移相全橋的案例
干貨｜詳細(xì)解讀移相全橋的十二種工作模態(tài)
上圖是移相全橋的拓?fù)鋱D，各個(gè)元件的意義如下：
Vin：輸入的直流電源
T1-T4：4個(gè)主開(kāi)關(guān)管，一般是MOSFET或IGBT
T1,T2稱為超前臂開(kāi)關(guān)管，T3,T4稱為滯后臂開(kāi)關(guān)管
C1-C4：4個(gè)開(kāi)關(guān)管的寄生電容或外加諧振電容
D1-D4：4個(gè)開(kāi)關(guān)管的寄生二極管或外加續(xù)流二極管
VD1,VD2:電源次級(jí)高頻整流二極管
TR：移相全橋電源變壓器
Lp：變壓器原邊繞組電感量
Ls1,Ls2:變壓器副邊電感量
Lr：變壓器原邊漏感或原邊漏感與外加電感的和
Lf：移相全橋電源次級(jí)輸出續(xù)流電感
Cf: 移相全橋電源次級(jí)輸出電容
RL: 移相全橋電源次級(jí)負(fù)載
因?yàn)槭亲隼碚摲治觯砸獙⒁恍┢骷奶匦岳硐牖唧w如下：
1、 假設(shè)所有的開(kāi)關(guān)管為理想元件，開(kāi)通與關(guān)斷不存在延遲，導(dǎo)通電阻無(wú)窮小；開(kāi)關(guān)管的體二極管或者外部的二極管也為理想元件，其開(kāi)通與關(guān)斷不存在延遲，正向壓降為0。
2、 所有的電感，電容都為理想元件，不存在寄生參數(shù)，變壓器也為理想變壓器，不存在漏感與分布參數(shù)的影響，勵(lì)磁電感無(wú)窮大，勵(lì)磁電流可以忽略，諧振電感是外加的。
3、 超前橋臂與滯后的諧振電容都相等，即C1=C2=Clead，C3=C4=Clag。
次級(jí)續(xù)流電感通過(guò)匝比折算到初級(jí)的電感量LS`遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于諧振電感的感量Lr即LS=Lr*n2》Lr。
展開(kāi) 干貨｜資深工程師總結(jié)的22個(gè)電源研發(fā)問(wèn)題
（考慮到PCB板濾波效果，電容低溫容值降低），紋波電流計(jì)算式如下：
問(wèn)題十八：移相全橋的驅(qū)動(dòng)是什么實(shí)現(xiàn)的？何為移相？移相帶來(lái)什么？
移相全橋目前在中大功率使用中，也是用的很火，受歡迎程度僅次于LLC諧振半橋。之前已經(jīng)比較過(guò)不同拓?fù)涞氖褂们闆r，這里就專門(mén)介紹下移相全橋的特點(diǎn)。
移相全橋特點(diǎn)一：驅(qū)動(dòng)比較復(fù)雜，導(dǎo)致控制電路復(fù)雜，成本很高，原因是移相全橋一般有4個(gè)MOS，對(duì)驅(qū)動(dòng)能力要求很高，一般IC很難做到，需要對(duì)驅(qū)動(dòng)能力通過(guò)外置MOS管放大使用，又為了加強(qiáng)可靠性一般采用隔離變壓器來(lái)驅(qū)動(dòng)MOS管。
移相全橋特點(diǎn)二：移相，為什么要移相，移相帶來(lái)什么，跟普通全橋有什么區(qū)別。移相針對(duì)的是同一組的MOS管，讓2個(gè)MOS管依次導(dǎo)通，可以降低開(kāi)關(guān)損耗。超前臂橋實(shí)現(xiàn)ZVS同時(shí)，副邊處于續(xù)流，原邊電流被二極管分擔(dān)，MOS管電流也很小，近似零電流導(dǎo)通，滯后臂橋可以零電壓導(dǎo)通。
移相全橋特點(diǎn)三：工作過(guò)程復(fù)雜，二個(gè)輸出功率狀態(tài)（靠原邊提供能量），二個(gè)續(xù)流狀態(tài)（靠副邊電感及電容提供供能量），四個(gè)死區(qū)（來(lái)分別實(shí)現(xiàn)每個(gè)MOS管軟開(kāi)通I）
只是為了給新手了解移相全橋，作為開(kāi)關(guān)電源比較重要的拓?fù)湟徊糠郑闹攸c(diǎn)和難點(diǎn)在哪里。
問(wèn)題十九：大功率若追求效率，無(wú)橋PFC是怎么實(shí)現(xiàn)的？原理是什么？
