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應(yīng)力偏光儀的案例

【產(chǎn)品推薦】透明塑件應(yīng)力檢測——應(yīng)力偏光
wx_fmt=png"></p><p><br></p><p><strong>應(yīng)力偏光儀 - 檢測服務(wù)</strong></p><p><img src="https://mmbiz.qpic.cn/mmbiz_jpg/8dicNY2WyicIhgsiclw4rpegLvDPbYBLUNFdZ48FaP3q3D5yibtQKoNxonQict5WiacRQ0EPqDQgOqhtKEmM0R7UXYgw/640?wx_fmt=jpeg"></p><p><br></p><p><strong>透明塑膠件殘留應(yīng)力檢測服務(wù)</strong></p><p>提供透明塑膠件殘留應(yīng)力檢測服務(wù),并由專業(yè)顧問針對檢測項目提出多面向分析,如澆口、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)及模具設(shè)計等可能問題與可改良方向。</p><ul><li>個別產(chǎn)品之殘留應(yīng)力檢測結(jié)果圖</li><li>澆口殘留應(yīng)力原因分析</li><li>產(chǎn)品結(jié)構(gòu)與模具設(shè)計之應(yīng)力問題分析</li></ul><p><br></p><p><strong>應(yīng)力偏光儀 - 規(guī)格</strong></p><p><img src="https://mmbiz.qpic.cn/mmbiz_png/8dicNY2WyicIhgsiclw4rpegLvDPbYBLUNFnicUApicdHeDUyO4QIibP68FmR1ah56zEIw5LhYewl5vPkEOz0AalwAog/640?wx_fmt=png"></p><p><br></p><p><strong>應(yīng)力偏光儀 - 常見問題</strong></p><p>問:可以觀測的適用材質(zhì)有哪些?</p><p>答:透明材料或透光的射出塑膠件皆可以觀測。</p><p><br></p><p>問:如果材質(zhì)不透明,要如何觀測殘留應(yīng)力呢?</p><p>答:可以使用模流分析軟件進(jìn)行應(yīng)力分析。</p><p>問:如何取得應(yīng)力偏光儀呢?
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透明塑件應(yīng)力“照妖鏡”——應(yīng)力偏光
穿透式應(yīng)力偏光儀為一種非破壞性定性觀測的量測設(shè)備,是利用塑料分子結(jié)構(gòu)受應(yīng)力作用下的雙折射率性質(zhì),來觀測塑件的光彈特性變化情形。只要將透明塑料件或透光件產(chǎn)品或試片放置于觀測窗口內(nèi),藉由塑料雙折射現(xiàn)象及光彈特性可將白色光源經(jīng)由偏光片偏折后,形成可視覺觀測的彩色條紋,由所顯示的條紋形式與條紋密度,可以觀測塑料件內(nèi)部的殘留應(yīng)力程度。 透過穿透式應(yīng)力偏光儀,可快速簡易檢測塑件內(nèi)部殘留應(yīng)力,進(jìn)一步了解應(yīng)力分布情況,并可藉由專業(yè)技術(shù)判讀、反饋與顧問服務(wù),及早找出殘留應(yīng)力的成因并提供合適的解決方法,優(yōu)化模具設(shè)計與塑件產(chǎn)品質(zhì)量。
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透明塑膠光學(xué)產(chǎn)品的殘留應(yīng)力定性分析
