間的電壓極性，實現對負載的驅動。在上半周期內，開關管Q1、Q4閉合，Q2、Q3斷開，電源的正極通過Q1進入負載，負載的負極通過Q4回到電源的負極。在下半周期內，開關管Q2、Q3閉合，Q1、Q4斷開，電源的正極通過Q3進入負載，負載的負極通過Q2回到電源的負極。這樣就能實現直流電源向交流負載的轉換。
全橋線路的工作原理
三、全橋電路對于MOS管的需求
（1）主要損耗構成：①MOS管的導通損耗直接由導通Rdson決定，要求MOS管的Rdson更低。②MOS管的開關損耗，由MOS管的米勒平臺等參數決定，要求MOS管開關特性好，開關速度快，交越損耗??；
（2）后端是感性負載，需要二極管反向續流，要求功率MOS二極管反向恢復特性較好，具有較短反向恢復時間trr。
四、全橋電路MOS管選型
根據不同的應用需求，全橋電路還可分為全橋逆變電路、全橋整流電路等，瑞森半導體多層外延超結MOS系列，可應用于全橋電路不同的應用中。
瑞森半導體超結MOS全系列采用多層外延工藝，具有低導通損耗、大通流能力、低柵極電荷、低開啟電壓、出色的非鉗位感性開關能力等工藝特色。再加上我司對產品進行百分之百的雪崩能量擊穿測試等自有標準；產品對標英飛凌C3、 P6、P7系列 ; 封裝產品豐富，為設計者們提供了極大的靈活性。
全橋電路MOS管選型推薦超結MOS系列
全橋電路作為一種常見的電路拓撲結構，具有良好的電流/電壓控制能力。針對全橋電路不同的應用場景，瑞森半導體提供整體功率半導體解決方案。
展開 瑞森半導體超小內阻20mΩ和TO-220F封裝70mΩ的超結MOS新品上市
瑞森半導體進一步壯大和完善超結（SJ）MOSFET系列，推出600V超結功率MOSFET---RSF60R070F、RSF60R026W型號。2枚新品各自具備核心優勢，為國內少有產品型號 ，技術領航市場。
市場上70mΩ的超結（SJ）MOSFET產品，芯片面積超出TO-220F載芯面積，常規均采用TO-247封裝，瑞森半導體新產品RSF60R070F采用專有的晶胞結構和特殊工藝流程，進一步優化產品設計，在Rdson不變的情況下，有效減小芯片面積，滿足TO-220F/TO-263等封裝外形，從而大幅減少器件在PCB線路板上占用的空間（TO-220F與TO-247封裝外形相比，整體尺寸節約50%），助力小型化產品的應用。
RSF60R070F實測耐壓為600V，導通電阻僅為58mΩ，使得MOS管在導通狀態下實現更小的功率損耗和更高的效率，同時成本也隨之下降，為客戶提供低成本設計方案。該款產品主要適用于電源、電機控制、逆變器和其它高壓開關應用等。
產品優勢：
?常規產品封裝為TO-247，而RSF60R070F為TO-220F封裝，做到大電流小封裝；
?有效減小芯片面積，大幅減少器件在PCB線路板上占用的空間；
?內置FRD，適應LLC線路，并適合多管應用；
?具有更快的開關速度，更低的導通損耗；
?極低的柵極電荷（Qg），大大提高系統效率；
?優異的EMI性能
瑞森半導體具備超小內阻的新品RSF60R026W，目前市場上硅基超結MOS最小內阻為30mΩ左右。瑞森半導體基于豐富的超結MOS開發經驗，開發出實測耐壓為600V，導通電阻典型值20mΩ的超結（SJ）MOSFET，導通電阻減少了33% ，提高了開關性能，進一步降低功率損耗，可以極大提升整機電源的轉換效率。
展開 超結MOS在AGV無人搬運車上的應用-REASUNOS瑞森半導體
四、典型應用及選型推薦
針對無接觸供電系統電路，推薦瑞森半導體超結MOS系列，均采用多層外延工藝制作，與傳統的Trench工藝相比，具有優異的抗EMI及抗浪涌能力，性能可媲美國際一線品牌。推薦如下產品選型表：
超結MOS/IGBT在儲能變流器(PCS)上的應用-REASUNOS瑞森半導體
