緩沖電路的案例
干貨 | 盤點(diǎn)開關(guān)電源中的緩沖吸收電路
基本拓?fù)?em>電路上一般沒有吸收緩沖電路，實(shí)際電路上一般有吸收緩沖電路，吸收與緩沖是工程需要，不是拓?fù)湫枰?緩沖電路是控制開關(guān)器件快速上升和下降引起的瞬態(tài)尖峰的重要辦法。它們通常主要是由一些無源器件組成的網(wǎng)絡(luò)，用來控制電路中無功元件產(chǎn)生的振蕩。合理的緩沖電路，可以提高電路的可靠性和效率，降低EMI，并實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率。緩沖器的基本目的是吸收由寄生成分引起的無功能量，并且將能量消耗掉或者將引導(dǎo)至能夠回收的地方。
而來自磁性器件和長PCB走線或環(huán)路中的電感，以及半導(dǎo)體結(jié)電容和布線耦合，這些是無功能量的常見來源。無論如何由于根本原因通常是寄生參數(shù)的影響，所以最重要的原則是盡量減少這些寄生參數(shù)。至于怎么樣才能做到這一點(diǎn)，將在后面的章節(jié)中更詳細(xì)地討論。但在這里，我們是假設(shè)在PCB布局已經(jīng)很好地完成了接下來談?wù)撊绾卧O(shè)計緩沖器大多數(shù)緩沖器都是針對特定的問題去設(shè)計的但是還是做一些分類可以幫助理解。第一個分類標(biāo)準(zhǔn)是將它們分成無源（只是電阻、電容、電感和二極管的組合）和有源（使用開關(guān)管）緩沖吸收電路，但另一個分類標(biāo)準(zhǔn)是看緩沖器是屬于能量耗散還是非耗散類型，第三個分類標(biāo)準(zhǔn)是控制電壓還是電流。任何時候感性元件遇到容性元件，如果還存在快速變化的電流或電壓，其結(jié)果可能就是產(chǎn)生振蕩。
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基本拓?fù)?em>電路上一般沒有吸收緩沖電路，實(shí)際電路上一般有吸收緩沖電路，吸收與緩沖是工程需要，不是拓?fù)湫枰?緩沖電路是控制開關(guān)器件快速上升和下降引起的瞬態(tài)尖峰的重要辦法。它們通常主要是由一些無源器件組成的網(wǎng)絡(luò)，用來控制電路中無功元件產(chǎn)生的振蕩。合理的緩沖電路，可以提高電路的可靠性和效率，降低EMI，并實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率。緩沖器的基本目的是吸收由寄生成分引起的無功能量，并且將能量消耗掉或者將引導(dǎo)至能夠回收的地方。
而來自磁性器件和長PCB走線或環(huán)路中的電感，以及半導(dǎo)體結(jié)電容和布線耦合，這些是無功能量的常見來源。無論如何由于根本原因通常是寄生參數(shù)的影響，所以最重要的原則是盡量減少這些寄生參數(shù)。至于怎么樣才能做到這一點(diǎn)，將在后面的章節(jié)中更詳細(xì)地討論。但在這里，我們是假設(shè)在PCB布局已經(jīng)很好地完成了接下來談?wù)撊绾卧O(shè)計緩沖器大多數(shù)緩沖器都是針對特定的問題去設(shè)計的但是還是做一些分類可以幫助理解。第一個分類標(biāo)準(zhǔn)是將它們分成無源（只是電阻、電容、電感和二極管的組合）和有源（使用開關(guān)管）緩沖吸收電路，但另一個分類標(biāo)準(zhǔn)是看緩沖器是屬于能量耗散還是非耗散類型，第三個分類標(biāo)準(zhǔn)是控制電壓還是電流。任何時候感性元件遇到容性元件，如果還存在快速變化的電流或電壓，其結(jié)果可能就是產(chǎn)生振蕩。
吸收與緩沖的功效：
防止器件損壞，吸收防止電壓擊穿，緩沖防止電流擊穿
使功率器件遠(yuǎn)離危險工作區(qū)，從而提高可靠性