很多人都聽(tīng)說(shuō)過(guò)無(wú)橋PFC，不過(guò)真正使用起來(lái)并不很常見(jiàn)，原因是無(wú)橋PFC相比普通有橋PFC效率上固然有提升，一般也就在1-2%，若不是追求高效，一般都不會(huì)使用，成本太高。根據(jù)無(wú)橋PFC的特點(diǎn)，其實(shí)整流橋并沒(méi)有真正省去不用，只是當(dāng)做交流輸入正負(fù)半軸的隔離使用，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)相當(dāng)于普通二個(gè)PFC，交流正負(fù)半軸各一個(gè)，相應(yīng)的PFC電感也會(huì)增加一個(gè)，MOS管也會(huì)增加一個(gè)，驅(qū)動(dòng)IC也會(huì)復(fù)雜一些，對(duì)于大功率為了做高效，檢測(cè)電阻用變壓器繞組來(lái)做，可以減小損耗。
展開(kāi) 干貨 | 電源開(kāi)發(fā)的23個(gè)經(jīng)典問(wèn)題解答
（考慮到PCB板濾波效果，電容低溫容值降低），紋波電流計(jì)算式如下：
問(wèn)題十八
移相全橋的驅(qū)動(dòng)是什么實(shí)現(xiàn)的？何為移相？移相帶來(lái)什么？
移相全橋目前在中大功率使用中，也是用的很火，受歡迎程度僅次于LLC諧振半橋。之前已經(jīng)比較過(guò)不同拓?fù)涞氖褂们闆r，這里就專門(mén)介紹下移相全橋的特點(diǎn)。
移相全橋特點(diǎn)一：驅(qū)動(dòng)比較復(fù)雜，導(dǎo)致控制電路復(fù)雜，成本很高，原因是移相全橋一般有4個(gè)MOS，對(duì)驅(qū)動(dòng)能力要求很高，一般IC很難做到，需要對(duì)驅(qū)動(dòng)能力通過(guò)外置MOS管放大使用，又為了加強(qiáng)可靠性一般采用隔離變壓器來(lái)驅(qū)動(dòng)MOS管。
移 相全橋特點(diǎn)二：移相，為什么要移相，移相帶來(lái)什么，跟普通全橋有什么區(qū)別。移相針對(duì)的是同一組的MOS管，讓2個(gè)MOS管依次導(dǎo)通，可以降低開(kāi)關(guān)損耗。超 前臂橋實(shí)現(xiàn)ZVS同時(shí)，副邊處于續(xù)流，原邊電流被二極管分擔(dān)，MOS管電流也很小，近似零電流導(dǎo)通，滯后臂橋可以零電壓導(dǎo)通。
展開(kāi) 關(guān)注 | SiC器件如何改變半導(dǎo)體行業(yè)的面貌
就絕對(duì)值而言，SiC FET 在 650V 器件上實(shí)現(xiàn)小于 7 毫歐的導(dǎo)通電阻，在 1200V 額定值下實(shí)現(xiàn)小于 10 毫歐，同時(shí)與硅定價(jià)相匹配。通過(guò) UnitedSiC 以 SOT-227 格式展示的 2 毫歐、1200V 性能，模塊封裝中的并聯(lián)部件可以做得更好
圖1：SOT-227 封裝中的六個(gè) SiC FET，額定電壓為 1200V 2 毫歐
SiC FET 的一個(gè)主要應(yīng)用是作為 Si-MOSFET 和 IGBT 的直接替代品，這得益于簡(jiǎn)單、兼容的柵極驅(qū)動(dòng)和流行的 TO-247 封裝。現(xiàn)有應(yīng)用，尤其是 IGBT 的開(kāi)關(guān)頻率可能較低，但新設(shè)計(jì)可以利用新推出的 DFN8x8 封裝中 SiC FET 的高頻和邊緣速率能力。這大大降低了電感，使其非常適合硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用，例如 LLC 和移相全橋轉(zhuǎn)換器。通過(guò) SiC FET 通道的固有反向傳導(dǎo)，充當(dāng)?shù)蛽p耗、快速恢復(fù)的體二極管，在這方面也有幫助。
我們今天在哪里找到 SiC FET
作為 IGBT 和 Si-MOSFET 的直接替代品，SiC FET 用于升級(jí)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、UPS 逆變器、焊機(jī)、大功率 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等。
展開(kāi) 
PPEC32F334RBT7：賦能通信與服務(wù)器電源新發(fā)展