</p><p>針對<strong>雙向DC-DC高壓側與BUCK-BOOST線</strong>路，推薦使用<strong>瑞森半導體超結MOS系列</strong>：</p><p><img src="https://img.jishulink.com/msimage/202402/7e5e03e2b45edb9a9e348daf3b56d8a4.jpg"></p><p><img src="https://img.jishulink.com/msimage/202402/6f824cbb585dea284cfdd413250c78bd.jpg"></p><p><strong>三、IGBT應用線路&推薦產品選型</strong></p><p>針對<strong>MPPT STAGE模塊的BOOST升壓線路，</strong>還有<strong>INVERTER STAGE模塊的雙向DC-AC轉化器</strong>，推薦<strong>瑞森半導體的IGBT系列</strong>：</p><p><img src="https://img.jishulink.com/msimage/202402/2178a02bd89a573639122bb08c510256.jpg"></p><p><img src="https://img.jishulink.com/msimage/202402/2089335f8ce4c6de3eabefcc0c4a5275.jpg"></p>
展開 SiC SBD/超結MOS在工業電源上的應用-REASUNOS瑞森半導體
wx_fmt=png&from=appmsg&wxfrom=5&wx_lazy=1&wx_co=1" alt="圖片"></p><p><strong style="background-color: rgb(255, 255, 255); color: inherit;">四、典型應用線路及選型</strong><span style="color: rgb(51, 51, 51);"> </span></p><p class="ql-align-justify">工業電源必須滿足功率因數校正(PFC)等法定要求，同時PFC拓撲對MOS管的要求比較高，在保證系統效率和溫升的條件下，要盡可能的提升系統穩定性用來改善電子或電力設備裝置的功率因素，用于提高配電設備及其配線的利用率,以降低設備的裝置容量；推薦使用<span style="color: rgb(0, 0, 0);">瑞森半導體的</span><strong style="color: rgb(217, 33, 66);">超結MOS系列，</strong>選型表如下：</p><p class="ql-align-center"><img src="https://mmbiz.qpic.cn/sz_mmbiz_jpg/qqVoyF7rkJ57vky35e99uFp8RbpEd7ZHwmCM228icZicDcbcliaMibKTnH1JCnPEzrVJmG9OWh4aKGmbkgrfyoWDlg/640?
展開 超結MOS/低壓MOS在5G基站電源上的應用-REASUNOS瑞森半導體
wx_fmt=jpeg&from=appmsg&wxfrom=13" alt="圖片"></p><p><strong style="background-color: rgb(255, 255, 255); color: inherit;">二、典型應用拓撲 </strong></p><p class="ql-align-justify">針對MOS管在5G電源上的應用，推薦瑞森半導體兩款產品系列；</p><p class="ql-align-justify">在PFC線路和Flyback線路，推薦瑞森半導體<strong style="color: rgb(217, 33, 66);">超結MOSFET系列</strong>：</p><p class="ql-align-justify">由原深溝槽工藝革新成多層外延工藝，具有低導通電阻，優異EMI特性，低損耗，高效率，低溫升等特性。