sg的案例
RISC-V公測平臺發(fā)布 · 使用YCSB測試SG2042上的MySQL性能
RISC-V公測平臺發(fā)布：如何在SG2042上玩轉(zhuǎn)OpenMPI
RISC-V公測平臺發(fā)布：Compiling The Fedora Linux Kernel Natively on RISC-V
RISC-V公測平臺發(fā)布 · Unix Bench完整測試
RISC-V公測平臺發(fā)布 · 使用YCSB測試SG2042上的MySQL性能（本篇）
歡迎投稿，發(fā)送至riscvinfo@perfxlab.com
RISC-V公測平臺發(fā)布 · 在SG2042上配置Jupiter+Octave科學(xué)計(jì)算環(huán)境
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RISC-V公測平臺發(fā)布 · 7-zip 測試
RISC-V公測平臺發(fā)布 · CoreMark測試報(bào)告
RISC-V公測平臺發(fā)布 · 數(shù)據(jù)庫在RISC-V服務(wù)器上的適配評估
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展開 RISC-V公測平臺發(fā)布：如何在SG2042上玩轉(zhuǎn)OpenMPI
在RISC-V平臺上跑OpenMPI對于RISC-V進(jìn)入HPC世界來說只是一個(gè)開始，再加上SG2042的64核心的加持，能夠讓你在跑高性能計(jì)算應(yīng)用的時(shí)候更加從容。
參考資料
OpenMPI官網(wǎng)下載頁：
https://www.open-mpi.org/software/ompi/v4.1/
OpenMPI——上海交大超算平臺用戶手冊
https://docs.hpc.sjtu.edu.cn/app/compilers_and_languages/open_mpi.html
正文完
《RISC-V公測平臺發(fā)布》系列文章會持續(xù)跟大家分享澎峰RISC-V生態(tài)圈的開發(fā)者朋友們在RISC-V平臺的移植測試成果，目前已發(fā)布：
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悄悄說，可以通過
http://blog.rvv.top:8002去
“RISC-V Growth Dairy” Blog打卡。
展開 紫外線探測器SG01D-C18應(yīng)用于紫外光刻機(jī)
最后小編推薦一款應(yīng)用在紫外光刻機(jī)中的紫外線探測器，由工采網(wǎng)從國外引進(jìn)的紫外光電二極管 - SG01D-C18, SiC具有極其特別的優(yōu)點(diǎn)，能承受高強(qiáng)度的輻射，對可見光幾乎不敏感，產(chǎn)生的暗電流低，響應(yīng)速度快，這些特性使得SiC成為能夠抑制可見光用來制作半導(dǎo)體紫外線探測器很好的材料。SiC探測器可以長期工作在高達(dá)170℃的溫度中，溫度系數(shù)低（<0.1%/K）并且噪音低，能夠有效的監(jiān)測到很低的輻射強(qiáng)度（需配置相應(yīng)的放大器）。
北鯤教程 | 利用Amber熱力學(xué)積分計(jì)算相對自由能變化
tleap
source leaprc.protein.ff14SB
source leaprc.gaff
source leaprc.water.tip3p
loadamberparams frcmod.ionsjc_tip3p
ligand = loadpdb omi_ace2.pdb
bond ligand.308.SG ligand.316.SG
bond ligand.519.SG ligand.536.SG
bond ligand.705.SG ligand.717.SG
m1 = loadpdb omi_check.pdb
bond m1.4.SG m1.29.SG
bond m1.47.SG m1.100.SG
bond m1.59.SG m1.193.SG
bond m1.148.SG m1.156.SG
m2 = loadpdb A484E_check.pdb
