SiC功率模塊的案例
國產氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊，提升新能源汽車五項重要性能
▲全球汽車廠商部分車型逆變器技術碳化硅SiC功率模塊量產時間
現如今，隨著新能源電動汽車爆發式增長，氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊，對提升新能源汽車加速度、續航里程、輕量化、充電速度、電池成本5項性能尤為重要。全球眾多汽車廠商在新出的新能源電動汽車車型上，大都采用了或者準備采用氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊。據業內機構估計，隨著眾多基于800V高壓平臺架構的新能源汽車將進入量產階段，到2030年將有超過65%的新能源電動汽車電子功率器件領域采用Si3N4-AMB氮化硅陶瓷覆銅基板工藝升級的SiC功率模塊技術。
1、氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊提升新能源電動汽車加速度性能
曾幾何時，談起新款剛上市新能源電動汽車的重要性能，起步百公里加速時間是一項必談重要性能參數。新能源電動汽車加速性能與動力系統輸出的最大功率和最大扭矩密切相關，氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊技術允許驅動電機在低轉速時承受更大輸入功率，而且不怕因為電流過大所導致的熱效應和功率損耗，這就意味著新能源電動汽車起步時，驅動電機可以輸出更大扭矩，提升加速度，強化加速性能。
2、氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊增加新能源電動汽車續航里程
續航里程，續航里程，還是續航里程。續航里程是目前新能源電動汽車的首要痛點。氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊通過導通與開關兩個維度降低電能損耗，減少電能耗損失，提升效率，從而實現增加新能源電動汽車續航里程的目的。
3、氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊縮短新能源電動汽車充電時間
充電時間長短是評價一輛新能源電動汽車性能的重要參數，氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊，可在800V的高壓平臺上搭配350kW超級充電樁，以提升充電速度，縮短充電時長。
展開 哈爾濱理工大學蔡蔚教授團隊研究成果：SiC 功率模塊封裝技術及展望
美國GE公司的全球研究中心設計了一種疊層母線結構，構造與模塊重疊并聯的傳導路徑，使回路電感降至4.5 nH。德國賽米控公司采用納米銀燒結和SKiN布線技術，研發出SiC功率模塊的高溫、低感封裝方法。德國英飛凌公司采用壓接連接技術，研制出高壓SiC功率模塊。德國Fraunholfer研究所采用3D集成技術研制出高溫（200 ℃）、低感（≤1 nH） SiC功率模塊。瑞士ABB公司采用3D封裝布局，研制出大功率低感SiC功率模塊。瑞士ETH采用緊湊化設計，優化功率回路，研制出寄生電感≤1 nH的低電感SiC功率模塊［
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］。日本尼桑公司基于雙層直接敷銅板（direct bonded copper， DBC）封裝，研制出低感SiC功率模塊，應用于車用電機控制器。
上述碳化硅的優良特性，只有通過模塊封裝布局的可靠性設計、封裝材料的選型、參數的優化、信號的高效和封裝工藝的改善，才能得以充分發揮。
本文提出的解決方案討論
本文中重點聚焦典型封裝結構下，低雜散參數、雙面散熱模塊下緩沖層的影響和功率模塊失效機理等關鍵技術內容的梳理總結，最后展望了未來加壓燒結封裝技術和材料的發展。
1 模塊封裝形式