降低（開關(guān)）器件損耗，或者實(shí)現(xiàn)某種程度的關(guān)軟開
降低di/dt和dv/dt，降低振鈴，改善EMI品質(zhì)
提高效率（提高效率是可能的，但弄不好也可能降低效率）
也就是說，防止器件損壞只是吸收與緩沖的功效之一，其他功效也是很有價值的。
吸收：吸收是對電壓尖峰而言。
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基本拓?fù)?em>電路上一般沒有吸收緩沖電路，實(shí)際電路上一般有吸收緩沖電路，吸收與緩沖是工程需要，不是拓?fù)湫枰?緩沖電路是控制開關(guān)器件快速上升和下降引起的瞬態(tài)尖峰的重要辦法。它們通常主要是由一些無源器件組成的網(wǎng)絡(luò)，用來控制電路中無功元件產(chǎn)生的振蕩。合理的緩沖電路，可以提高電路的可靠性和效率，降低EMI，并實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率。緩沖器的基本目的是吸收由寄生成分引起的無功能量，并且將能量消耗掉或者將引導(dǎo)至能夠回收的地方。
而來自磁性器件和長PCB走線或環(huán)路中的電感，以及半導(dǎo)體結(jié)電容和布線耦合，這些是無功能量的常見來源。無論如何由于根本原因通常是寄生參數(shù)的影響，所以最重要的原則是盡量減少這些寄生參數(shù)。至于怎么樣才能做到這一點(diǎn)，將在后面的章節(jié)中更詳細(xì)地討論。但在這里，我們是假設(shè)在PCB布局已經(jīng)很好地完成了接下來談?wù)撊绾卧O(shè)計緩沖器大多數(shù)緩沖器都是針對特定的問題去設(shè)計的但是還是做一些分類可以幫助理解。第一個分類標(biāo)準(zhǔn)是將它們分成無源（只是電阻、電容、電感和二極管的組合）和有源（使用開關(guān)管）緩沖吸收電路，但另一個分類標(biāo)準(zhǔn)是看緩沖器是屬于能量耗散還是非耗散類型，第三個分類標(biāo)準(zhǔn)是控制電壓還是電流。任何時候感性元件遇到容性元件，如果還存在快速變化的電流或電壓，其結(jié)果可能就是產(chǎn)生振蕩。
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基本拓?fù)?em>電路上一般沒有吸收緩沖電路，實(shí)際電路上一般有吸收緩沖電路，吸收與緩沖是工程需要，不是拓?fù)湫枰?緩沖電路是控制開關(guān)器件快速上升和下降引起的瞬態(tài)尖峰的重要辦法。它們通常主要是由一些無源器件組成的網(wǎng)絡(luò)，用來控制電路中無功元件產(chǎn)生的振蕩。合理的緩沖電路，可以提高電路的可靠性和效率，降低EMI，并實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率。緩沖器的基本目的是吸收由寄生成分引起的無功能量，并且將能量消耗掉或者將引導(dǎo)至能夠回收的地方。
而來自磁性器件和長PCB走線或環(huán)路中的電感，以及半導(dǎo)體結(jié)電容和布線耦合，這些是無功能量的常見來源。無論如何由于根本原因通常是寄生參數(shù)的影響，所以最重要的原則是盡量減少這些寄生參數(shù)。至于怎么樣才能做到這一點(diǎn)，將在后面的章節(jié)中更詳細(xì)地討論。但在這里，我們是假設(shè)在PCB布局已經(jīng)很好地完成了接下來談?wù)撊绾卧O(shè)計緩沖器大多數(shù)緩沖器都是針對特定的問題去設(shè)計的但是還是做一些分類可以幫助理解。第一個分類標(biāo)準(zhǔn)是將它們分成無源（只是電阻、電容、電感和二極管的組合）和有源（使用開關(guān)管）緩沖吸收電路，但另一個分類標(biāo)準(zhǔn)是看緩沖器是屬于能量耗散還是非耗散類型，第三個分類標(biāo)準(zhǔn)是控制電壓還是電流。任何時候感性元件遇到容性元件，如果還存在快速變化的電流或電壓，其結(jié)果可能就是產(chǎn)生振蕩。