bond m2.4.SG m2.29.SG
bond m2.47.SG m2.100.SG
bond m2.59.SG m2.193.SG
bond m2.148.SG m2.156.SG
w1 = loadpdb rbd_wat.pdb
w2 = loadpdb wat1.pdb
protein = combine {m1 m2 w1}
complex = combine {m1 m2 ligand w2}
set default nocenter on
setBox protein vdw {43.215 53.421 59.922}
savepdb
展開 RISC-V公測平臺發(fā)布 · 7-zip 測試
測試
# -mmt=32代表執(zhí)行的線程數(shù)
ubuntu@perfxlab:~$ 7z b -mmt=32
在SG2042進(jìn)行了1/2/4/32/64 線程的7-Zip測試，測試結(jié)果如下：
性能對比
我們從中挑選了3款CPU進(jìn)行對比， SiFive FU740 ， Loongson 3A5000，Ryzen 3950X (Zen2)。
數(shù)據(jù)來源：
https://www.7-cpu.com/
以下是SiFive FU740 測試結(jié)果：
以下是Loongson 3A5000測試結(jié)果：
以下是Ryzen 3950X (Zen2)測試結(jié)果：
我們可以看出，在該測試條件下單核性能sg2042和starfive FU740基本相當(dāng)，sg2042在64線程性性能一騎絕塵。
LoongArch架構(gòu)3A5000 單核性能還是不錯(cuò)的。是不是說龍芯64倍單核，就會很強(qiáng)呢？不一定！多核也是一門藝術(shù)。
我們好奇拿Ryzen 3950X (Zen2) 做了一下對比，意料之中是各項(xiàng)數(shù)據(jù)都大大優(yōu)于SG2042。從參數(shù)上來說，Ryzen 3950X (Zen2) 的主頻4.7GHz ，比2GHz的SG2042要高很多。SG2042作為全球第一顆RISC-V處理器芯片，達(dá)到這種水平已是不易。看清楚差距，我們擼起袖子加油干。
最后，要強(qiáng)調(diào)是sg2042基礎(chǔ)軟件的優(yōu)化還剛剛開始，還有很大的優(yōu)化潛力。
展開 使用OpenFOAM的實(shí)用大渦仿真（LES）（英文，全套案例） ￥15
本課程對LES如何從Navier–Stokes方程推導(dǎo)出來進(jìn)行了概念性概述，解釋了空間濾波、濾波器寬度以及子網(wǎng)格尺度（SGS）應(yīng)力的物理意義。重點(diǎn)在于理解所解決的部分、建模的部分以及為何需要SGS模型，而無需逐步進(jìn)行數(shù)學(xué)推導(dǎo)。你將學(xué)習(xí)不同的 SGS 和混合 RANS–LES 模型在實(shí)際中的表現(xiàn)，包括：Smagorinsky、WALE 和 k 方程 SGS 模型。混合 RANS–LES 方法如 DES 和 IDDESA 課程的主要部分是將 LES 工作流程應(yīng)用于真實(shí)工程基準(zhǔn)：通過方柱體的湍流。利用此情況，你將搭建并運(yùn)行OpenFOAM中的LES模擬，比較不同的SGS模型，分析渦流脫落、尾流動力學(xué)和湍流統(tǒng)計(jì)。所有LES結(jié)果均與基線k–ω SST RAN模擬進(jìn)行比較，以突出準(zhǔn)確性和計(jì)算成本的權(quán)衡。課程還提供了實(shí)用建模指導(dǎo)，包括網(wǎng)格分辨率要求、時(shí)間步選擇、墻體解析與墻體建模的LES概念，以及需要避免的常見陷阱。從工程角度討論湍流尺度的估計(jì)和LES結(jié)果的解讀。為支持實(shí)踐學(xué)習(xí)，課程包含所有演示的完整OpenFOAM案例文件，以及總結(jié)理論概念、建模指南和最佳實(shí)踐的額外PDF文檔。課程結(jié)束時(shí)，您將有信心在實(shí)際工程應(yīng)用中建立、運(yùn)行和評估LES及混合RANS–LES仿真。
</div><p><br></p>