隨著新興戰略產業的發展對第3代寬禁帶功率半導體碳化硅材料和芯片的應用需求，國內外模塊封裝技術也得到迅速發展，追求低雜散參數、小尺寸的封裝技術成為封裝的密切關注點，國內外科研團隊和半導體產業設計了結構各異的高性能功率模塊，提升了SiC基控制器的性能。
（1） 傳統封裝：Wolfspeed、Rohm和Semikron等制造商大多延用傳統Si基封裝方式，功率等級較低，含有金屬鍵合線，雜散電感較大。
展開 當國產氮化硅陶瓷基板邂逅碳化硅功率模塊，中國新能源汽車開啟性能狂飆模式
3、當氮化硅陶瓷基板邂逅碳化硅功率模塊，新能源電動汽車縮短充電時間
充電時間長短是評價一輛新能源電動汽車性能體驗感的重要參數，當氮化硅陶瓷基板邂逅碳化硅功率模塊，氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊高擊穿電場強度特性，有助于提高碳化硅器件的功率范圍，降低通電電阻，可在800V及以上的高壓平臺上搭配350kW以上超級充電樁，以提升充電速度，縮短充電時長。
4、當氮化硅陶瓷基板邂逅碳化硅功率模塊，有助于新能源電動汽車輕量化
當氮化硅陶瓷基板邂逅碳化硅功率模塊，氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊增強電氣和機械性能以及可靠性，能夠實現高頻開關，減少濾波器，變壓器、電容、電感等無源器件的使用，從而減少系統體系和重量，相同功率等級下實現封裝體積尺寸更小。同時，氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊且具有良好的熱導率，可以使器件模塊工作于較高的環境溫度中，從而減少散熱器體積和重量。SiC可以降低開關與導通損耗，使系統效率提升，同樣續航范圍內，可以減少電池容量，有助于車輛輕量化。
5、當氮化硅陶瓷基板邂逅碳化硅功率模塊，新能源電動汽車降低電池成本
充電功率相同的情況下，當氮化硅陶瓷基板邂逅碳化硅功率模塊，氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊實現新能源電動汽車在800V高壓快充架構下的高壓線束直徑更小，相應成本更低；氮化硅陶瓷基板升級SiC碳化硅功率模塊高熱導率實現新能源電動汽車電池散熱的更少，相對降低電池熱管理難度，進一步降低電池整體成本。
展開 國內首條SiC智能功率模塊生產線在廈門正式投產
目前來看我覺得還是有機會的，雖說碳化硅基器件仍不便宜，但是被動元件的節省以及散熱壓力的減小是的碳化硅基的功率模塊已然能做到接近兩毛五一瓦的價格，而且是在當前終端市場很不成熟的條件下做到的，SiC外延片的尺寸的突破以及位錯密度的持續降低，將會促進成本的進一步降低。
運載工具（車船飛機等）上的功率轉換模塊的輕量化要求將會為碳化硅基功率模塊提供機會，只不過可靠性的驗證需要時間，且部分領域需要相當的時間，而且無法跳過。對于從業者來說，我覺得乘著終端市場仍未起來前做積累并在博士期間多做些企業項目是很有價值的。
來源：廈門網
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SiC和GaN功率器件為何能夠在電子界唱主角？原因在此
相比Si基器件，使用SiC器件的EV逆變器可以小5倍、輕3倍，功耗降低50%。
例如，ROHM Semiconductor開發的BSM300D12P2E001半橋SiC功率模塊，將SiC MOSFET與SiC SBD集成封裝，最大限度地降低了先前由IGBT尾電流和FRD恢復損耗引起的開關損耗（圖2）。
圖2：與IGBT模塊相比，集成SiC MOSFET和SBD的全SiC功率模塊損耗更低，即使高速開關操作亦是如此。（圖片來源：ROHM Semiconductor）
與IGBT相比，ROHM Semiconductor的SiC基MOSFET損耗明顯降低了73%。該公司推出的MOSFET系列耐壓高達1700V，導通電阻范圍為45m?至1150m?，采用TO-247N、TO-3PFM、TO-268-L和TO-220封裝。
