碳化硅器件的案例
碳化硅器件在UPS中的應用研究
而隨著第三代半導體材料的蓬勃發(fā)展，特別是碳化硅二極管，由于其反向恢復電流小，反向恢復時間短，應用于模塊化UPS中，可以提高UPS整機效率，滿足IDC對PUE的要求。本文將從碳化硅材料和可靠性出發(fā)，通過對UPS拓撲的分析，介紹碳化硅器件特別是碳化硅MOSFET在UPS中的應用[6]。
2.碳化硅材料介紹
碳化硅和硅材料的特性對比如表1所示，其中更高的帶隙和擊穿電壓對應了碳化硅器件在相同材料厚度下可以做到更高的耐壓等級；更高的熱導率表明碳化硅器件熱阻可以做到更小。更高的開關速度意味著讓系統(tǒng)可使用簡單而容易控制的電路（兩電平而非三電平），讓系統(tǒng)可使用高開關頻率及小型磁元件，在更小的機箱處理相同的功率。以上優(yōu)勢分析都表明，碳化硅功率器件可以極大的提高電力電子能量轉換功率密度，效率和可靠性并降低系統(tǒng)成本。在UPS和光伏太陽能領域，正逐步投入使用。
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而實際上還有一類半導體是基于化合物晶體制造的，SiC(碳化硅)半導體就是其中之一。
由于相比硅基半導體在材料特性上有所差異，SiC(碳化硅)半導體具備比硅基半導體更好的高頻、大功率、高輻射性能。
什么是SiC?
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。
碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料在電阻爐內經高溫冶煉而成。
目前我國工業(yè)生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。
黑碳化硅是以石英砂,石油焦和優(yōu)質硅石為主要原料,通過電阻爐高溫冶煉而成。其硬度介于剛玉和金剛石之間,機械強度高于剛玉,性脆而鋒利。
綠碳化硅是以石油焦和優(yōu)質硅石為主要原料,添加食鹽作為添加劑，通過電阻爐高溫冶煉而成。其硬度介于剛玉和金剛石之間,機械強度高于剛玉。
碳化硅(SiC)由于其獨特的物理及電子特性, 在一些應用上成為最佳的半導體材料: 短波長光電器件, 高溫, 抗幅射以及高頻大功率器件，其主要特性及與硅(Si)和砷化鎵(GaAs)的對比如下。
寬能級(eV)：
4H-SiC: 3.26
6H-Sic: 3.03
GaAs: 1.43
Si: 1.12
由于碳化硅的寬能級, 以其制成的電子器件可在極高溫下工作，這一特性也使碳化硅可以發(fā)射或檢測短波長的光, 用以制作藍色發(fā)光二極管或幾乎不受太陽光影響的紫外線探測器。
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碳化硅外延材料加工設備全部進口，將制約我國獨立自主產業(yè)的發(fā)展壯大。
3、碳化硅功率器件
雖然國際上碳化硅器件技術和產業(yè)化水平發(fā)展迅速，開始了小范圍替代硅基二極管和IGBT的市場化進程，但是碳化硅功率器件的市場優(yōu)勢尚未完全形成，尚不能撼動目前硅功率半導體器件市場上的主體地位。國際碳化硅器件領域存在的問題主要有：
碳化硅單晶及外延技術還不夠完美，高質量的厚外延技術不成熟，這使得制造高壓碳化硅器件非常困難，而外延層的缺陷密度又制約了碳化硅功率器件向大容量方向發(fā)展。
碳化硅器件工藝技術水平還比較低，這是制約碳化硅功率器件發(fā)展和推廣實現(xiàn)的技術瓶頸，特別是高溫大劑量高能離子注入工藝、超高溫退火工藝、深槽刻蝕工藝和高質量氧化層生長工藝尚不理想，使得碳化硅功率器件中存在不同程度的高溫和長期工作條件下可靠性低的缺陷。
在碳化硅功率器件的可靠性驗證方面，其試驗標準和評價方法基本沿用硅器件，尚未有專門針對碳化硅功率器件特點的可靠性試驗標準和評價方法，導致試驗情況與實際使用的可靠性有差距。
在碳化硅功率器件測試方面，碳化硅器件測試設備、測試方法和測試標準基本沿用硅器件的測試方法，導致碳化硅器件動態(tài)特性、安全工作區(qū)等測試結果不夠準確，缺乏統(tǒng)一的測試評價標準。
除了以上共性問題外，我國碳化硅功率器件領域發(fā)展還存在研發(fā)時間短，技術儲備不足，進行碳化硅功率器件研發(fā)的科研單位較少，研發(fā)團隊的技術水平跟國外還有一定的差距等問題，特別是在以下三個方面差距巨大：
在SiC MOSFET器件方面的研發(fā)進展緩慢，只有少數(shù)單位具備獨立的研發(fā)能力，存在一定程度上依賴國際代工企業(yè)來制造芯片的弊病，容易受制于人，產業(yè)化水平不容樂觀。
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SiC 能大大降低功率轉換中的開關損耗
SiC 更容易實現(xiàn)模塊的小型化、更耐高溫
碳化硅功率半導體器件相較于硅基功率器件優(yōu)勢
02
????????????碳化硅功率半導體器件產業(yè)鏈