展開 IJP：非均相多晶體中尺寸相關(guān)的微孔生長
圖3(a)所示的Ori-1晶粒取向分布可以看出，沒有SG效應(yīng)的微孔生長速率f/f0明顯高于有SG效應(yīng)的微孔生長速率f/f0。也就是說，SG能顯著降低微孔的生長速率。在沒有SG效應(yīng)和有SG效應(yīng)的情況下，都可以清楚地觀察到微孔生長的尺寸效應(yīng)(即微孔越大，其生長速度越快)，一方面，在不考慮SG效應(yīng)的情況下，微孔洞周圍的塑性變形場不依賴于微結(jié)構(gòu)的絕對幾何尺寸;然而，即使沒有這種SG效應(yīng)，相應(yīng)的模擬孔洞增長(見圖3所示的藍(lán)線)仍然是大小相關(guān)的。另一方面，非局部本構(gòu)關(guān)系考慮SG和本征材料長度l時(shí)，微孔周圍的塑性變形場依賴于所有材料微觀結(jié)構(gòu)的絕對幾何尺寸，由塑性應(yīng)變梯度(與微孔的絕對尺寸有關(guān))引起的孔洞生長尺寸效應(yīng)被稱為第二類(由塑性應(yīng)變梯度引起)尺寸效應(yīng)。因此，可以推測這些情況下微孔生長的捕獲尺寸效應(yīng)應(yīng)該是由微孔周圍的晶粒尺度非均勻變形引起的，這與微孔與晶粒的尺寸比有關(guān)。這種現(xiàn)象被稱為第一種孔洞增長尺寸效應(yīng)。SG效應(yīng)降低了微孔洞的生長速率，這可能是由于GNDs對基體的硬化作用，使相鄰晶粒之間的變形不相容。SG能顯著降低微孔的生長速率。如圖4所示，在微孔周圍累積的等效塑性滑移γ等值線(r0 = 5l)可以進(jìn)一步驗(yàn)證這一點(diǎn)。明顯地，有SG效應(yīng)的微孔周圍的γ水平比沒有SG效應(yīng)的小得多，表明SG硬化有效地阻礙了微孔的生長。對于r0 = {3l, 4l, 5l}三種不同孔隙尺寸的RVE模型，采用6個(gè)宏觀應(yīng)力三軸性T = {1 / 3,1,1.5, 2,2.5, 3}， Lode參數(shù)L恒定為-1;采用非局部(MSG) CP模型，利用or -1晶粒取向分布，得到了孔洞生長f/f0隨等效應(yīng)變εeq(即f/f0 ~ εeq曲線)的演化過程，如圖5(a)所示。可以清楚地看到，在低應(yīng)力三軸度T = 1/3(對應(yīng)單軸張力)時(shí)，不同孔隙尺寸的f /f0 ~ εeq曲線幾乎重合。
展開 CFD理論|大渦模擬
這個(gè)數(shù)學(xué)模型稱為亞格子尺度模型（SubGrid-Scale model，SGS模型）。
數(shù)學(xué)模型
（1）大渦運(yùn)動方程在LES方法中，通過濾波函數(shù)，每個(gè)變量都被分為兩部分：
大尺度的平均分量 -這部分是濾波后的變量，是模擬中直接計(jì)算的部分；
不尺度變量-需要通過模型來表示。
這里的是濾波后的變量，它不是時(shí)間域上的平均，而是在空間域上的平均，
可以通過下式得到：
式中D為流動區(qū)域；x為空間坐標(biāo)；為濾波函數(shù)，決定了所求解的渦的尺度。
通過濾波函數(shù)處理瞬時(shí)狀態(tài)的N-S方程及連續(xù)方程：
上面兩個(gè)式子就似乎LES方法中所使用的控制方程組，帶有上劃線的量為濾波后的場變量， 為亞格子尺度應(yīng)力（subgrid-scale streese,SGS應(yīng)力）：
該力體現(xiàn)了小尺度渦運(yùn)動對所求運(yùn)動方程的影響。
（2）亞格子尺度模型
SGS應(yīng)力是為未知量，必須用相關(guān)物理量構(gòu)造SGS應(yīng)力的數(shù)學(xué)表達(dá)式，即亞格子尺度模型。
SGS應(yīng)力的求解是LES模擬中的關(guān)鍵問題，最早的SGS模型是由Smagorinsky[1]提出，假定SGS應(yīng)力具有下列形式：
假定SGS應(yīng)力具有下列形式：
為湍動粘度，具體求解這里不作展開。
[1] J. Smagprinsky, General circulation experiments with primitive equations, Monthly Weather Rev., 91(3):99-164. 1963.
