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ansys 計算電容的案例

介紹壓力電容器的靈敏度計算電容器設(shè)計 ¥300
內(nèi)容: 介紹壓力電容器的靈敏度計算。設(shè)計到方法由動網(wǎng)格,固體力學(xué),靜電,機電力。以及計算變形后的幾何通過網(wǎng)格導(dǎo)到第二個模型(組件)進行重新幾何建模在計算。 購買視頻后,請聯(lián)系我們提供模型!
TRCX:OLED中的電容計算
此外,電容計算對于提高像素電路的補償精度至關(guān)重要,因為現(xiàn)代 OLED 使用更多層以使其更高效和耐用。TRCX 通過使用指定的分析算法來處理分析 OLED 像素電路的數(shù)據(jù),提供快速準(zhǔn)確的計算。 (a) OLED結(jié)構(gòu) (b) 電容計算結(jié)果
干貨 | 開關(guān)電源“Y電容”原來是這樣計算
AC 測試之漏電流理論計算計算公式:I =2π*f*V*Cy 其中: f— 測試電壓頻率 ( 50Hz or 60Hz ) V— 測試電壓 ( unit : volt ) Cy—跨接于一次側(cè)與地或一,二次側(cè)之間的Y電容總和. 所以:Imin = 2π*f*V*Cymin Imax = 2π*f*V*Cymax Cy 電容計算 ::Cy =Cy1 Cy2 Cy3 … 若一次側(cè)地與二次側(cè)地之間跨接一顆Y電容(Cy0 ),則: Y電容公差一般為 :/-20% OR /-10% 3.
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“輸入電解”和“輸出電解”電容的詳細(xì)計算
輸入側(cè)的電解電容計算 我們一般按照在最低輸入電壓下,最大輸出的情況下,要求電解電容上的紋波電壓低于多少個百分點來計算。當(dāng)然,如果有保持時間的要求,那么需要按照保持時間的要求重新計算,二者之中,取大的值。 假如在最低輸入電壓下,電源的輸入功率為Pin,最低輸入交流電壓有效值為Vinacmin,那么我們一般認(rèn)為此時整流后的直流電壓為Vinmin=1.2×Vinacmin,由于在交流兩次充電周期間,對后面變換器的供電都是由電容儲能來保證的,那么電壓跌落是可以計算出來的: C×ΔV=I×Δt, ΔV是電壓紋波,一般取Vinmin的10%~20%,I是電容對后面電路的放電電流=Pin/Vinmin 而Δt則是兩次充電的時間間隔(就是一個工頻周期內(nèi)電容的放電時間),可以按照0.8×1/(2×fac)來考慮,說白了,就是交流整流后的半正弦周期中,80%的時間是靠電解電容儲能來供應(yīng)給后面的變換器的。 那么由此我們就可以計算出輸入端的交流整流后濾波電解電容容量了。 輸入側(cè)的電解電容計算 輸出側(cè)的電解電容。輸出端的電解電容工作在高頻下,紋波電流對其影響很大,我們一般按照紋波電流的限制條件來計算輸出側(cè)的電解電容。 電解電容上的紋波電流有效值與次級整流二極管的電流有效值以及輸出電流的關(guān)系為: 電解電容的生產(chǎn)廠家通常會給出電解電容在某個頻率下,某個溫度時的額定紋波電流IRCrms。但實際使用過程中,我們需要考慮溫度效應(yīng)與頻率效應(yīng)。實際電容可以使用的紋波電流為IRCrms×溫度系數(shù)×頻率系數(shù)。不同的廠商,提供溫度系數(shù)和頻率系數(shù)參考點可能不同,要注意換算。
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ansys 計算電容圖1
電容值怎么確定? 皮爾斯晶振電路的參數(shù)計算
: 雜散電容,晶振的兩個腳與PCB線路的雜散電容,一般在2~7pF之間。 、 : 匹配電容,我們需要計算的,公式如下: : 晶振的負(fù)載電容,芯片的數(shù)據(jù)手冊上一般會給出。
入門指紋支付和指紋解鎖,從學(xué)會COMSOL計算目標(biāo)體電容開始!