能夠顯著降低高電壓下單位面積的導通電阻，進而降低導通損耗。同時，超結MOSFET擁有極低的FOM值，從而擁有極低的開關能量損耗和驅動能量損耗。</p><p class="ql-align-justify">為適應電源系統高效率小型化的需求，同步整流線路圖推薦使用瑞森半導體<strong style="color: rgb(217, 33, 66);">低壓SGT MOS系列</strong>：</p><p class="ql-align-justify">采用SGT溝槽屏蔽柵設計及工藝制造技術，具有更高的工藝穩定性和可靠性及更快的開關速度、更小的柵電荷和更高的應用效率等優點。
展開 “國產芯片”瑞森半導體（REASUNOS）將亮相2023慕尼黑上海電子展
公司產品涵蓋碳化硅MOS、碳化硅二極管、硅基平面MOS、超結MOS、中低壓MOS、LED驅動IC、電機驅動IC和系列ESD&TVS靜電保護器件等，憑借產品可靠性高、參數一致性好等特點，廣泛應用于新能源汽車 、充電樁、光伏、逆變、儲能、白色家電、工業控制和消費類電子等領域。
瑞森半導體始終關注客戶需求，將產品研發放在首要位置，公司于2022年成立瑞森半導體科技（湖南）有限公司，并與湖南大學創建“湖南大學半導體學院產教融合基地”，進行半導體技術與應用創新的深度研發合作。
RS瑞森半導體-大功率開關電源的應用
瑞森半導體提供的BV為600V、 650V的超結MOS同時帶有FRD完全可用于諧振電路上,具有高速快恢復二極管（FRD），短的反向恢復時間（Trr），適用于當再生電流流經主體二極管時會導致恢復損耗的應用。同時具有電流密度高、短路能力強、開關速度快、易用性好特點，可滿足客戶的高效率高可靠性需求。為了達到大功率電源嚴苛的能效目標，可采用瑞森半導體的同步整流中低壓SGT MOS，故選用瑞森半導體的超結MOS配合低壓SGT MOS完全實現較高的轉換效率，緊固耐用，系統成本較低。另外上千瓦的大功率開關電源，要求其高效、功率密度高、體積小、重量輕、成本低，PFC線路上采用瑞森半導體碳化硅（SiC）二極管可以提升大功率開關電源的功率密度和效率，有效降低了開關損耗。
五、大功率開關電源應用產品推薦
根據大功率開關電源對MOS管的需求，推薦瑞森半導體以下產品系列：
展開 SiC功率半導體產業高峰論壇成功舉辦
中國科學院微電子研究所許恒宇博士在報告中提到面向“碳中和、碳達峰”為代表的國家重大戰略要求，在要求滿足超低損耗和高可靠性的新能源汽車領域，以應用牽引為指導，提出了SiC超結MOS器件重要性；針對產業薄弱環節，亟待引進該領域制造先進的核心制備技術的必要性和急迫性。圍繞SiC超結MOS器件“理論構建、仿真設計、超結制備、工藝整合”等方面，基于SiC MOSFET開展超結MOS器件制備技術創新，明確超結外延制備技術路線，為我國新能源汽車事業和“雙碳”戰略推進提供關鍵技術支撐。
中
國電子科技集團公司第四十八研究所研究員級高工/高級專家周洪彪報告中指出，隨著第三代半導體產業快速發展期到來和行業自主可控的急迫需求，國產裝備成長空間巨大；中國電科48所重點圍繞SiC全鏈條開展核心裝備開發、驗證與推廣應用，并持續迭代改進，以SiC單晶生長、高溫高能離子注入、高溫氧化/激活為代表的系列設備已實現小批量應用；加強工藝融合和行業協作，進一步推動第三代半導體國產化裝備的跨越式發展。
洲中車時代電氣股份有限公司常務副主任、教授級高級工程師劉國友表示，SiC MOSFET成為高壓功率器件的解決方案，越來越多的企業參與其中。高壓SiC MOSFET材料、涉及、工藝技術取得很大進展并逐漸成熟，3300V及以上電壓等級的芯片和模塊逐步商業化。高壓SiC MOSFET應用于軌道交通領域，推動綠色、智能技術發展；在智能電網、飛機、船舶電驅等方面也有很好的應用前景。高壓SiC材料、工藝和封裝等全產業鏈協同，聚焦質量、成本與可靠性攻關，推動高壓SiC技術創新與規模應用。