微信公眾號：CFD控
知乎號：CFD控制
文章截圖：
展開 《AFM》中國海洋大學(xué)徐曉峰/劍橋大學(xué)Petri Murto：自修復(fù)和耐損傷水凝膠用于高效太陽能水凈化和海水淡化
界面蒸汽發(fā)生器的制造
三個(gè)界面蒸汽發(fā)生器（
SG1、SG2 和 SG3）是利用自修復(fù)水凝膠的優(yōu)勢制造的（圖 5a）。
圖5
a) 界面蒸汽發(fā)生器裝置制造工藝流程圖。b) SG1、SG2 和 SG3 中太陽能吸收器的示意圖和估計(jì)表面積。
圖6
a）界面蒸汽發(fā)生器中結(jié)構(gòu)部件的示意圖和橫截面SEM圖像。b) 水凝膠隨時(shí)間的吸水率。c) 染色的 cl-PVA/SA/PAAS 水凝膠的 UV-vis-NIR 吸收光譜。d) 界面蒸汽發(fā)生器的平均表面溫度。e) 界面蒸汽發(fā)生器在 1 太陽下隨時(shí)間變化的紅外圖像。f) 在 1 個(gè)太陽下，水隨時(shí)間的質(zhì)量變化。g)SG3超過9小時(shí)的長期穩(wěn)定性測試。h) 純水和不同含水量的 cl-PVA/SA/PAAS 水凝膠的 DSC 曲線和 i) cl-PVA/SA/PAAS水凝膠中水的拉曼光譜和譜帶擬
合。
圖7
a) 基于滲透泵效應(yīng)的太陽能海水淡化示意圖。b) 1 太陽下不同 PAAS 含量的 SG3 太陽能脫鹽。c) SG3 在鹽度范圍很廣的鹽水中的水分蒸發(fā)率。d) 太陽能淡化過程中 SG3 表面的數(shù)碼照片。e) SG3 在室內(nèi)環(huán)境中超過 2 個(gè)月的同步水分蒸發(fā)率和光照強(qiáng)度。f) 鹽水中水凝膠的脫鹽率。g) 具有廣泛鹽度的鹽水中水凝膠的失水/失水。h) 太陽能淡化前后海水的一次元素濃度和鹽度。
【總結(jié)】
總之，通過自修復(fù)聚合物水凝膠的輕松集成成功制造了整體式、耐用且自漂浮的界面蒸汽發(fā)生器，并證明其可用于高性能太陽能驅(qū)動的水蒸發(fā)和脫鹽。
展開 ANSYS Workbench ACT 開發(fā)實(shí)例：ANSYS Workbench SwiftComp
Toolbar in DesignModeler
在Designmodeler里面，會有新的Common 1D SG (Structure Genome)，Common 2D SG， 和 Common 3D SG供選擇
2.3. Toolbar in Mechanical Environment
在Mechanical 里面，會用Homogenization，Structural Analysis，Dehomogenization，和 Failure Analysis供選擇
3. Common SG
用戶可以在DesignModeler里面創(chuàng)建常見的SG，目前ANSYS Workbench SwiftComp GUI提供一下常見的SG:
4. Homogenization
用戶可以在Mechanical里面運(yùn)行Homogenization，比如下圖是Solid Model 的Homogenization:
5. Structural Analysis
用戶可以在Mechanical里面import homogenization result 或者 extract result，比如下圖是Import Homogenization result:
6. Dehomogenization
用戶可以在Mechanical里面運(yùn)行Dehomogenization, 比如下圖是Beam Model的Dehomogenization:
7. Failure Analysis
最后，用戶可以在Mechanical里面運(yùn)行Failure Analysis.