手機的指紋識別目前主要有三種技術(shù):電容式,光學(xué)式和超聲波式,目前市面上看到最成熟的指紋手機基本都是電容式的,其主要利用了電容傳感器的原理。2017年在Science advances期刊上,研究人員研究出可以彎曲、拉伸的電容傳感器,通過觸摸即可實現(xiàn)信號的傳遞。 (圖片源于Science advances, 2017, 3(3): e1602200.) 電容式傳感器是以各種類型的電容器作為傳感元件,將被測物理量或機械量轉(zhuǎn)換成為電容量變化的一種轉(zhuǎn)換裝置,廣泛用于位移、角度、振動、速度、壓力、成分分析、介質(zhì)特性等方面的測量。典型的電容器由兩個導(dǎo)體加上它們之間的電介質(zhì)構(gòu)成。在這兩個導(dǎo)體之間施加電勢差會產(chǎn)生電場,形成電容效應(yīng)。這一電場不僅直接存在于導(dǎo)體之間,還會擴展一段距離,為了準(zhǔn)確預(yù)測電容器的電容量,在考慮邊緣效應(yīng)前提下,用于模擬邊緣場的域還必須足夠大,并使用適當(dāng)?shù)倪吔鐥l件。 COMSOLMultiphysics是一款大型的高級數(shù)值仿真軟件。廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域的科學(xué)研究以及工程計算,模擬科學(xué)和工程領(lǐng)域的各種物理過程。COMSOL Multiphysics是以有限元法為基礎(chǔ),通過求解偏微分方程(單場)或偏微分方程組(多場)來實現(xiàn)真實物理現(xiàn)象的仿真,COMSOL應(yīng)用范圍涵蓋從流體流動、熱傳導(dǎo)、到結(jié)構(gòu)力學(xué)、電磁分析等多種物理場,用戶可以快速的建立模型。 COMSOL中定義模型非常靈活,材料屬性、源項、以及邊界條件等可以是常數(shù)、任意變量的函數(shù)、邏輯表達(dá)式、或者直接是一個代表實測數(shù)據(jù)的插值函數(shù)等。能夠解決許多常見的物理問題。同時,用戶也可以自主選擇需要的物理場并定義他們之間的相互關(guān)系。當(dāng)然,用戶也可以輸入自己的偏微分方程(PDEs),并指定它與其它方程或物理之間的關(guān)系。
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AnsysWB直流母線電容DC Link電-熱耦合仿真 ¥30
DC-Link 薄膜電容是電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)中的一個重要組成部分,在反復(fù)充放電的過程中會導(dǎo)致電容發(fā)熱,影響其使用壽命。 本文基于ANSYS 仿真軟件對某型號DC-Link 薄膜電容器進行溫度場分析,結(jié)果表明,在 高溫環(huán)境中,電容器芯子中心處為溫度最高點,而配備散熱器后,最高溫度點轉(zhuǎn)移至遠(yuǎn)離散熱器的外殼處,散熱器能顯著降低芯子溫度。 1.基于某款實際電容產(chǎn)品簡化的3D模型 2.環(huán)境溫度85℃、帶TIM散熱膠及鋁合金散熱冷板 3.考慮直流輸入電流及紋波電流,芯包損耗發(fā)熱的電-熱耦合工況 4.電流、發(fā)熱量等數(shù)據(jù)為假設(shè)值,實際仿真以真實數(shù)據(jù)為準(zhǔn) 5.模型可以為真實的DC Link熱仿真工作提供極具價值的參考。
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干貨 | 基于ANSYS Q3D電容觸摸屏仿真分析介紹