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基于單脈沖試驗(yàn)的IGBT模型的電壓應(yīng)力測試分析
圖4 IGBT關(guān)斷電壓應(yīng)力示意圖
RCD緩沖電路
對IGBT電壓應(yīng)力的影響
按照光伏2代設(shè)計，三電平逆變輸出端子可以增加RCD（電容電阻二極管）緩沖電路來吸收電壓尖峰。單脈沖測試時，也可以增加RCD緩沖電路。圖5為富士IGBT模塊T3管單脈沖測試時RCD緩沖工作示意圖，英飛凌和西門康緩沖電路類似，不再贅述。
圖5 T3管RCD緩沖示意圖
T3關(guān)斷時，電感電流一部分通過T1反并聯(lián)二極管D1續(xù)流，一部分通過RCD緩沖電路Ds流向電容Cs，Cs電荷通過放電電阻Rs瀉放。交流輸出端子U電壓可以通過電容Cs鉗位，Cs電壓一般維持在母線電壓，因此T3關(guān)斷電壓應(yīng)力得以降低。同時直流輸入側(cè)并聯(lián)Snubber電容C_sn。
在圖5所示的測試電路中，T3的關(guān)斷電壓應(yīng)力主要受以下幾個因素影響：
1）門極驅(qū)動電阻；
2）關(guān)斷電流；
3）Snubber電容C_sn；
4）RCD緩沖電路。
關(guān)斷電壓應(yīng)力不僅受驅(qū)動電阻的影響，母線Snubber電容，RCD緩沖電容也會影響電壓應(yīng)力。
展開 什么是變頻器？一文教你讀懂變頻器
變頻器主要有整流電路、緩沖電路、濾波電路、逆變電路等組成（附圖1）。
附圖1
整流電路：主要由整流橋組成；將交流電（市電）經(jīng)過全橋整流后成直流電。對于三相380V的交流電，經(jīng)整流后，直流電壓理論值為380X1.414≈537V；而單相220V的交流電，經(jīng)整流后，直流電壓理論值為220X1.414≈310V。
緩沖電路：抑制在上電瞬間的沖擊電流。由電解電容的工作原理可知，變頻器在上電瞬間，電容的兩端電壓不會突變，而電容兩端的電流會突變，此時電容兩端相當(dāng)于短路。若沒有緩沖電路（充電電阻），整流橋會因?yàn)殡娏鬟^大而損壞。緩沖電路起到了保護(hù)整流橋的作用。
濾波電路：一般電解電容的耐壓值為400V；而三相380V的交流電，經(jīng)整流后，直流電壓理論值約為537V。因此濾波電容器，只能由兩級電解電容串聯(lián)而成。由于電解電容的容量不可能絕對相同，串聯(lián)之后兩級電解電容上的電壓分配是不均衡的，會導(dǎo)致兩個電解電容的使用壽命不一樣。為了解決電壓不均衡的問題，需在兩個電解電容兩端分別并聯(lián)阻值相同的均壓電阻。
逆變電路：將直流電（直流母線）轉(zhuǎn)換成交流電的電力電子電路。在逆變橋里的多個IGBT組成。每個IGBT里都集成一個續(xù)流二極管，其作用是為電機(jī)的定子繞組反饋能量（電機(jī)發(fā)電）提供回路。當(dāng)電機(jī)處于發(fā)電狀態(tài)時，其電能可通過續(xù)流二極管流向直流回路，電解電容充電。
變頻器有哪些功能特點(diǎn)？
1. 軟啟動功能
用市電直接啟動電機(jī)，其啟動電電流為電機(jī)額定電流的5-7倍。這種電機(jī)直啟情況下，會導(dǎo)致電網(wǎng)電壓下降，影響其他用電設(shè)備的正常運(yùn)行。
采用變頻器軟啟動，其啟動電流一般為額定電流的1.2-1.5倍，有效地降低了啟動沖擊電流，減少變壓器的占有量（附圖2）。
附圖2
2.