8. 下載
這個(gè)插件可以直接從ANSYS App Store下載：https://catalog.ansys.com/?
展開 
地質(zhì)統(tǒng)計(jì)模擬方法在巖土和采礦工程中的應(yīng)用(sequential Gaussian simulation)
1 引言
為了強(qiáng)調(diào)巖土材料性質(zhì)的隨機(jī)性和不確定性，各種地質(zhì)統(tǒng)計(jì)模擬方法逐漸引入到巖土工程和采礦工程中，其中最流行的一種方法是順序高斯模擬法SGS(Sequential Gaussian Simulation)，例如(2013) Soil variability and its consequences in geotechnical engineering研究了土的變異性對巖土工程的影響；(2017) Modelling Geomechanical Heterogeneity of Rock Masses Using Direct and Indirect Geostatistical Conditional Simulation Methods研究了巖石的各向異性。本文非常簡要地回顧了SGS在巖土和采礦工程中的應(yīng)用，這些文獻(xiàn)僅存在于目前的GeostechSet數(shù)據(jù)集中，外部的文獻(xiàn)沒有涉及。
2 邊坡穩(wěn)定性
SGS的第一個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域是邊坡穩(wěn)定性分析，參看今天發(fā)布的另一篇文章《巖土材料的空間變異性分析(Spatial Variability Analysis)》。
展開 國際先進(jìn)水平！華虹半導(dǎo)體90nm BCD工藝實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)！
BCD首創(chuàng)者-意法半導(dǎo)體
1987年6月，意大利SGS微電子（SGS Microelettronica，始于1957年）和法國湯姆森半導(dǎo)體（Thomson Semiconducteurs，始于1962年）合并成立了意法半導(dǎo)體（SGS-Thomson Microelectronics），1998年5月英文名稱更名為STMicroelectronics。
1980年代初期，當(dāng)時(shí)的SGS微電子（SGS Microelettronica）的工程師為了解決各種電子應(yīng)用問題，提出了一個(gè)革命性的構(gòu)想：
1）創(chuàng)造一種將晶體管和二極管集成在一顆芯片上的技術(shù)，并能夠提供數(shù)百瓦功率；
2）用邏輯控制功率，實(shí)現(xiàn)方式需要遵循摩爾定律；
3）最大限度地降低功耗，從而消除散熱器；
4）支持精確的模擬功能；
5）以可靠的實(shí)現(xiàn)方式滿足廣泛的應(yīng)用需求。
1984年SGS的工程師成功將Bipolar/CMOS/DMOS/Diodes通過硅柵集成在一起。BCD首個(gè)器件是L6202電動機(jī)全橋驅(qū)動器，采用4微米技術(shù)，12層光罩，工作電壓60V，電流1.5A，開關(guān)頻率300kHz，達(dá)到所有設(shè)計(jì)目標(biāo)。這個(gè)新的可靠工藝技術(shù)讓芯片設(shè)計(jì)人員能夠在單個(gè)芯片上靈活地集成功率、模擬和數(shù)字信號處理電路。
經(jīng)過35年的發(fā)展，意法半導(dǎo)體開發(fā)了一系列對全球功率IC影響深遠(yuǎn)的BCD工藝，如BCD3（1.2微米）、BCD4（0.8微米）、BCD5（0.6微米）。
意法半導(dǎo)體目前提供三種主要的BCD技術(shù)，包括BCD6（0.35微米）/BCD6s（0.32微米）、BCD8（0.18微米）/BCD8s（0.16微米和BCD9（0.13微米）/BCD9s（0.11微米），其第十代BCD工藝將采用90納米。
BCD6和BCD8還提供SOI工藝選項(xiàng)。