在單色光的光彈條紋中(明暗條紋),粗線的地方代表該點之主應(yīng)力方向與x軸(或y軸)平行。因此兩道光之相位差為整數(shù)波長,因而造成光場之明暗條紋,光場之條紋可以肉眼觀察,條紋越密集的地方,表示應(yīng)力愈大,亦即是應(yīng)力集中的地方,也是材料較容易發(fā)生破壞時最先開始之處,圖 4 是應(yīng)力偏光儀量測觀察應(yīng)力之原理,而圖 5 是應(yīng)力偏光觀測裝置。 圖5:應(yīng)力偏光觀測裝置 應(yīng)力偏光儀觀測透明塑膠件的殘留應(yīng)力 對于光電產(chǎn)業(yè)常使用的透明性塑膠材料而言,目前最簡易可用來觀察材料內(nèi)部殘留應(yīng)力之方法,就是使用穿透式應(yīng)力偏光儀,來觀測光線通過透明塑膠件后,所呈現(xiàn)之明暗干涉條紋(使用單波長光源)或七彩條紋(使用白光光源),如圖 6 所示。 圖6:應(yīng)力偏光觀測可有效觀察高應(yīng)力區(qū)域 此方法是一種非破壞性的定性觀測方法,主要是利用塑料受應(yīng)力作用下之光彈特性,來觀測材料的雙折射率變化情形。此由 Brewster 的光彈性定律理論中可知,對于受應(yīng)力作用而產(chǎn)生應(yīng)變之高分子材料,其在空間中對光線的折射率將會有方向性的不同,換言之,也就是說塑膠材料在不同方向所受之應(yīng)力分量不同,其在這些方向所表現(xiàn)之折射率也會不同,而其折射率之差異會與所受之應(yīng)力程度成正比。當(dāng)射出模溫接近或超過塑料之 Tg 溫度時,可有效消除雙折射現(xiàn)象,此即是由于流動所誘發(fā)之分子定向現(xiàn)象,可藉由使用較高模溫使分子有足夠動能及足夠時間來松弛分子應(yīng)力。藉由將透明試片置于兩片正交之偏光板間,可觀察到較無散射之彩色光環(huán),有較多區(qū)域呈現(xiàn)黑暗顏色,代表分子結(jié)構(gòu)較無殘留應(yīng)力存在。
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殘留應(yīng)力之成因與問題解析
并且分子鏈間彼此糾纏,鄰近的分子鏈可能因為流場作用或冷卻效應(yīng)造成被拉伸/壓縮程度不一,兩條分子鏈都想回到穩(wěn)定態(tài),但是回到穩(wěn)定態(tài)的差距卻不一樣,因而形成殘留應(yīng)力累積在塑件中。 依據(jù)不同成因,可分為: 流動導(dǎo)致殘留應(yīng)力:高剪切流場對分子鏈造成高度排向,能量儲存在被拉伸的分子鏈上,形成拉伸應(yīng)力,因此在充填方向有較高的殘留應(yīng)力,也是應(yīng)力的主要來源。 熱導(dǎo)致殘留應(yīng)力:塑料因冷卻程度不一,高分子鏈松弛能力不同,造成分子鏈間的距離不均勻,就變成殘留應(yīng)力形式儲存在分子鏈間。因為冷卻收縮是各方向都會發(fā)生的,所以熱殘留應(yīng)力并無特別方向性,唯有在模溫差異大之處會特別明顯。 圖2:流動導(dǎo)致與熱導(dǎo)致殘留應(yīng)力 因為塑件中保有殘留應(yīng)力,只要一有機會(溫度提高或熔劑作用)分子鏈便開始運動,依位置不同造成不同的巨觀結(jié)果: 靠近塑件表面的分子鏈?zhǔn)湛s而產(chǎn)生應(yīng)力痕; 塑件內(nèi)部的分子鏈?zhǔn)湛s程度不一造成尺寸變形。 殘留應(yīng)力越大,分子鏈潛在運動能力越強,當(dāng)有機會釋放應(yīng)力時,過大的殘留應(yīng)力會造成塑件開裂問題。 降低殘留應(yīng)力須考慮的面向 由前面內(nèi)容我們知道若要降低殘留應(yīng)力,要盡量避免造成高分子鏈伸縮程度差異,可分為三個面向: 產(chǎn)品設(shè)計 模具設(shè)計 成型條件 ...... (具體后續(xù)內(nèi)容可進(jìn)入東莞開模&ACMT_技術(shù)平臺查閱) 點擊觀看全文 點擊了解應(yīng)力偏光儀 聲明:未經(jīng)同意,請勿轉(zhuǎn)載,歡迎轉(zhuǎn)發(fā)
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應(yīng)力偏光儀圖1
干貨分享|透明塑膠光學(xué)產(chǎn)品的殘留應(yīng)力定性分析