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變頻器主要有整流電路、緩沖電路、濾波電路、逆變電路等組成（附圖1）。
附圖1
整流電路：
主要由整流橋組成；將交流電（市電）經(jīng)過全橋整流后成直流電。對于三相380V的交流電，經(jīng)整流后，直流電壓理論值為380X1.414≈537V；而單相220V的交流電，經(jīng)整流后，直流電壓理論值為220X1.414≈310V。
緩沖電路：
抑制在上電瞬間的沖擊電流。由電解電容的工作原理可知，變頻器在上電瞬間，電容的兩端電壓不會突變，而電容兩端的電流會突變，此時電容兩端相當(dāng)于短路。若沒有緩沖電路（充電電阻），整流橋會因?yàn)殡娏鬟^大而損壞。緩沖電路起到了保護(hù)整流橋的作用。
濾波電路：
一般電解電容的耐壓值為400V；而三相380V的交流電，經(jīng)整流后，直流電壓理論值約為537V。因此濾波電容器，只能由兩級電解電容串聯(lián)而成。由于電解電容的容量不可能絕對相同，串聯(lián)之后兩級電解電容上的電壓分配是不均衡的，會導(dǎo)致兩個電解電容的使用壽命不一樣。為了解決電壓不均衡的問題，需在兩個電解電容兩端分別并聯(lián)阻值相同的均壓電阻。
逆變電路：
將直流電（直流母線）轉(zhuǎn)換成交流電的電力電子電路。在逆變橋里的多個IGBT組成。每個IGBT里都集成一個續(xù)流二極管，其作用是為電機(jī)的定子繞組反饋能量（電機(jī)發(fā)電）提供回路。當(dāng)電機(jī)處于發(fā)電狀態(tài)時，其電能可通過續(xù)流二極管流向直流回路，電解電容充電。
變頻器有哪些功能特點(diǎn)？
1. 軟啟動功能
用市電直接啟動電機(jī)，其啟動電電流為電機(jī)額定電流的5-7倍。這種電機(jī)直啟情況下，會導(dǎo)致電網(wǎng)電壓下降，影響其他用電設(shè)備的正常運(yùn)行。
采用變頻器軟啟動，其啟動電流一般為額定電流的1.2-1.5倍，有效地降低了啟動沖擊電流，減少變壓器的占有量（附圖2）。
展開 印刷電路板減震緩沖—JGX-0240D-3.6A型鋼絲繩隔振器
印刷電路板減震緩沖—JGX-0240D-3.6A型鋼絲繩隔振器
鋼絲繩隔振器是由鋼絲繩繞成螺旋狀并固定在沿螺母布置的兩塊金屬板之間制作而成的。它是一種具有非線性特性和干摩擦阻尼的新型隔振器，采用多股鋼絲按一定方向纏繞而成的鋼絲繩作為彈性元件，具有明顯的遲滯特性，其能量耗散來源于鋼絲間的摩擦、擠壓、滑移。
JGX-0240D-3.6A鋼絲繩隔振器是JGX-0240系列鋼絲繩隔振器中的一種型號，該型號由直徑2.4mm的鋼絲繩沿著上下兩個夾板繞制10圈而成，能夠承受的最大靜載荷為3.6kg，具有耐腐蝕、耐沖擊、耐高低溫等性能，適用于機(jī)載、車載、艦載等電子、機(jī)械設(shè)備、計算機(jī)與儀器儀表的隔振緩沖，導(dǎo)彈衛(wèi)星的運(yùn)載、導(dǎo)航與發(fā)射系統(tǒng)的安全防護(hù)以及高低溫、化學(xué)污染等惡劣環(huán)境下機(jī)械、電子設(shè)備與設(shè)施的隔振緩沖等方面。
命名方式
尺寸表
型號
單重（kg）
安裝方式
通孔（mm）
螺紋（mm）
沉孔（°）
JGX-0240D-3.6A
0.152
A,B,C,D,E,S
Φ5.6±0.13
M5×0.8
90
結(jié)構(gòu)圖