電容式觸摸屏技術(shù)是利用人體的電流感應(yīng)進行工作的。電容式觸摸屏是一塊四層復(fù)合玻璃屏,玻璃屏的內(nèi)表面和夾層各涂有一層ITO(氧化銦錫),最外層是一薄層矽土玻璃保護層,夾層ITO涂層作為工作面,四個角上引出四個電極,內(nèi)層ITO為屏蔽層以保證良好的工作環(huán)境。 電容屏在原理上把人體當(dāng)作一個電容器元件的一個電極使用,當(dāng)有導(dǎo)體靠近與夾層ITO工作面之間耦合出足夠量容值的電容時,流走的電流就足夠引起電容屏的誤動作。廣泛應(yīng)用于智能手機、平板電腦等智能終端產(chǎn)品中。本文主要介紹如何使用ANSYS Q3D仿真電容式觸摸屏。 1.創(chuàng)建模型 可以使用ANSYS自身的建模功能建立電容屏模型,也可以導(dǎo)入第三方繪圖軟件繪制好的模型。在Q3D中創(chuàng)建好的觸摸屏和手指的三維模型如圖1所示,其橫截面如圖2所示。 圖1 電容觸摸屏仿真模型 圖2電容觸摸屏仿真模型橫截面 2.設(shè)置Nets 設(shè)置好的Nets如圖3和圖4所示。
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干貨 | 基于ANSYS SIwave 的去耦電容自動優(yōu)化(PI Advisor)功能介紹
ANSYS SIwave 是針對PCB和BGA封裝的信號完整性(SI)、電源完整性(PI)和電磁干擾(EMI)分析的專用軟件。針對疊層結(jié)構(gòu)優(yōu)化的算法可以在短時間內(nèi)完成從EDA版圖導(dǎo)入到電源網(wǎng)路(PDN)和多路信號網(wǎng)絡(luò)的整版分析。同時,它還能夠生成3D實體模型輸出給三維電磁場分析軟件使用。 ANSYS SIwave 的PI Advisor功能模塊對于第三方EDA版圖設(shè)計中使用的電容器件,在考慮成本和電容數(shù)量等優(yōu)先考慮事項基礎(chǔ)上自動遍歷分析,以實現(xiàn)滿足指定目標(biāo)阻抗的去耦電容最佳組合方案。設(shè)計者可以實施適當(dāng)?shù)娜ヱ?em>電容優(yōu)化方案,減少電源噪聲,降低零件成本,提高設(shè)計性能。 在ANSYS SIwave中的PI Advisor求解模塊主要用來進行去耦電容的自動優(yōu)化,其主要流程如下: 在simulation菜單下點擊PI Advisor,設(shè)置阻抗優(yōu)化后的目標(biāo)值 在如下的對話框中選定需優(yōu)化的電容 計算結(jié)束后軟件會給出幾種備選方案,可根據(jù)實際情況選定合適的備選方案,運行自動優(yōu)化。
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ANSYS SIwave 18.1去耦電容優(yōu)化分析(pdf教程+源文件) ¥8
ANSYS SIwave 18.1去耦電容優(yōu)化分析(pdf教程+源文件)
ANSYS 培訓(xùn)視頻分享】在去耦電容優(yōu)化中如何考慮直流偏置與溫度的影響
在去耦電容優(yōu)化中如何考慮直流偏置與溫度的影響 (圖為視頻截圖) 視頻簡介: 去耦電容的優(yōu)化對電源完整性和電磁輻射的控制有巨大影響,而傳統(tǒng)的電容優(yōu)化仿真無法考慮電容直流偏置以及環(huán)境溫度對電容性能的影響的,因此在多電壓系統(tǒng)和高溫環(huán)境下無法準(zhǔn)確評估系統(tǒng)的最終性能。 ANSYS SIWAVE中內(nèi)置的新電容模型,突破了傳統(tǒng)S參數(shù)模型的局限,結(jié)合SIWAVE本身的直流仿真結(jié)果和ANSYS ICEPAK的熱仿真結(jié)果,能夠自動展現(xiàn)對電容真實性能隨直流偏置和溫度變化的影響,從而幫助用戶在復(fù)雜場景下找到最佳的電容優(yōu)化策略。本流程除了可以結(jié)合ANSYS ICEPAK仿真的溫度分布,還支持由用戶指定電容的不同溫度狀態(tài),從而在設(shè)計初期就實現(xiàn)快速評估。 觀看該視頻的兩種方法: 1. 點擊此處觀看。 2. 已綁定微信端的用戶,可點擊ANSYS公眾號菜單欄中的資訊中心>培訓(xùn)視頻查找觀看。 如果想要查看更多視頻: 1. 綁定微信號,關(guān)注ANSYS官方公眾號(ANSYS-China),點擊菜單欄中的資訊中心>培訓(xùn)視頻,按照提示的信息輸入即可,以后可免注冊觀看所有的視頻。 2.