此外，ROHM推出的SiC肖特基勢壘二極管通過了AEC-Q101汽車級標準鑒定。該器件恢復時間短、開關速度快、溫度依賴性小、正向電壓低，可耐壓650V，電流范圍為6至20A。
SiC器件在EV應用中發揮的作用
作為首家主逆變器集成全SiC功率模塊的電動汽車制造商，特斯拉 (Tesla) 在特斯拉3型轎車中采用了這項技術。S型和X型等此前特斯拉車型，均采用TO-247封裝的IGBT。特斯拉與STMicroelectronics合作，將SiC功率模塊組裝在逆變器的散熱器上。
展開 技術 | 碳化硅功率器件的三大關鍵技術！
SiC功率器件的關鍵技術
碳化硅半導體功率器件的制作產業鏈涉及內容總體上分為五大塊，即襯底、外延、器件、封裝、系統應用，且產業鏈涉及較多的環節，如芯片生產制作、功能模塊設計等。相對于傳統的硅基應用技術，碳化硅半導體功率器件生產中在關鍵步驟有著較多的挑戰。
襯底和外延
襯底是功率器件的基礎，由于目前Si基功率器件生產廠商的大部分生產線支持4英寸以上的晶圓，因此4、6英寸及以上SiC襯底技術的成熟是SiC功率器件在所有重要領域大規模應用的前提條件。
SiC的單晶生長最常采用的是物理氣相傳輸法，但SiC-SiO2介面的缺陷密度高，通道電子遷移率底，導致半導體性能與可靠性下降，不能體現出SiC材料的優勢。
隨著技術的發展，通過特殊柵氧化工藝或溝槽結構等方法，已能夠生產出微管密度幾乎為零的4和6英寸晶片，8英寸晶片也正在研制中，但成本較高，目前市場上的產品仍以4英寸單晶襯底為主。
外延材料方面，SiC采用的是同質外延生長技術，設備與生長技術已比較成熟，可生長出超過100~200μm的SiC外延材料，外延生長中亟需解決的是生長缺陷問題。
功率器件
最先實現產業化的SiC二極管中成熟度最高的是SiCSBD，SBD具有PN結肖特基勢壘復合結構，可消除隧穿電流對實現最高阻斷電壓的限制，充分發揮SiC臨界擊穿電場強度高的優勢。
SiC功率模塊分為混合SiC模塊和全SiC功率模塊。
展開 電力電子 | 仿真助力意法半導體開展SiC模塊設計
如今，功率半導體SiC在包括電動汽車在內的各種電子應用中發揮著越來越重要的作用。其中，可靠性對于這些應用至關重要，這是因為上述大部分應用中，組件都必須承受極高的溫度。根據其組成材料不同，每個系統中的電子組件都會在溫度波動時，承受不同程度的熱膨脹。組件之間的這些差異或形狀變化可能會導致熱應力，從而導致機械故障。
在Ansys Icepak中運行熱機械仿真，有助于ST快速準確地評估其SiC功率模塊設計在這些環境條件下的行為和完整性，并識別潛在的過早失效情況。工程師可以在虛擬環境中評估設備內的熱量分布，然后識別并解決可能給系統造成應力并導致過熱或失效的任何臨界點。
如何在開發過程中實現冷卻折衷方案
將功率損耗降至最低固然重要，但大電流產生的熱量會導致功率半導體模塊失效，尤其是在高溫環境中。因此，必須考慮高效的冷卻機制，才能在不影響模塊性能、可靠性、效率和使用壽命的前提下，保持連續輸出的高功率密度。
在混合物中引入冷卻技術可以提高傳熱速率，即半導體器件耗散熱量的速率。然而，這些技術，可能會增加系統中的壓降或冷卻劑流動的阻力水平。這種增加反過來會使系統需要更多能量，來推動冷卻流體（在本例中為空氣或液體）在系統中流動，以實現組件冷卻。壓降還會降低傳熱速率，從而進一步影響系統效率。
因此，在傳熱速率和壓降水平之間找到最佳的折衷方案，對于在各種汽車應用中實現最佳熱性能至關重要。
電源模塊熱圖，考慮了屬于同一開關的不平衡芯片
使用Ansys Mechanical將物理場整合在一起
ST工程師依靠機械仿真來評估整個模型模塊的結構完整性，并考慮各種應力，包括運行過程中可能發生的振動、沖擊和變形。通過在Ansys Mechanical中專注于特定模塊設計，工程師可以優化給定的模塊設計，以實現最佳的工作性能，從而降低失效風險并提高設備的整體可靠性。
展開 入局碳化硅，蔚來將建SiC功率模塊實驗線？