安裝方式
展開 電動汽車 IGBT 芯片技術(shù)綜述和展望
3.2 門極驅(qū)動電阻集成技術(shù)
傳統(tǒng) IGBT 模塊的驅(qū)動電路通常需要分別設(shè)置開通和關(guān)斷時的門極驅(qū)動電阻，造成 IGBT 模塊的驅(qū)動電路體積較大；且驅(qū)動電路不可避免地在柵極回路引入雜散電感，降低 IGBT 芯片的開關(guān)速度。針對上述問題，英飛凌公司提出將門極驅(qū)動電阻集成在 IGBT 芯片內(nèi)部，如圖 21 所示。在溝槽柵門極金屬電極的下方添加了 p 區(qū)和 n 區(qū)摻雜區(qū)，當(dāng) IGBT 芯片開通時，驅(qū)動電流主要通過門極金屬電極和正偏的 pn 結(jié)流入多晶硅電極中；當(dāng)IGBT 芯片關(guān)斷時，由于 pn 結(jié)反偏，驅(qū)動電流僅通過門極金屬電極與多晶硅電極接觸的部分流出。因此，通過門極開通和關(guān)斷電流流經(jīng)路徑的不同實(shí)現(xiàn)IGBT 芯片開關(guān)過程門極驅(qū)動電阻的差異化。并且，通過調(diào)整 p, n 區(qū)的摻雜濃度可以改變驅(qū)動電阻的大小。除了上述集成方式外，還可以通過調(diào)整 p 區(qū)和n 區(qū)的位置或在門極金屬電極與多晶硅電極直接接觸的部分添加低摻雜 n 區(qū)實(shí)現(xiàn) IGBT 芯片門極驅(qū)動電阻值的調(diào)整，如圖 22 所示。采用集成門極驅(qū)動電阻的 IGBT 芯片可避免引入外部驅(qū)動電路帶來的雜散電感，同時減小了驅(qū)動電路體積，可以有效提高電動汽車 IGBT 功率模塊的功率密度。
3.3 緩沖電路集成技術(shù)
為抑制 IGBT 關(guān)斷電壓過沖/振蕩，德國Fraunhofer IISB研究所Matlok提出了在功率模塊內(nèi)部集成 RC 芯片的方案。傳統(tǒng)功率模塊外部連接母線和內(nèi)部回路的雜散電感會造成 IGBT 芯片關(guān)斷時電壓過沖和振蕩，而目前的解決方法存在諸多弊端，例如提高驅(qū)動電阻、降低開關(guān)速度會導(dǎo)致開關(guān)損耗增大。如圖 23 所示，RC 芯片則可直接焊接于功率模塊內(nèi)部靠近器件的位置，實(shí)現(xiàn)器件開關(guān)過程與外部雜感的解耦，大幅降低器件關(guān)斷電壓過沖和振蕩，保障電動汽車安全可靠地運(yùn)行。
展開 干貨 | 電源變換類型分析
整流電路：主要由整流橋組成；將交流電（市電）經(jīng)過全橋整流后成直流電。對于三相380V的交流電，經(jīng)整流后，直流電壓理論值為380X1.414≈537V；而單相220V的交流電，經(jīng)整流后，直流電壓理論值為220X1.414≈310V。
緩沖電路：抑制在上電瞬間的沖擊電流。由電解電容的工作原理可知，變頻器在上電瞬間，電容的兩端電壓不會突變，而電容兩端的電流會突變，此時電容兩端相當(dāng)于短路。若沒有緩沖電路（充電電阻），整流橋會因?yàn)殡娏鬟^大而損壞。緩沖電路起到了保護(hù)整流橋的作用。
濾波電路：一般電解電容的耐壓值為400V；而三相380V的交流電，經(jīng)整流后，直流電壓理論值約為537V。因此濾波電容器，只能由兩級電解電容串聯(lián)而成。由于電解電容的容量不可能絕對相同，串聯(lián)之后兩級電解電容上的電壓分配是不均衡的，會導(dǎo)致兩個電解電容的使用壽命不一樣。為了解決電壓不均衡的問題，需在兩個電解電容兩端分別并聯(lián)阻值相同的均壓電阻。