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ansys 計算電容圖2
智能計算時代的電子仿真--Ansys AEDT、Ansys Lumerical與智能計算相結(jié)合【6月11直播】
AI的大熱也使電子仿真進入了智能計算時代,這一時代,計算不再局限于傳統(tǒng)的數(shù)值運算,而是具備感知、學(xué)習(xí)、推理和決策能力,推動各領(lǐng)域向智能化、自動化、精準(zhǔn)化方向變革。 Ansys一系列電子仿真軟件也順應(yīng)時代與智能化計算相結(jié)合,AEDT和Lumerical分析工具可進行高頻、低頻、電子散熱、光電等領(lǐng)域的仿真分析;Lumerical等產(chǎn)品可以結(jié)合智能化計算進行光子學(xué)的優(yōu)化和逆向設(shè)計。 6月11日,Ansys推出網(wǎng)絡(luò)研討會『智能計算時代的Ansys仿真軟件-微電子應(yīng)用』,了解智能計算時代的電子仿真,下方預(yù)約了解學(xué)習(xí)?? 時間:6月11日(星期三),16:00-17:00 內(nèi)容簡介:Ansys 的軟件家族中的AEDT和Lumerical分析工具,可以進行高頻、低頻、電子散熱、光電等領(lǐng)域的仿真分析,具有廣泛的用途和廣大的用戶。Ansys AEDT產(chǎn)品可以結(jié)合智能化計算方法,高效率的評估微電子器件的PI/SI等特征。AEDT產(chǎn)品也可以結(jié)合智能化計算方法,進行高精度電學(xué)物性、熱學(xué)物性和力學(xué)物性的高精度計算。Lumerical等產(chǎn)品可以結(jié)合智能化計算進行光子學(xué)的優(yōu)化和逆向設(shè)計。本次講座將從PI/SI,高精度物性以及光子學(xué)等方面向用戶介紹Ansys產(chǎn)品與智能化計算的結(jié)合。 講師: 張國軍 | 中潤漢泰資深Ansys產(chǎn)品工程師 資深Ansys產(chǎn)品工程師,智能化計算工程師,北京理工大學(xué)碩士。在經(jīng)典仿真與智能化計算方面有較多經(jīng)驗積累,參與眾多汽車、國防項目的仿真咨詢和深度開發(fā)。
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MatlabGUI界面調(diào)用Ansys計算并輸出計算結(jié)果
.*'},'File Selector'); strh = [Pnameh,Fnameh]; pathname = Pnameh; set(handles.text1,'String',strh); [temp1,temp2] = xlsread(strh); set(handles.uitable1,'Data',temp1); % Update handles structure guidata(hObject, handles); 為了讀取圖示方框中的數(shù)據(jù),并用到ANSYS的APDL文件中,需要字符串的讀取和合并,首先需要使用str2num函數(shù)把字符串轉(zhuǎn)換成數(shù)值,如果沒有輸入值時,使用缺省值。 將兩個txt合并成test3.mac作為APDL語言開始的參數(shù)定義,生成test3.mac之后再使用system函數(shù)調(diào)用ANSYS的求解器,并讀取test3.mac進行計算計算之前,是不能生成圖片的,這時需要設(shè)置只有點擊“開始重構(gòu)”按鈕之后,其他按鈕才可用。 點擊按鈕開始計算之后,會分別輸出兩個名為residualstress.jpg和deformation.jpg的圖片,對應(yīng)的語句為 /image,save,'E:\GUIRStest\residualstress',jpg 設(shè)置當(dāng)點擊“生成殘余應(yīng)力云圖”和“生成角變形云圖”時,會讀取圖片的路徑并使用imshow生成圖片。 至此,一個簡易的MatlabGUI界面調(diào)用ANSYS計算并輸出圖片就完成了。
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Ansys Zemax | 公差的標(biāo)準(zhǔn)怎么計算的,如何確認(rèn)計算細(xì)節(jié)?