展開 專為將導通損耗降至較低而設計的800V+N型碳化硅MOSFET
“超節功率MOS管”應為?超結功率MOS管?（Super Junction MOSFET），是一種專為高壓大功率應用優化的功率半導體器件。其核心創新在于通過?電荷平衡結構?突破傳統硅器件的“硅極限”（即耐壓與導通電阻之間的權衡關系）。
超結MOS管的工作原理
采用?P柱（P-type pillar）與N柱（N-type pillar）交替排列?的超結結構，替代傳統MOSFET中單一的N型漂移區。P柱和N柱的摻雜濃度和電荷量相互補償，實現?體電荷平衡?（即總正負電荷近似相等）。
在傳統MOSFET中，耐高壓需加厚低摻雜漂移區，導致導通電阻（RDS(on)）很高。關斷狀態?：漏源間加高電壓時，P柱與N柱形成的耗盡區擴展并相互貫穿，實現高耐壓。導通狀態?：柵極施加足夠電壓（VGS > Vth）形成N型溝道，電子從源極流向漏極；由于超結結構降低了漂移區電阻，導通損耗顯著減小。
工采電子代理的N型碳化硅MOSFET - SCF80R450XTH是一款基于XLW先進的設計理念及寬帶隙材料的獨特特性，我們的碳化硅功率MOSFET具備低導通電阻、低柵極電荷、低Qrr值以及卓越的熱性能。該器件專為將導通損耗降至較低而設計，同時確保開關性能優異，且幾乎不受溫度變化的影響。
此外，我們的碳化硅功率MOSFET具有高可靠性和極高的效率，其開發旨在提升終端應用的性能，特別是在工作頻率、能效、可靠性以及系統尺寸和重量的減小方面。
展開 
守正創新 篤行致遠 瑞森半導體總經理劉志強2024年新年致辭
在<strong>硅基功率器件領域</strong>，<strong>平面高壓MOS、超結MOS、Trench低壓MOS、SGT低壓MOS，</strong>各類產品型號愈發完善；<strong>碳化硅MOS和碳化硅二極管</strong>已走出國門，實現全球銷售；<strong>功率IC領域</strong>，聚焦高轉換效率、高頻化、小型化，諧振半橋、數模混合等系列產品持續開發。厚德才能載物，行穩才能致遠，我們相信高性能、高品質、穩定安全的功率半導體產品線是企業持續發展的根本，而結合客戶實際應用痛點、提供系統化解決方案是企業脫穎而出的新勢能。</p><p><strong>精細市場，聚焦長遠目標。</strong>2023年，我們更加聚焦于長期可持續發展的戰略目標。國外市場，先后開發歐美市場，中東市場，東南亞市場等，海外代理商銷售網點持續擴張。在國內市場，先后在華中、華南區域成立瑞森半導體科技（湖南）有限公司、瑞森半導體科技（深圳）有限公司，即將在華東區域成立瑞森半導體科技（上海）有限公司。放眼全球視角，逐步實現全球化戰略布局。</p><p><strong>矢志不渝，國產替代之路。</strong>現階段國產化替代空間巨大，尤其是用于工業控制領域的高性能產品及用于高可靠領域的產品。瑞森半導體從單個產品系列實現國產替代到如今全系列產品各項性能、品質、參數與眾多國際一線品牌媲美，每一次的堅持都歷經坎坷，甚至諸多懷疑。但是在這條路上我們始終堅信，國產替代是必經之路，國產替代是中國半導體品牌的破局之路，也是企業自主創新研發的信念之源。</p><p>2023年，我們懷揣足夠的耐心，默默積蓄力量，奮發向前，努力革新。我們相信任何成績的取得，都不是一蹴而就，你的時間花在哪，你的花就開在哪。當時間邁向2024年，我們內心多了充盈，心態多了平穩。
展開 RS瑞森半導體系列產品在PD快充上的應用
COOL MOS、低壓SGT MOS、低壓Trench MOS推薦如下產品選型表：