逆變電路：將直流電（直流母線）轉(zhuǎn)換成交流電的電力電子電路。在逆變橋里的多個IGBT組成。每個IGBT里都集成一個續(xù)流二極管，其作用是為電機(jī)的定子繞組反饋能量（電機(jī)發(fā)電）提供回路。當(dāng)電機(jī)處于發(fā)電狀態(tài)時，其電能可通過續(xù)流二極管流向直流回路，電解電容充電。
由于世界各國電網(wǎng)中電壓、頻率各不相同，出口、進(jìn)口產(chǎn)品都需要根據(jù)不同國家的電壓、頻率來測試其技術(shù)性能。 變頻電源可以模擬世界各國的供電電壓和頻率。
變頻電源的輸入電源是交流電，一般國內(nèi)的三相交流電是380V，單相交流電是220V，美國、日本等國的電壓是110V，（查看世界各國的電壓的頻率）。變頻電源可以模仿世界各國的用電標(biāo)準(zhǔn)電壓怕頻率，所以很多的出口電器的廠商就用變頻電源來測試出口電器的使用情況。
展開 【干貨分享】開關(guān)電源 MOS管損耗
減少M(fèi)OS管損耗的方法
減小開關(guān)損耗一方面要盡可能地制造出具有理想開關(guān)特性的器件,另一方面利用新的線路技術(shù)改變器件開關(guān)時期的波形,如:晶體管緩沖電路,諧振電路,和軟開關(guān)技術(shù)等。
(1)晶體管緩沖電路(即加吸收網(wǎng)絡(luò)技術(shù))
早期電源多采用此線路技術(shù)。采用此電路, 功率損耗雖有所減小,但仍不是很理想。①減少導(dǎo)通損耗在變壓器次級線圈后面加飽和電感, 加反向恢復(fù)時間快的二極管,利用飽和電感阻礙電流變化的特性, 限制電流上升的速率,使電流與電壓的波形盡可能小地重疊。②減少截止損耗加R 、C 吸收網(wǎng)絡(luò), 推遲變壓器反激電壓發(fā)生時間, 最好在電流為0時產(chǎn)生反激電壓,此時功率損耗為0。該電路利用電容上電壓不能突變的特性,推遲反激電壓發(fā)生時間。為了增加可靠性,也可在功率管上加R 、C 。但是此電路有明顯缺點(diǎn):因?yàn)殡娮璧拇嬖?導(dǎo)致吸收網(wǎng)絡(luò)有損耗 。
(2)諧振電路
該電路只改變開關(guān)瞬間電流波形,不改變導(dǎo)通時電流波形。只要選擇好合適的L 、C ,結(jié)合二極管結(jié)電容和變壓器漏感, 就能保證電壓為0時,開關(guān)管導(dǎo)通或截止。因此, 采用諧振技術(shù)可使開關(guān)損耗很小。所以, SWITCHTEC 電源開關(guān)頻率可以做到術(shù)結(jié)構(gòu)380kHz的高頻率。
(3)軟開關(guān)技術(shù)
該電路是在全橋逆變電路中加入電容和二極管。二極管在開關(guān)管導(dǎo)通時起鉗位作用, 并構(gòu)成瀉放回路, 瀉放電流。電容在反激電壓作用下, 電容被充電, 電壓不能突然增加, 當(dāng)電壓比較大的時侯, 電流已經(jīng)為0。
|本文轉(zhuǎn)載自《KIA半導(dǎo)體》官網(wǎng)
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PLC與PLD只有“一字之差”，但你知道究竟有什么區(qū)別?