展開 重磅！國際先進(jìn)水平！華虹半導(dǎo)體90nm BCD工藝實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)！
BCD首創(chuàng)者-意法半導(dǎo)體
1987年6月，意大利SGS微電子（SGS Microelettronica，始于1957年）和法國湯姆森半導(dǎo)體（Thomson Semiconducteurs，始于1962年）合并成立了意法半導(dǎo)體（SGS-Thomson Microelectronics），1998年5月英文名稱更名為STMicroelectronics。
1980年代初期，當(dāng)時(shí)的SGS微電子（SGS Microelettronica）的工程師為了解決各種電子應(yīng)用問題，提出了一個(gè)革命性的構(gòu)想：
1）創(chuàng)造一種將晶體管和二極管集成在一顆芯片上的技術(shù)，并能夠提供數(shù)百瓦功率；
2）用邏輯控制功率，實(shí)現(xiàn)方式需要遵循摩爾定律；
3）最大限度地降低功耗，從而消除散熱器；
4）支持精確的模擬功能；
5）以可靠的實(shí)現(xiàn)方式滿足廣泛的應(yīng)用需求。
1984年SGS的工程師成功將Bipolar/CMOS/DMOS/Diodes通過硅柵集成在一起。BCD首個(gè)器件是L6202電動機(jī)全橋驅(qū)動器，采用4微米技術(shù)，12層光罩，工作電壓60V，電流1.5A，開關(guān)頻率300kHz，達(dá)到所有設(shè)計(jì)目標(biāo)。這個(gè)新的可靠工藝技術(shù)讓芯片設(shè)計(jì)人員能夠在單個(gè)芯片上靈活地集成功率、模擬和數(shù)字信號處理電路。
經(jīng)過35年的發(fā)展，意法半導(dǎo)體開發(fā)了一系列對全球功率IC影響深遠(yuǎn)的BCD工藝，如BCD3（1.2微米）、BCD4（0.8微米）、BCD5（0.6微米）。
意法半導(dǎo)體目前提供三種主要的BCD技術(shù)，包括BCD6（0.35微米）/BCD6s（0.32微米）、BCD8（0.18微米）/BCD8s（0.16微米和BCD9（0.13微米）/BCD9s（0.11微米），其第十代BCD工藝將采用90納米。
BCD6和BCD8還提供SOI工藝選項(xiàng)。
展開 意行半導(dǎo)體推民用毫米波雷達(dá)MMIC解決方案
楊守軍表示，意行半導(dǎo)體已經(jīng)發(fā)布了一個(gè)24 GHz毫米波雷達(dá)單芯片SG24TR14 MMIC，可以同時(shí)發(fā)送一個(gè)信號和接收四個(gè)信號。而且該公司已經(jīng)量產(chǎn)SG24T1/SG24R1套片，以及可向中國相關(guān)領(lǐng)域客戶同時(shí)發(fā)送一個(gè)信號和接收四個(gè)信號的SG24TR12單芯片。
楊守軍表示，毫米波雷達(dá)技術(shù)有望越來越多地應(yīng)用于很多國家迅速發(fā)展的智能汽車中，但是，該技術(shù)仍需要3至5年，才能看到其在自動駕駛領(lǐng)域的需求出現(xiàn)爆炸性增長。此外，毫米波雷達(dá)技術(shù)在物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、智能城市、智能家居和其他消費(fèi)電子領(lǐng)域的垂直應(yīng)用領(lǐng)域也有很大潛力，將為中國的毫米波雷達(dá)解決方案供應(yīng)商提供新的商機(jī)。
意行半導(dǎo)體在廈門政府提供資助的IC（集成電路）設(shè)計(jì)公共服務(wù)平臺上，打造了一個(gè)致力于測試和研發(fā)毫米波雷達(dá)芯片和系統(tǒng)的平臺。2017年，該公司在A輪融資中，獲得中國寶安集團(tuán)（China Baoan Group）和北汽產(chǎn)投（BAIC Capital）等公司的大量資金支持，使得該公司能夠迅速研發(fā)大量毫米波雷達(dá)芯片解決方案和雷達(dá)系統(tǒng)。
來源：蓋世汽車網(wǎng)
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