在單色光的光彈條紋中(明暗條紋),粗線的地方代表該點之主應(yīng)力方向與x軸(或y軸)平行。因此兩道光之相位差為整數(shù)波長,因而造成光場之明暗條紋,光場之條紋可以肉眼觀察,條紋越密集的地方,表示應(yīng)力愈大,亦即是應(yīng)力集中的地方,也是材料較容易發(fā)生破壞時最先開始之處,圖 4 是應(yīng)力偏光儀量測觀察應(yīng)力之原理,而圖 5 是應(yīng)力偏光觀測裝置。 圖5:應(yīng)力偏光觀測裝置 應(yīng)力偏光儀觀測透明塑膠件的殘留應(yīng)力 對于光電產(chǎn)業(yè)常使用的透明性塑膠材料而言,目前最簡易可用來觀察材料內(nèi)部殘留應(yīng)力之方法,就是使用穿透式應(yīng)力偏光儀,來觀測光線通過透明塑膠件后,所呈現(xiàn)之明暗干涉條紋(使用單波長光源)或七彩條紋(使用白光光源),如圖 6 所示。 圖6:應(yīng)力偏光觀測可有效觀察高應(yīng)力區(qū)域 此方法是一種非破壞性的定性觀測方法,主要是利用塑料受應(yīng)力作用下之光彈特性,來觀測材料的雙折射率變化情形。此由 Brewster 的光彈性定律理論中可知,對于受應(yīng)力作用而產(chǎn)生應(yīng)變之高分子材料,其在空間中對光線的折射率將會有方向性的不同,換言之,也就是說塑膠材料在不同方向所受之應(yīng)力分量不同,其在這些方向所表現(xiàn)之折射率也會不同,而其折射率之差異會與所受之應(yīng)力程度成正比。當(dāng)射出模溫接近或超過塑料之 Tg 溫度時,可有效消除雙折射現(xiàn)象,此即是由于流動所誘發(fā)之分子定向現(xiàn)象,可藉由使用較高模溫使分子有足夠動能及足夠時間來松弛分子應(yīng)力。藉由將透明試片置于兩片正交之偏光板間,可觀察到較無散射之彩色光環(huán),有較多區(qū)域呈現(xiàn)黑暗顏色,代表分子結(jié)構(gòu)較無殘留應(yīng)力存在。
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成型條件對殘留應(yīng)力的影響──流動篇
(具體后續(xù)內(nèi)容可進(jìn)入東莞開模&ACMT_技術(shù)平臺查閱) 點擊觀看全文 點擊了解應(yīng)力偏光儀
成型條件對殘留應(yīng)力的影響──溫度及壓力篇
因為塑件的冷卻固化是由外向內(nèi),層層熱傳導(dǎo)致高分子鏈運動行為與所在的厚度部位有關(guān),造成分子鏈間距與厚度呈現(xiàn)不均勻的分布,靠近塑件表面部位表現(xiàn)出壓縮應(yīng)力、越往內(nèi)部拉伸應(yīng)力越大。也為拉伸應(yīng)力區(qū)范圍遠(yuǎn)大于壓縮應(yīng)力區(qū),所以塑件在冷卻固化后,于各方向上尺寸均有收縮的傾向。 若更細(xì)部地考慮不同流動長度部位的殘留應(yīng)力: 壓縮應(yīng)力區(qū):靠近澆口處 > 遠(yuǎn)離澆口處 拉伸應(yīng)力區(qū):遠(yuǎn)離澆口處 > 靠近澆口處 因此塑件充填末端的部位收縮較多,成型后的尺寸會小于靠近澆口處的尺寸。 冷卻過程不僅導(dǎo)致塑件內(nèi)部的應(yīng)力分布,冷卻快慢也會影響高分子鏈排向、殘留應(yīng)力,以及塑件的收縮程度(如表1)。 表1:模溫高低對分子鏈排向、殘留應(yīng)力及收縮程度的影響 若模具兩側(cè)冷卻速率不均,就會造成塑件厚度不對稱的應(yīng)力分布、并導(dǎo)致單側(cè)收縮較大而翹曲: 冷卻速率慢的模側(cè)(高模溫),其壓縮應(yīng)力較小; 最大拉伸應(yīng)力區(qū)向冷卻速率慢的模側(cè)移動; 冷卻速率慢的一側(cè)塑件收縮較大; 塑件往冷卻速率慢的一側(cè)彎曲。 點擊了解應(yīng)力偏光儀 聲明:未經(jīng)同意,請勿轉(zhuǎn)載,歡迎轉(zhuǎn)發(fā)
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MIM技術(shù)革新刀具市場,你知道嗎?
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節(jié)能新方案!橡塑膠產(chǎn)業(yè)必看!