開發(fā)軟件將設(shè)計轉(zhuǎn)化成網(wǎng)表文件，它自動對邏輯電路分區(qū)、布局和布線和校驗(yàn)FPGA的設(shè)計，然后按PROM格式產(chǎn)生編程數(shù)據(jù)流并形成編程數(shù)據(jù)文件，最后還可將編程數(shù)據(jù)文件存入PROM中。
圖1 編程數(shù)據(jù)存儲單元陣列結(jié)構(gòu)
現(xiàn)在一般把所有超過某一集成度（如1000門以上）的PLD器件都稱為CPLD。 CPLD由可編程邏輯的功能塊圍繞一個可編程互連矩陣構(gòu)成。由固定長度的金屬線實(shí)現(xiàn)邏輯單元之間的互連，并增加了I/O控制模塊的數(shù)量和功能。可以把CPLD的基本結(jié)構(gòu)看成由可編程邏輯陣列（LAB）、可編程I/O控制模塊和可編程內(nèi)部連線（PIA）等三部分組成。
MAX7123的結(jié)構(gòu)
1．可編程邏輯陣列（LAB）
可編程邏輯陣列又若干個可編程邏輯宏單元（Logic Macro Cell，LMC）組成， LMC內(nèi)部主要包括與陣列、或陣列、可編程觸發(fā)器和多路選擇器等電路，能獨(dú)立地配置為時序或組合工作方式。
與或陣列結(jié)構(gòu)圖
CPLD中與、或門的表示方法
（1）乘積項共享結(jié)構(gòu)
在CPLD的宏單元中，如果輸出表達(dá)式的與項較多，對應(yīng)的或門輸入端不夠用時，可以借助可編程開關(guān)將同一單元（或其他單元）中的其他或門與之聯(lián)合起來使用，或者在每個宏單元中提供未使用的乘積項給其他宏單元使用。
EPM7128E乘積項擴(kuò)展和并聯(lián)擴(kuò)展項的結(jié)構(gòu)圖
（2）多觸發(fā)器結(jié)構(gòu)
早期可編程器件的每個輸出宏單元（OLMC）只有一個觸發(fā)器，而CPLD的宏單元內(nèi)通常含兩個或兩個以上的觸發(fā)器，其中只有一個觸發(fā)器與輸出端相連，其余觸發(fā)器的輸出不與輸出端相連，但可以通過相應(yīng)的緩沖電路反饋到與陣列，從而與其他觸發(fā)器一起構(gòu)成較復(fù)雜的時序電路。這些不與輸出端相連的內(nèi)部觸發(fā)器就稱為“隱埋”觸發(fā)器。這種結(jié)構(gòu)可以不增加引腳數(shù)目，而增加其內(nèi)部資源。
展開 硬件特訓(xùn)班問題解答【57問-1】
(1)首先我們在進(jìn)行TRIAC其驅(qū)動電路設(shè)計的時候，我們一般不直接進(jìn)行驅(qū)動，而是通過DIAC或者Photo-TRIAC即光學(xué)的雙向可控硅配合來使用進(jìn)行驅(qū)動電路的設(shè)計，為什么呢？因?yàn)槿绻苯域?qū)動，其Vgt>0.7V即可，而我們雙向可控硅一般都是工作大功率的場合，如果其負(fù)載是感性負(fù)載則很容易其斷開瞬間會產(chǎn)生非常大的感應(yīng)電動勢，甚至其RC緩沖電路其會倒流回雙向可控硅的控制電路里面去，然后會很有可能產(chǎn)生大于0.7V的電壓出來進(jìn)而導(dǎo)致誤觸發(fā)，所以基于此我們一般都是不直接進(jìn)行驅(qū)動。我們使用DIAC和Photo-TRIAC，其導(dǎo)通需要壓降，其導(dǎo)通壓降一般都是10V以上，就算出現(xiàn)上述問題，我們由于其需要大于10V以上才能導(dǎo)通，一般反向感應(yīng)電動勢其倒流回去產(chǎn)生的電壓值不會高于10V以上，所以就避免了誤觸發(fā)。