據公示消息，蔚然動力項目分為8個內容，其中包括新增碳化硅實驗室，將自研一條碳化硅功率模塊工藝實驗線，新增若干測試設備。
據了解，碳化硅材料可使系統效率更高、重量更輕，且結構更緊湊。在電動汽車中，碳化硅可應用于驅動和控制電機的逆變器、車載充電器、快速充電樁等系統。目前，不少電動車制造商均開始快速導入碳化硅技術。
電動車制造商入局碳化硅，不僅可以保證自己掌握核心的技術壁壘，形成更好的用戶體驗，也能加強供應鏈的穩定。
值得注意的是，今年6月，蔚來首臺碳化硅電驅系統C樣件（批量樣件，用于工藝和生產試驗驗證）下線。作為蔚來第二代電驅動平臺的產品，該電驅系統更加高效、緊湊、輕量化，是當前電動車制造領域的先進技術。
據悉，該SiC電驅系統將搭載在ET7上，為車輛提供更長的續航里程。蔚來ET7于今年1月全球首發，5月正式下線。車輛定位為純電動中大型轎車，配備容量為70kWh、100kWh和150kWh三種電池包，NEDC工況下續航里程分別超過500km、700km和1000km。
來源：化合物半導體市場
展開 智芯研報 | 碳化硅SiC功率器件在電動汽車中的研究與應用
SiC 材料具有兩倍于Si 的電子飽和速度，使得SiC 器件具有極低的導通電阻(1/100 于Si)，導通損耗低；SiC 材料具有3倍于Si 的禁帶寬度，泄漏電流比Si 器件減少了幾個數量級，從而可以減少功率器件的功率損耗；關斷過程中不存在電流拖尾現象，開關損耗低，可大大提高實際應用的開關頻率(10 倍于Si)。
4）可以減小功率模塊的體積。
由于器件電流密度高(如Infineon 產品可達700A/cm2)，在相同功率等級下，全SiC 功率模塊(SiC MOSFETsSiC SBD)的封裝尺寸顯著小于Si IGBT 功率模塊。
▲三菱電機 Si 和SiC 功率模塊封裝對比
由于開關損耗的降低，SiC 器件能工作于20kHz 以上開關頻率，將夠顯著減小無源器件的體積和成本。
▲三菱電機 11kW Si 和SiC 逆變器體積對比，其中SiC逆變器的功率密度達到10W/cm3
▲典型的電動汽車電源架構
隨著電動汽車以及其他系統的增長，碳化硅（SiC）功率半導體市場正在經歷需求的突然激增。
這便是SiC的用武之地。基于氮化鎵（GaN）的功率半導體也正在出現。GaN和SiC都是寬帶隙技術。硅的帶隙為1.1 eV。相比之下，SiC的帶隙為3.3 eV，GaN的帶隙為3.4 eV。
SiC是一種基于硅和碳的復合半導體材料。在生產流程中，專門的SiC襯底被開發出來，然后在晶圓廠中進行加工，得到基于SiC的功率半導體。
許多基于SiC的功率半導體和競爭技術都是專用晶體管，它們可以在高電壓下開關器件的電流。它們用于電力電子領域，可以實現系統中電力的轉換和控制。
展開 一文讀懂：第三代半導體行業現狀和投資機遇
（3）SiC 器件高端檢測設備被國外所壟斷。
4）當前 SiC 功率模塊主要有引線鍵合型和平面封裝型 2 種。
為了充分發揮 SiC 功率器件的高溫、高頻優勢，必須不斷降低功率模塊的寄生電感、降低互連層熱阻，并提高芯片在高溫下的穩定運行能力。目前 SiC 功率模塊存在的主要問題：（1）采用多芯片并聯的 SiC 功率模塊，由于結電容小、開關速
度高，因此在開關過程中會出現極高的電流上升率（di/dt）和電壓上升率（du/dt），在這種情況下會產生較嚴重的電磁干擾和額外損耗，無法發揮 SiC器件的優良性能；SiC 功率模塊的封裝工藝和封裝材料基本沿用了硅功率模塊的成熟技術，在焊接、引線、基板、散熱等方面的創新不足，功率模塊雜散參數較大，可靠性不高。（2）SiC功率高溫封裝技術發展滯后。目前 SiC器件高溫、高功率密度封裝的工藝及材料尚不完全成熟。為了發揮 SiC 功率器件的高溫優勢，必須進一步研發先進燒結材料和工藝，在高溫、高可靠封裝材料及互連技術等方面實現整體突破。
5）SiC 功率器件的驅動技術尚不成熟
。為了充分發揮 SiC 功率器件的高頻、高溫特性，要求其驅動芯片具有工作溫度高、驅動電流大和可靠性高的特點，目前 SiC功率器件的驅動芯片及驅動電路仍然沿用硅器件的驅動技術，尚不能發揮 SiC功率器件高溫、高頻的工作特性，使得 SiC 功率器件在實際使用過程中難以達到設計的極限性能。