同時(shí)，預(yù)置電源控制核心固件配合 PPEC Workbench 平臺(tái)，涵蓋移相全橋拓?fù)洹LC諧振拓?fù)洹㈦p向有源全橋拓?fù)洹⑷嗄孀?整流)拓?fù)洹C串聯(lián)諧振拓?fù)洹蜗嗄孀?整流)拓?fù)洹uck/Boost拓?fù)洹ienna整流拓?fù)涞龋尮こ處熌芡ㄟ^(guò)拖拽式操作快速配置基站電源的電壓調(diào)節(jié)、負(fù)載均衡等功能，適應(yīng)不同網(wǎng)絡(luò)環(huán)境下的用電需求，保障通信信號(hào)的穩(wěn)定傳輸，提升通信網(wǎng)絡(luò)的服務(wù)質(zhì)量。
對(duì)于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源，芯片強(qiáng)大的圖形化編程能力和豐富的功能模塊組件至關(guān)重要。工程師可利用其狀態(tài)機(jī)、Modbus 等組件，靈活設(shè)計(jì)服務(wù)器電源的冗余控制、熱插拔管理等復(fù)雜功能。圖形化邏輯編程方式使控制流程清晰直觀，便于團(tuán)隊(duì)協(xié)作開(kāi)發(fā)與后期維護(hù)，確保服務(wù)器在長(zhǎng)時(shí)間高負(fù)荷運(yùn)行中電源供應(yīng)的穩(wěn)定可靠，守護(hù)海量數(shù)據(jù)的安全，助力數(shù)字通信行業(yè)的蓬勃發(fā)展。
展開(kāi) PPEC32F334RBT7：賦能通信與服務(wù)器電源新發(fā)展
同時(shí)，預(yù)置電源控制核心固件配合 PPEC Workbench 平臺(tái)，涵蓋移相全橋拓?fù)洹LC諧振拓?fù)洹㈦p向有源全橋拓?fù)洹⑷嗄孀?整流)拓?fù)洹C串聯(lián)諧振拓?fù)洹蜗嗄孀?整流)拓?fù)洹uck/Boost拓?fù)洹ienna整流拓?fù)涞龋尮こ處熌芡ㄟ^(guò)拖拽式操作快速配置基站電源的電壓調(diào)節(jié)、負(fù)載均衡等功能，適應(yīng)不同網(wǎng)絡(luò)環(huán)境下的用電需求，保障通信信號(hào)的穩(wěn)定傳輸，提升通信網(wǎng)絡(luò)的服務(wù)質(zhì)量。
對(duì)于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源，芯片強(qiáng)大的圖形化編程能力和豐富的功能模塊組件至關(guān)重要。工程師可利用其狀態(tài)機(jī)、Modbus 等組件，靈活設(shè)計(jì)服務(wù)器電源的冗余控制、熱插拔管理等復(fù)雜功能。圖形化邏輯編程方式使控制流程清晰直觀，便于團(tuán)隊(duì)協(xié)作開(kāi)發(fā)與后期維護(hù)，確保服務(wù)器在長(zhǎng)時(shí)間高負(fù)荷運(yùn)行中電源供應(yīng)的穩(wěn)定可靠，守護(hù)海量數(shù)據(jù)的安全，助力數(shù)字通信行業(yè)的蓬勃發(fā)展。
展開(kāi) PPEC32F334RBT7——汽車(chē)電子開(kāi)發(fā)的得力助手
而且平臺(tái)提供了汽車(chē)電子相關(guān)的工程模板，涵蓋移相全橋拓?fù)洹LC諧振拓?fù)洹㈦p向有源全橋拓?fù)洹⑷嗄孀?整流)拓?fù)洹C串聯(lián)諧振拓?fù)洹蜗嗄孀?整流)拓?fù)洹uck/Boost拓?fù)洹ienna整流拓?fù)涞取ｉ_(kāi)發(fā)者可以基于這些模板，快速配置核心參數(shù)，完成 PPEC 工程開(kāi)發(fā)，大大提高了開(kāi)發(fā)效率，讓汽車(chē)電子產(chǎn)品能夠更快地推向市場(chǎng)。
有了 PPEC32F334RBT7，汽車(chē)電子電源開(kāi)發(fā)不再是難題，讓你輕松應(yīng)對(duì)各種復(fù)雜的開(kāi)發(fā)任務(wù)，在汽車(chē)電子領(lǐng)域大展拳腳。
PPEC32F334RBT7：工業(yè)與消費(fèi)電子電源設(shè)計(jì)的零代碼圖形化編程利器