這篇文章將整理幾個常用的確認(rèn)細(xì)節(jié)的方法,不同的情境有不同的方法,共有以下主題: 當(dāng)我們說 “計算標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)” 時,Zemax OpticStudio做了什么 簡介標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)種類 說明衍射MTF平均/子午/弧矢.的計算方式 使用 “SAVE” 公差操作數(shù)紀(jì)錄靈敏度靈敏度計算過程 利用蒙特卡羅蒙特卡羅存檔了解公差擾動如何被執(zhí)行 如何列出所有蒙特卡羅蒙特卡羅檔案的隨機數(shù)參數(shù) 當(dāng)我們說 “計算標(biāo)準(zhǔn)” 時,OpticStudio做了什么 以下的敘述主要關(guān)乎標(biāo)準(zhǔn)的計算,不管我們是做靈敏度分析或是蒙特卡羅分析,都適用。 標(biāo)準(zhǔn) 首先我們要花一點時間說明標(biāo)準(zhǔn)本身,才說明優(yōu)化等其他動作。在公差分析時,我們所做的事情,就是重復(fù)擾動指定參數(shù) (例如組件偏心、傾斜),并計算在該條件下的 “標(biāo)準(zhǔn)” 是多少,并與原始設(shè)計或規(guī)格相比分析。 這個標(biāo)準(zhǔn)可以是易懂的物理參數(shù),例如某個視場 (Field)、某個波長下的光斑半徑或子午 MTF。也可以是多個相似的參數(shù)用某種方式平均,例如子午 MTF與弧矢 MTF的平均,或是多個視場下的MTF平均 (通常是RMS)。甚至標(biāo)準(zhǔn)可以是經(jīng)由復(fù)雜計算而來,不具實際物理意義。OpticStudio中有許多內(nèi)建的標(biāo)準(zhǔn),也提供完整的自定義功能讓用戶設(shè)計自定義標(biāo)準(zhǔn)。 (請參考本文章下面的 “簡介標(biāo)準(zhǔn)種類” ) 視場 另一個公差分析中常被混淆的觀念是視場 (Field)。當(dāng)計算標(biāo)準(zhǔn)時,如果視場字段選用Y-對稱或XY-對稱,事實上OpticStudio并非讀取使用者的Field設(shè)定。而是先找出最大視場,然后乘以-1.0、-0.7、0.0、+0.7以及+1.0。若是Y-對稱,則共有Y方向的5個視場,若是XY-對稱,則包含XY方向共有9個視場。
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Ansys Speos | 新型計算方法:使用 GPU 提升計算速率
前言 Speos 在2022R2版本中正式推出 GPU 計算功能,相比于 CPU 計算,相同HPC32配置,高性能顯卡在仿真計算中將會更顯計算優(yōu)勢,在仿真數(shù)據(jù)量大、材料屬性復(fù)雜、光源種類多的條件下,Speos 視覺模擬會消耗更多仿真計算時間。當(dāng)模擬參數(shù)設(shè)置偏差,或者視野選擇不準(zhǔn)確,重新模擬耗費的時間會很長,GPU 同樣提供實時預(yù)覽 preview 功能,快速檢查視覺模擬對參數(shù)設(shè)置和視野選擇的準(zhǔn)確性,通過 GPU 持續(xù)渲染,得到從低精度到高精度的實時模擬效果,一旦發(fā)現(xiàn)模擬出現(xiàn)問題可以隨時停止,修改參數(shù)后再重新模擬,提高了模擬效率,新版本發(fā)布中,GPU preview 同樣可以保存實時渲染結(jié)果為XMP。 GPU計算能力 1 - 打開任意仿真,建立視覺模擬模型,與常規(guī)的亮度模擬相同,在 speos 中建立光源(包括環(huán)境光),探測器,零件材料,逆向模擬。 2 - 在file-speos option中,勾選顯卡選項,會顯示32HPC運算。顯卡性能越高在計算中越能體現(xiàn)計算速度。 3 - 點擊inverse/direct simulation,在tools中選擇GPU計算。 4 - GPU計算性能說明,同樣對于108光線數(shù),相同光線數(shù)GPU A6000的計算速度相當(dāng)于CPU 600核左右,而仿真結(jié)果相同。 5 - GPU計算同樣支持Speos core的計算
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