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從注塑到裝車——應(yīng)力雙折射如何護(hù)航車載透明件全流程質(zhì)量?
在性能指標(biāo)方面,除了傳統(tǒng)的光學(xué)透過率和機械強度外,現(xiàn)代車載透明部件還需特別關(guān)注: 動態(tài)環(huán)境下的光學(xué)穩(wěn)定性(消除彩虹紋和眩光) 復(fù)雜應(yīng)力狀態(tài)下的尺寸穩(wěn)定性 極端溫度條件下的性能保持率 測量儀器的原理介紹 應(yīng)力雙折射測量通過測量對透明產(chǎn)品對偏光前后的變化,得到產(chǎn)品的雙折和應(yīng)力的信息。 目前市場大概非為三類,第一種是將產(chǎn)品放在兩個偏光片中間去旋轉(zhuǎn)偏光片,用肉眼去分辨顏色的變化,憑借經(jīng)驗去找到對應(yīng)的數(shù)值,這種方式不管是效率和精確度都非常低。 第二種是采用激光的方式,受限于激光光斑的大小,所以要得到整個樣品的應(yīng)力雙折射分布需要大量的時間去掃描,且機械位移結(jié)構(gòu)也會影響測量結(jié)果。 第三種是采用偏光感應(yīng)器的方式,將5um×5um大小的偏光片通過獨特的方式制成偏光陣列片,對應(yīng)CCD的每一個像素點,可以在10秒內(nèi)完成整個樣品的雙折射和應(yīng)力信息,目前市場上主流的產(chǎn)品是這一款,畢竟時間就是金錢。 從產(chǎn)品的源頭(原材料)減輕成本和質(zhì)量控制壓力 企業(yè)對成本的控制的第一步就是前期供應(yīng)商的產(chǎn)品性價比的把控,若是前期選購性價比高的產(chǎn)品,不但可以節(jié)省成本,還可以減輕質(zhì)量控制的壓力。通過對不同原材料和不同成型工藝產(chǎn)品應(yīng)力雙折射信息比較,選擇性價比最高的產(chǎn)品。 不同成型工藝: 用良好的研發(fā)設(shè)計降低產(chǎn)品的缺陷 任何產(chǎn)品,如果存在設(shè)計不良缺陷,都會成倍的增加質(zhì)量控制壓力,因此,良好的研發(fā)設(shè)計,是進(jìn)項質(zhì)量控制的重點。 大部分的車載透明部件都會先通過光學(xué)仿真進(jìn)項設(shè)計、開發(fā)再到模具的制作和工藝的調(diào)整。
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應(yīng)力偏光儀圖2
無微管缺陷!6英寸SiC又增一員大將
圖2:6英寸SiC Raman光譜掃描圖 通過偏光應(yīng)力儀發(fā)現(xiàn),改進(jìn)生長工藝條件后, 晶片中無任何應(yīng)力亮斑,說明生長的SiC 單晶的結(jié)晶質(zhì)量較好。 圖3:兩種工藝晶片偏光應(yīng)力分布對比 高分辨XRD搖擺曲線模式測試結(jié)果顯示,整個晶片的取向差在0.04°以內(nèi),并且在X軸方向的曲率半徑≥132 m,這表明其晶格基平面彎曲較小、堆垛層錯較少。 另外,其測試搖擺曲線的半峰寬多數(shù)都在30弧秒以下,平均半峰寬為19弧秒,這表明其結(jié)晶質(zhì)量非常高,內(nèi)部不存在大量的微觀缺陷。 圖4:6英寸SiC單晶的(004)晶面高分辨XRD搖擺曲線掃描圖。 同時,渦流方法測試結(jié)果顯示,其電阻率值在16.8-22.2 m?·cm之間。電阻率分布均勻,統(tǒng)計的離散系數(shù)為3.5%。平均電阻率值為20.5 m?·cm,已能很好地滿足功率器件的制作要求。 圖5:6英寸n型SiC單晶晶片的電阻率分布圖 獲取文獻(xiàn),請加微信:hangjiashuo666。 其他人都在看: 參編單位集結(jié)號!2021第三代半導(dǎo)體白皮書調(diào)研啟動 三安SiC項目投產(chǎn)!36萬片、4個“超級” 打破全球記錄!SiC又突破一項難題 SiC又有新突破!電流增長4倍,實現(xiàn)1500V絕緣
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