該芯片預(yù)設(shè)豐富PPEC工程模板，涵蓋移相全橋拓?fù)洹LC諧振拓?fù)洹㈦p向有源全橋拓?fù)洹⑷嗄孀?整流)拓?fù)洹C串聯(lián)諧振拓?fù)洹蜗嗄孀?整流)拓?fù)洹uck/Boost拓?fù)洹ienna整流拓?fù)涞取Ｍㄟ^(guò) PPEC Workbench 平臺(tái)豐富的工程模板，工程師能快速搭建適配不同工業(yè)場(chǎng)景的電源控制方案，如為自動(dòng)化生產(chǎn)線上的設(shè)備提供穩(wěn)定的直流電源，或使 UPS 在市電異常時(shí)迅速切換并穩(wěn)定供電，減少停機(jī)時(shí)間，提高生產(chǎn)效率，增強(qiáng)工業(yè)生產(chǎn)的連續(xù)性與可靠性。
在消費(fèi)電子領(lǐng)域的 LED 驅(qū)動(dòng)電源、變頻空調(diào)控制等方面，芯片優(yōu)勢(shì)明顯。在 LED 照明中，借助其圖形化編程實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的亮度調(diào)節(jié)與調(diào)光控制，提升照明舒適度與節(jié)能效果。在變頻空調(diào)控制里，利用芯片強(qiáng)大的運(yùn)算能力與靈活的邏輯編程，精確調(diào)節(jié)壓縮機(jī)、風(fēng)扇等部件的轉(zhuǎn)速，實(shí)現(xiàn)恒溫舒適與節(jié)能省電的完美結(jié)合。該芯片為消費(fèi)電子電源設(shè)計(jì)提供更多創(chuàng)意可能，推動(dòng)產(chǎn)品智能化升級(jí)，滿足消費(fèi)者對(duì)高品質(zhì)生活的追求。
展開(kāi) 電力電子技術(shù)的作用與發(fā)展簡(jiǎn)史
進(jìn)入20世紀(jì)90年代，各種軟開(kāi)關(guān)技術(shù)的開(kāi)發(fā)和應(yīng)用.如零電壓/零電流開(kāi)關(guān) PWM.零由壓/零由流轉(zhuǎn)移PWM、移相全橋和有源鉗位零電壓 PWM變換等都有很大發(fā)展。針對(duì)中等功率移相全橋零電壓 PWM技術(shù)的固有缺點(diǎn)以及應(yīng)用IGBT后的特點(diǎn)，人們又做了許多改進(jìn)研究，提出了混合ZCSZVS的 PWM移相全橋軟開(kāi)關(guān)技術(shù)。此后又提出大功率和多電平的軟開(kāi)關(guān)變換器新拓?fù)洌拐鞴芎洼o助開(kāi)關(guān)也實(shí)現(xiàn)了軟開(kāi)關(guān)，提高了電路效率，拓展了應(yīng)用范圍。這方面改進(jìn)和研究至今方興未艾。
數(shù)字化社會(huì)的各種通信和數(shù)據(jù)等電子設(shè)備對(duì)電源質(zhì)量的要求越來(lái)越高，不斷涌現(xiàn)的各種新型設(shè)備對(duì)電源的要求也越來(lái)越特殊，世界能源的緊缺對(duì)節(jié)約電能的要求也越來(lái)越高。總之，電源的高質(zhì)量變換、電能的節(jié)約，都越來(lái)越離不開(kāi)電力電子技術(shù)。除了前面提到的一般高質(zhì)量電源、電氣傳動(dòng)和電力系統(tǒng)離不開(kāi)電力電子技術(shù)外，奔騰Ⅱ以上的高速計(jì)算機(jī)中央處理芯片的正常工作離不開(kāi)電力電子技術(shù);現(xiàn)代無(wú)線數(shù)字通信離不開(kāi)電力電子技術(shù);網(wǎng)絡(luò)世界的正常運(yùn)行離不開(kāi)電力電子技術(shù);綠色環(huán)保和可再生新能源離不開(kāi)由力由子技術(shù)·由動(dòng)汽車(chē)和磁懸浮列車(chē)等交通工具離不開(kāi)電力電子技術(shù)，等等。