展開 漲知識 | 變頻對電機(jī)的傷害有哪些？
SVA尖峰電壓吸收器的原理框圖如圖8所示，它的工作過程如下：
1)尖峰電壓檢測電路實(shí)時檢測電機(jī)電源線上的電壓幅度；
2)當(dāng)檢測到電壓的幅度超過設(shè)定的閾值時，控制尖峰能量緩沖電路，使其吸收尖峰電壓的能量；
3)當(dāng)尖峰電壓的能量充滿尖峰能量緩沖器時，尖峰能量吸收控制閥門打開，使緩沖器中的尖峰能量泄放到尖峰能量吸收器，將電能轉(zhuǎn)變成熱能；
4)溫度監(jiān)控器監(jiān)測尖峰能量吸收器的溫度，當(dāng)溫度過高時，適當(dāng)關(guān)閉尖峰能量吸收控制閥門，減小能量的吸收（在保證電機(jī)受到保護(hù)的前提下），避免尖峰電壓吸收器過熱而損壞；
5)軸承電流吸收電路的作用是將軸承電流吸收掉，保護(hù)電機(jī)軸承。
尖峰吸收器與前面所述的du/dt濾波器、正弦波濾波器等電機(jī)保護(hù)方法相比，最大的好處是，體積小、價格低，安裝簡便（并聯(lián)安裝）。特別是功率較大的場合，尖峰吸收器在價格、體積、重量等方面的優(yōu)點(diǎn)很突出。另外，由于是并聯(lián)安裝，不會產(chǎn)生電壓降，而du/dt濾波器和正弦波！
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SVA尖峰電壓吸收器的原理框圖如圖8所示，它的工作過程如下：
1)尖峰電壓檢測電路實(shí)時檢測電機(jī)電源線上的電壓幅度；
2)當(dāng)檢測到電壓的幅度超過設(shè)定的閾值時，控制尖峰能量緩沖電路，使其吸收尖峰電壓的能量；
3)當(dāng)尖峰電壓的能量充滿尖峰能量緩沖器時，尖峰能量吸收控制閥門打開，使緩沖器中的尖峰能量泄放到尖峰能量吸收器，將電能轉(zhuǎn)變成熱能；
4)溫度監(jiān)控器監(jiān)測尖峰能量吸收器的溫度，當(dāng)溫度過高時，適當(dāng)關(guān)閉尖峰能量吸收控制閥門，減小能量的吸收（在保證電機(jī)受到保護(hù)的前提下），避免尖峰電壓吸收器過熱而損壞；
5)軸承電流吸收電路的作用是將軸承電流吸收掉，保護(hù)電機(jī)軸承。
尖峰吸收器與前面所述的du/dt濾波器、正弦波濾波器等電機(jī)保護(hù)方法相比，最大的好處是，體積小、價格低，安裝簡便（并聯(lián)安裝）。特別是功率較大的場合，尖峰吸收器在價格、體積、重量等方面的優(yōu)點(diǎn)很突出。另外，由于是并聯(lián)安裝，不會產(chǎn)生電壓降，而du/dt濾波器和正弦波！
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