ansys中畫(huà)圓詳解
關(guān)注創(chuàng)建者：王靖雯 創(chuàng)建時(shí)間：2023-03-07
ansys中畫(huà)圓詳解的實(shí)例教程
ANSYS中*Get命令使用方法詳解
水哥寄語(yǔ)
ANSYS中的*GET命令貫穿了我們整個(gè)有限元建模分析過(guò)程，水哥個(gè)人覺(jué)得，如果不會(huì)ANSYS中的get命令，那么一定是菜鳥(niǎo)級(jí)別，但這并不是說(shuō)會(huì)Get命令就是高手，比如水哥自己。Anyway，水哥畢竟是個(gè)老司機(jī)，今日，就來(lái)談?wù)勗趺词褂?em>ANSYS中的*Get命令。
1 概述
當(dāng)然了，首先我們要明白ANSYS中如何查看*get命令，知道這個(gè)命令需要輸入哪些參數(shù)。
打開(kāi)help,輸入*get,出來(lái)了以下格式：
*GET, Par, Entity, ENTNUM, Item1, IT1NUM, Item2, IT2NUM
Par：定義的變量名稱，用于存儲(chǔ)提取的數(shù)據(jù)；
Entity：關(guān)鍵字，是信息提取的對(duì)象，包括NODE, ELEM, KP, LINE, AREA, VOLU, PDS等；
ENTNUM：當(dāng)前對(duì)象的數(shù)字標(biāo)識(shí)，比如節(jié)點(diǎn)的節(jié)點(diǎn)號(hào)，單元的單元號(hào)等；
Item1：提取的信息，可用的非常多，后面展開(kāi)；
IT1NUM：和Item1配合使用。
面對(duì)這么多要輸入的參數(shù)，我們?cè)撊绾未_定具體輸入呢？接下來(lái)水哥教大家如何使用help查詢*get的各個(gè)關(guān)鍵字眼。
在查詢之間，首先我們自己要弄明白我們想要提取的數(shù)據(jù)是屬于哪個(gè)范疇。前處理數(shù)據(jù)？求解數(shù)據(jù)？后處理數(shù)據(jù)？當(dāng)我們自己搞清楚提取數(shù)據(jù)的范疇時(shí)，我們就可以順著Help去查看相關(guān)的字眼了。
2、案例
我們以最常見(jiàn)的一種操作，提取分析完后某個(gè)節(jié)點(diǎn)X方向的位移，來(lái)說(shuō)明這個(gè)過(guò)程。
提取X方向位移毋庸置疑是屬于后處理了，也即是我們需要提取的數(shù)據(jù)屬于后處理的范疇，因此我們?cè)诓榭碒elp時(shí)，直接跳躍到后處理的項(xiàng)目。
展開(kāi) 網(wǎng)格采用Ansys MESHING進(jìn)行劃分，網(wǎng)格數(shù)量為10.7萬(wàn)，由于在擋板附近為速度變化較大區(qū)域，因此采用局部網(wǎng)格加密的方法，如圖5所示。
圖4：反應(yīng)器計(jì)算區(qū)域
圖5：反應(yīng)器計(jì)算區(qū)域劃分網(wǎng)格
Ansys Fluent中邊界條件設(shè)置：進(jìn)口速度0.07m/s，溫度475K，組分H2:SiH4=9:1（摩爾分?jǐn)?shù)）；出口為壓力出口邊界。
圖6：邊界條件設(shè)置
根據(jù)計(jì)算的Re=2.8e-04，選擇層流模型，化學(xué)反應(yīng)選擇有限反應(yīng)速率模型。
圖7：組分輸運(yùn)模型
宏觀反應(yīng)機(jī)理：電離反應(yīng)+體積反應(yīng)
圖8：反應(yīng)機(jī)理設(shè)置
反應(yīng)器內(nèi)電場(chǎng)的電子密度分布通過(guò)UDF（用戶自定義函數(shù)）加載：
圖9：電子密度分布圖-單位（1/
m3
）
微觀反應(yīng)機(jī)理：由圖3可以看到，宏觀和微觀之間主要進(jìn)行組分SiH4、H2、SiH3、H的輸運(yùn)，為減少計(jì)算量，采用UDF（用戶自定義函數(shù)）組分源項(xiàng)的方式加載在薄膜中進(jìn)行計(jì)算。
圖10：微觀反應(yīng)中組分源項(xiàng)加載
計(jì)算流場(chǎng)分析
圖10、11為SiH4和H2的摩爾分?jǐn)?shù)云圖，可以看到SiH4進(jìn)入電離區(qū)域后迅速消耗減少，H2的反應(yīng)比較復(fù)雜，H2電離后生成H+，H2減少；而H+又與其他產(chǎn)物發(fā)生反應(yīng)生成H2，H2增加，因此在電離區(qū)內(nèi)含量較多。
展開(kāi) <p>有限元分析中的材料性能單位</p><p>鄒正剛編著：ansys疑難問(wèn)題實(shí)例詳解</p>
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<p>有限元分析中的材料性能單位</p><p>鄒正剛編著：ansys疑難問(wèn)題實(shí)例詳解</p>
鄧瑞英
上海安世亞太公司
化學(xué)氣相沉積技術(shù)（CVD）主要是利用含有薄膜元素的氣相物質(zhì)在襯底表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的方法，該技術(shù)廣泛應(yīng)用于生產(chǎn)晶體、晶體薄膜，晶須，多晶/非晶材料膜。化學(xué)氣相沉積技術(shù)在半導(dǎo)體工業(yè)中有著比較廣泛的應(yīng)用，例如，非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池中非晶硅材料的制備采用的就是等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù)
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水哥寄語(yǔ)
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1 概述
當(dāng)然了，首先我們要明白ANSYS