總之，電力電子技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域越來(lái)越廣，它的應(yīng)用已深入到使用電源的各個(gè)領(lǐng)域。電力由千技術(shù)領(lǐng)域涵蓋廣泛.是自動(dòng)化.信息化。國(guó)防，航天，運(yùn)輸，能源與環(huán)保等工業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)技術(shù)。根據(jù)美國(guó)總統(tǒng)科學(xué)與技術(shù)顧問(wèn)委員會(huì)的資料，電力電子技術(shù)已經(jīng)成為與國(guó)家經(jīng)濟(jì)發(fā)展密切相關(guān)的七大關(guān)鍵科技的重要支撐∶能源、環(huán)保、信息與通信、生命科學(xué)、制造業(yè)、材料、交通運(yùn)輸。因此可以說(shuō)，在電的世界里，21世紀(jì)是電力電子技術(shù)的世紀(jì)。
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展開(kāi) 為什么MOSFET和IGBT特性不同？
同理，當(dāng)你加上正向Vgs，導(dǎo)電溝道形成后，即使反向?qū)ǎ娏鲿?huì)選擇走電壓更低的導(dǎo)電溝道通路，因此反向?qū)〞r(shí)，加上Vgs可以讓導(dǎo)通壓降減小，這就是為什么LLC，移相全橋一類含有整流器的拓?fù)浜蛨D騰柱PFC，希望能做同步整流提高效率。
------------------------------------------
來(lái)看看IGBT的結(jié)構(gòu)
它的工作原理，可以按照上面的方法去分析。等效圖可以看出，IGBT有一個(gè)三極管串聯(lián)MOSFET，因此，三極管的這個(gè)PN結(jié)就帶來(lái)了前向電壓，結(jié)電容也帶來(lái)了更大的開(kāi)關(guān)損耗。但是不同于MOSFET，MOSFET導(dǎo)電的只是溝道部分，IGBT的導(dǎo)通區(qū)域更大，可傳導(dǎo)電流更多，因此，IGBT通常用于大功率中低頻率場(chǎng)合。另外，反向電壓時(shí)，這部分電壓加在了PNP上，所以，IGBT不自帶體二極管，而且一般不能承受較高的反向電壓，需要外面自接一個(gè)反并聯(lián)二極管增強(qiáng)反向?qū)芰Α?/span>
展開(kāi) 為什么MOSFET和IGBT特性不同？
同理，當(dāng)你加上正向Vgs，導(dǎo)電溝道形成后，即使反向?qū)ǎ娏鲿?huì)選擇走電壓更低的導(dǎo)電溝道通路，因此反向?qū)〞r(shí)，加上Vgs可以讓導(dǎo)通壓降減小，這就是為什么LLC，移相全橋一類含有整流器的拓?fù)浜蛨D騰柱PFC，希望能做同步整流提高效率。
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來(lái)看看IGBT的結(jié)構(gòu)
它的工作原理，可以按照上面的方法去分析。等效圖可以看出，IGBT有一個(gè)三極管串聯(lián)MOSFET，因此，三極管的這個(gè)PN結(jié)就帶來(lái)了前向電壓，結(jié)電容也帶來(lái)了更大的開(kāi)關(guān)損耗。但是不同于MOSFET，MOSFET導(dǎo)電的只是溝道部分，IGBT的導(dǎo)通區(qū)域更大，可傳導(dǎo)電流更多，因此，IGBT通常用于大功率中低頻率場(chǎng)合。另外，反向電壓時(shí)，這部分電壓加在了PNP上，所以，IGBT不自帶體二極管，而且一般不能承受較高的反向電壓，需要外面自接一個(gè)反并聯(lián)二極管增強(qiáng)反向?qū)芰Α?/span>
展開(kāi) 
工程師兩難之GaN還是SiC？到底該pick誰(shuí)？
這兩項(xiàng)數(shù)值越小，表明反向恢復(fù)特性越好，存儲(chǔ)的電荷越低（軟開(kāi)關(guān)拓?fù)渲校?em>橋結(jié)構(gòu)上下功率管所需要的死區(qū)越短）。可以看出，碳化硅MOSFET相比相近導(dǎo)通電阻的硅MOSFET，反向恢復(fù)電荷只有1/6左右，輸出電容上的電荷只有1/5左右。因此碳化硅MOSFET特別適合于體二極管會(huì)被硬關(guān)斷的拓?fù)洌ɡ珉娏鬟B續(xù)模式圖騰柱無(wú)橋PFC）及軟開(kāi)關(guān)拓?fù)洌↙LC，移相全橋等）。