碳化硅功率半導體器件從上個世紀70年代開始研發(fā)，經過30年的積累，于2001年開始商用碳化硅SBD器件，之后于2010年開始商用碳化硅MOSFET器件，當前碳化硅IGBT器件還在研發(fā)當中。
碳化硅功率器件發(fā)展歷程
資料來源：太平洋證券
碳化硅功率器件整個生產過程大致如下圖所示，主要會分為碳化硅單晶生產、外延層生產、器件制造三大步驟，分別對應產業(yè)鏈的襯底、外延、器件和模組三大環(huán)節(jié)。
展開 
碳化硅材料技術對器件可靠性的影響
來源：基本半導體
碳化硅產業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關鍵的四個環(huán)節(jié)，襯底成本占到碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的意義，基本半導體從產業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產生的原因，與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。
01碳化硅晶錠生長及制備方法
碳化硅有多達250余種同質異構體，用于制作功率半導體的主要是4H-SiC單晶結構。碳化硅單晶生長過程中，4H晶型生長窗口小，對溫度和氣壓設計有著嚴苛標準，生長過程中控制不精確將會得到2H、3C、6H和15R等其他結構的碳化硅晶體。
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半導體產業(yè)的基石是芯片，制作芯片的核心材料按照歷史進程分為：第一代半導體材料（大部分為目前廣泛使用的高純度硅），第二代化合物半導體材料（砷化鎵、磷化銦），第三代化合物半導體材料以碳化硅和氮化鎵為代表。
碳化硅是第三代半導體產業(yè)發(fā)展的重要基礎材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。
在新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網等領域具有明顯優(yōu)勢。
因其優(yōu)越的物理性能：高禁帶寬度（對應高擊穿電場和高功率密度）、高電導率、高熱導率，有望成為未來最被廣泛使用的制作半導體芯片的基礎材料。
圖表來源：IHS Market
近年來新能源汽車驅動碳化硅行業(yè)高速成長，較傳統(tǒng)的燃油汽車相比，新能源汽車半導體元器件功率更大，性能要求更高，用量幾倍于傳統(tǒng)燃油汽車。
根據(jù)現(xiàn)有技術方案，每輛新能源汽車使用的功率器件價值約700美元到1000美元。
隨著新能源汽車的發(fā)展，對功率器件需求量日益增加，成為功率半導體器件新的增長點。使用碳化硅襯底材料，為新能源汽車節(jié)省大量成本。
碳化硅產業(yè)鏈
半導體芯片分為集成電路和分立器件，但不論是集成電路還是分立器件，其基本結構都可劃分為“襯底-外延-器件”結構。
碳化硅產業(yè)鏈也可分為三個環(huán)節(jié)：分別是上游襯底，中游外延片和下游器件制造。
圖表來源：中信證券
碳化硅上游 -- 襯底
碳化硅在半導體中存在的主要形式是作為襯底材料。
碳化硅晶片作為半導體襯底材料，長晶難度大，技術壁壘高，毛利率可達50%左右。
已經過外延生長、器件制造等環(huán)節(jié)，可制成碳化硅基功率器件和微波射頻器件。晶片尺寸越大，對應晶體的生長與加工技術難度越大。
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前言
碳化硅產業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關鍵的四個環(huán)節(jié)，襯底成本占到碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的意義，基本半導體從產業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產生的原因，與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。
01
碳化硅晶錠生長及制備方法
碳化硅有多達250余種同質異構體，用于制作功率半導體的主要是4H-SiC單晶結構。
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前言
碳化硅產業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關鍵的四個環(huán)節(jié)，襯底成本占到碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的意義，基本半導體從產業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產生的原因，與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。
01
碳化硅晶錠生長及制備方法