6）SiC器件的應用模型尚不能全面反映SiC器件的物理特性。
目前 SiC 器件物理特性的數學模型主要有基于模擬等效電路的數學模型和基于物理模型的數學模型。基于模擬等效電路的模型結構簡單，但是精度難以保證，一般只適合于對精度要求較低的常規工業場合。
展開 碳化硅功率器件的性能分析與多芯片并聯應用研究--碳化硅MOSFET&功率模塊
減小開關損耗的方法，一是優化應用電路進一步提高開關速度，二是采用軟開關，兩者都是提高了設計難度，同時也增加了電路的復雜度
總結上面的SiC MOSFETＴ高性能帶來的問題，答案可能會集中在緊湊的布局設計和良好的導熱設計上，而這兩點在SiC MOSFET分立器件中都無法很好的解決，只有模塊應用才能得到比較好的綜合性能。
此外，目前關于SiC MOSFET的一個熱門應用研究是基于電動汽車電機驅動的應用，電機驅動的輸出功率較大，即使小型電動汽車也有幾十千瓦的功率等，所以單個SiC MOSFET是無法達到這樣的功率容量要求的，只有多芯片并聯的方式才能夠滿足功率需求。
SiC MOSFET目前依然價格偏高，盡管在大功率應用中可以通過冷卻系統的成本降低來減少系統總成本，但在中低功率系統中很難從其他方面（比如散熱系統簡化、無源器件減小、運行損耗降低等等）來平衡SiC MOSFET芯片的成本增加，因此從降低系統成本角度出發，對于特定功率容量的模塊，芯片數量的優化是一個需要考慮的方面。
功率模塊是SiC MOSFET的最重要封裝形式，不僅可以較容易實現功率擴容，還便于開關過程中高頻回路的優化設計，同時便于提高整機的功率密度，更好的發揮出SiC MOSFET的性能優勢。除此之外，功率模塊的散熱能力相對于分立器件要高很多，因此非常有利于在電動汽車中電機驅動方面的應用。
電動汽車的電機驅動的電路結構一般有兩種。
展開 
昭和電工/羅姆/富士電機等日本企業大力發展高性能SiC功率半導體
羅姆（ROHM）致力于SiC的研發較早，在2012年成為世界上第一家大規模生產「全SiC 」功率模塊的公司，即所有的功率半導體元件均由SiC制成。羅姆的優勢在于能夠處理從晶圓料到產品封裝的整個工序。并且羅姆也在加強對生產設備的投資。在未來五年內，投資600億日元（約人民幣35.35億元），力爭到2025年將在全球SiC功率半導體市場的份額從現在的大約20%提高到大約30%。與一些半導體和電子元件制造商的股票相比，羅姆的股價幾乎仍然停留在年初的較低水平，所以還有上升空間。
重型電氣設備制造商富士電機，其核心技術是功率半導體和電力電子。富士電機將硅和碳化硅功率半導體作為器件對外銷售的同時，也將其整合到本公司的電力電子和能源系統中。據報道，為了應對以汽車領域為中心的功率半導體不斷增長的需求，富士電機在2021年4月提出將未來四年內共投資1200億日元(約人民幣70.58億元)的投資增產計劃提前實施，因此今后的業績提高值得期待。自年初以來，雖然富士電機股價上漲了40%而處于高位，但從投資指數的角度來看，股價并未被高估，預計未來還會上漲。
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展開 智芯研報 | 碳化硅與硅在汽車市場大動干戈
但有一點可以肯定，SiC MOSFET在高溫下導通電阻非常低，結合其在所有溫度范圍內都具有比同類硅IGBT更好的開關性能，如果輔以先進的創新封裝，既可以簡化汽車電力系統的熱設計，也可以實現更高效、緊湊和輕量的系統。
電動汽車SiC商用時代開啟
本世紀初，SiC器件開始商業化應用。20年來，它已從國防軍工等不計成本的高端市場走進尋常市場應用。隨著越來越多的公司開發SiC器件，其發展勢頭日益迅猛。在汽車領域，作為顛覆性技術的SiC將為電動汽車應用帶來創新和最新的商業機會。
事實上，SiC的汽車商用早在2018年即已開始。第一個采用SiC器件封裝解決方案的主機廠是特斯拉。當時，Model 3逆變器搭載了意法半導體（ST）的SiC功率模塊，這是SiC功率模塊在電動汽車中的首次商用。