碳化硅MOSFET還有一項(xiàng)出眾的特性：短路能力。相比硅MOSFET短路時(shí)間大大提升，這對(duì)于變頻器等馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用非常重要，圖12給出了英飛凌CoolSiC、CoolMOS及競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手短路能力的對(duì)比圖。從圖可知CoolSiC實(shí)現(xiàn)了短路時(shí)間長(zhǎng)，短路電流小等優(yōu)異特性，短路狀態(tài)下的可靠性大大提高。
展開(kāi) 氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET
這兩項(xiàng)數(shù)值越小，表明反向恢復(fù)特性越好，存儲(chǔ)的電荷越低（
軟開(kāi)關(guān)拓?fù)渲校?em>橋結(jié)構(gòu)上下功率管所需要的死區(qū)越短）
。可以看出，碳化硅MOSFET相比相近導(dǎo)通電阻的硅MOSFET，反向恢復(fù)電荷只有1/6左右，輸出電容上的電荷只有1/5左右。因此碳化硅MOSFET特別適合于體二極管會(huì)被硬關(guān)斷的拓?fù)? （例如電流連續(xù)模式圖騰柱無(wú)橋PFC）
及軟開(kāi)關(guān)拓?fù)? （LLC，移相全橋等）
。
碳化硅MOSFET還有一項(xiàng)出眾的特性：短路能力。相比硅MOSFET短路時(shí)間大大提升，這對(duì)于變頻器等馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用非常重要，圖12給出了CoolSiC、CoolMOS短路能力的對(duì)比圖。從圖可知CoolSiC實(shí)現(xiàn)了短路時(shí)間長(zhǎng)，短路電流小等優(yōu)異特性，短路狀態(tài)下的可靠性大大提高。
圖11：碳化硅MOSFET和硅MOSFET的性能對(duì)比
圖12：碳化硅MOSFET短路能力比較
第3章對(duì)氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET各自的結(jié)構(gòu)和特性進(jìn)行了介紹，下面將對(duì)兩者在參數(shù)上和實(shí)際電路上進(jìn)行對(duì)比。
展開(kāi) 干貨 | 氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET
這兩項(xiàng)數(shù)值越小，表明反向恢復(fù)特性越好，存儲(chǔ)的電荷越低（軟開(kāi)關(guān)拓?fù)渲校?em>橋結(jié)構(gòu)上下功率管所需要的死區(qū)越短）。可以看出，碳化硅MOSFET相比相近導(dǎo)通電阻的硅MOSFET，反向恢復(fù)電荷只有1/6左右，輸出電容上的電荷只有1/5左右。因此碳化硅MOSFET特別適合于體二極管會(huì)被硬關(guān)斷的拓?fù)洌ɡ珉娏鬟B續(xù)模式圖騰柱無(wú)橋PFC）及軟開(kāi)關(guān)拓?fù)洌↙LC，移相全橋等）。
碳化硅MOSFET還有一項(xiàng)出眾的特性：短路能力。相比硅MOSFET短路時(shí)間大大提升，這對(duì)于變頻器等馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用非常重要，圖12給出了CoolSiC、CoolMOS短路能力的對(duì)比圖。從圖可知CoolSiC實(shí)現(xiàn)了短路時(shí)間長(zhǎng)，短路電流小等優(yōu)異特性，短路狀態(tài)下的可靠性大大提高。
圖11：碳化硅MOSFET和硅MOSFET的性能對(duì)比
圖12：碳化硅MOSFET短路能力比較
第3章對(duì)氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET各自的結(jié)構(gòu)和特性進(jìn)行了介紹，下面將對(duì)兩者在參數(shù)上和實(shí)際電路上進(jìn)行對(duì)比。
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