電動汽車首款商用SiC模塊
ST為特斯拉打造的逆變器由24個1合1功率模塊組成，模塊封裝在Pin Fin散熱片上。每個模塊包含兩個采用片芯連接解決方案的SiC MOSFET，并通過銅夾直接連接在端子上，以利用銅基板散熱，降低傳導損耗和開關損耗。
同年，英飛凌也推出了第一個雙面冷卻IGBT模塊FF400R07A01E3，當然它還是硅器件；三菱電機的第7代IGBT J1系列650V大功率汽車功率模塊也是如此。這些硅基模塊在封裝設計和材料解決方案上與ST的SiC MOSFET差別很大。從那以后，研發SiC MOSFET的頭部半導體公司都加持了SiC，并從市場獲得了很好的回報。
當時，在積極立法的推動下，減少二氧化碳排放已成為未來的主旋律。
展開 SiC有何魔力？盤點車企與SiC的那些事兒
2021年6月，首臺碳化硅電驅系統C樣件（批量樣件，用于工藝和生產試驗驗證）也已經于今年6月在南京先進制造技術中心正式下線，該碳化硅電驅系統將搭載在ET7上，標志著蔚來成為特斯拉、比亞迪之后，又一家成功將SiC技術應用至其量產車型功率器件零部件的車企。該碳化硅電驅系統將在2022年隨著蔚來ET7的交付正式量產，該車將是全球首批應用碳化硅功率模塊的電動車之一。在新技術的幫助下，ET7 的續航里程能夠超過 1000 公里。
2021年10月份消息，蔚來將自研一條SiC功率模塊工藝實驗線，新增若干測試設備。與此同時，蔚來也與碳化硅功率模塊供應商合作伙伴簽訂了長期的協議，可保證獲得優先的供貨。未來，蔚來在推動SiC應用于新能源量產車型方面取得的進一步成果將備受期待。
2021年11月29日，ET7首批預生產車正式下線，作為蔚來旗下首款轎車，基于SiC功率模塊的電驅動系統，量產進程穩步推進。
SiC功率模塊主要用在ET7電驅動系統中的前永磁同步電機系統，取代了傳統的硅基IGBT功率模塊，彌補了傳統硅基IGBT電壓范圍窄、通過的電流不夠大的劣勢。
值得一提的是，碳化硅功率模塊未來有望陸續配備在ES8 、ES6及EC6在內的全系車型上。
2021年12月18日，蔚來宣布ET7將于2022年1月20日開啟鎖單，3月28日開啟交付。
2021蔚來日（NIO Day 2021）當天，蔚來又發布了一款搭載SiC功率模塊電驅動系統的車型——中型智能電動轎跑ET5，預計2022年9月開啟交付。ET5搭載了蔚來SiC功率模塊新一代高效電驅平臺。
展開 半導體 | Ansys助力onsemi實現產品電氣化和流程創新
為了可靠地實現SiC功率模塊的大規模生產，onsemi的產品開發團隊必須了解電氣、熱和機械相互作用，以及它們如何影響模塊性能和可靠性。
Victory表示：“建模和仿真在任何行業都具有重要意義，而在我的職業生涯中，我親眼見證了它們如何為半導體制造商帶來令人難以置信的價值。事實上，半導體公司可以將其建模和仿真功能轉化為顯著的競爭優勢。”Victory認為，仿真是縮短真正的開創性設計（如onsemi的SiC芯片）開發周期的最佳途徑，制造商可以由此提高創新速度，緊跟技術和市場變革的步伐。
產品創新始于流程創新
Victory及其團隊與Ansys合作開發了一種新方法，用于自動執行和加速驗證onsemi SiC MOSFET工業功率模塊的多保真度熱建模（MFIT）流程。
IEEE Explore上發表的一篇技術論文中，對他們的創新型專有方法進行了介紹，論文題為《Automated Multidisciplinary Analysis and Lab Verification for Silicon-Carbide Based Power Modules》（碳化硅功率模塊的自動化多學科分析和實驗室驗證） 。
由onsemi和Ansys共同開發的基于Web的自動化MFIT流程，不僅可加速基于SiC的功率模塊設計電熱建模，同時還提高了其準確性。
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