碳化硅有多達250余種同質異構體，用于制作功率半導體的主要是4H-SiC單晶結構。碳化硅單晶生長過程中，4H晶型生長窗口小，對溫度和氣壓設計有著嚴苛標準，生長過程中控制不精確將會得到2H、3C、6H和15R等其他結構的碳化硅晶體。
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半導體產業(yè)的基石是芯片，制作芯片的核心材料按照歷史進程分為三代：第一代半導體材料大部分為目前廣泛使用的高純度硅，第二代化合物半導體材料包括砷化鎵、磷化銦，第三代化合物半導體材料以碳化硅和氮化鎵為代表。
碳化硅是第三代半導體產業(yè)發(fā)展的重要基礎材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。
在新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網等領域具有明顯優(yōu)勢。
因其優(yōu)越的物理性能：高禁帶寬度（對應高擊穿電場和高功率密度）、高電導率、高熱導率，有望成為未來最被廣泛使用的制作半導體芯片的基礎材料。
圖表來源：IHS Market
近年來新能源汽車驅動碳化硅行業(yè)高速成長，較傳統(tǒng)的燃油汽車相比，新能源汽車半導體元器件功率更大，性能要求更高，用量幾倍于傳統(tǒng)燃油汽車。
根據(jù)現(xiàn)有技術方案，每輛新能源汽車使用的功率器件價值約700美元到1000美元。
隨著新能源汽車的發(fā)展，對功率器件需求量日益增加，成為功率半導體器件新的增長點。使用碳化硅襯底材料，為新能源汽車節(jié)省大量成本。
一、碳化硅產業(yè)鏈
半導體芯片分為集成電路和分立器件，但不論是集成電路還是分立器件，其基本結構都可劃分為“襯底-外延-器件”結構。
碳化硅產業(yè)鏈也可分為三個環(huán)節(jié)：分別是上游襯底，中游外延片和下游器件制造。
圖表來源：中信證券
碳化硅上游——襯底
碳化硅在半導體中存在的主要形式是作為襯底材料。碳化硅晶片作為半導體襯底材料，長晶難度大，技術壁壘高，毛利率可達50%左右。
展開 半導體碳化硅（SiC）行業(yè)研究：打開新能源汽車百億市場空間
在組串式和集中式光伏逆變器中，碳化 硅產品預計會逐漸替代硅基器件。目前國內在光伏領域應用碳化硅光伏逆變器的很 少，但在全球范圍內已經有光伏逆變器公司開始應用碳化硅光伏逆變器，比如西班 牙 Ingeteam 公司的 TLM 系列。
3.3 軌道交通
在軌道交通方面，軌道交通車輛中大量應用功率半導體器件，其牽引變流器、 輔助變流器、主輔一體變流器、電力電子變壓器、電源充電機都有使用碳化硅器件 的需求。其中，牽引變流器是機車大功率交流傳動系統(tǒng)的核心裝備，將碳化硅器件 應用于軌道交通牽引變流器，能極大發(fā)揮碳化硅器件高溫、高頻和低損耗特性，提 高牽引變流器裝置效率，符合軌道交通大容量、輕量化和節(jié)能型牽引變流裝置的應 用需求，提升系統(tǒng)的整體效能。
3.4 智能電網
智能電網方面，相比其他電力電子裝置，電力系統(tǒng)要求更高的電壓、更大的功 率容量和更高的可靠性，碳化硅器件突破了硅基功率半導體器件在大電壓、高功率 和高溫度方面的限制所導致的系統(tǒng)局限性，并具有高頻、高可靠性、高效率、低損 耗等獨特優(yōu)勢，在固態(tài)變壓器、柔 性 交流輸電、柔性直流輸電、高壓直流輸電及配 電系統(tǒng)等應用方面推動智能電網的發(fā)展和變革。
3.5 射頻領域
在射頻器件方面，以碳化硅為襯底的氮化鎵射頻器件同時具備了碳化硅的高導 熱性能和氮化鎵在高頻段下大功率射頻輸出的優(yōu)勢，突破了砷化鎵和硅基 LDMOS 器件的固有缺陷，能夠滿足 5G 通訊對高頻性能和高功率處理能力的要求，碳化硅 基氮化鎵射頻器件已逐步成為 5G 功率放大器尤其是宏基站功率放大器的主流技術 路線。
展開 技術 | 碳化硅功率器件的三大關鍵技術！
碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導通型單晶襯底上額外生長高質量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
功率器件行業(yè)發(fā)展到IGBT(絕緣柵雙極晶體管)時期，硅基器件的性能已經接近極限，邊際成本越來越高。
半導體器件產業(yè)仍對高功率、高頻切換、高溫操作、高功率密度等有著越來越多的需求，因此以SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)等第三代半導體材料為核心的寬禁帶功率器件成為了研究熱點與新發(fā)展方向，并逐步進入應用量產階段。
SiC功率器件性能優(yōu)勢
SiC功率半導體的發(fā)展改善了功率開關器件的硬開關特性，耐壓可達數(shù)萬伏，耐溫可達500℃以上，其性能優(yōu)勢如下：
(1)寬禁帶可大幅減小泄漏電流，從而減少高功率器件損耗；
(2)高擊穿場強可提高功率器件耐壓能力與電流密度，減小整體尺寸；
(3)高熱導率可改善耐高溫能力，有助于器件散熱，減小散熱設備體積，提高集成度，增加功率密度；
(4)強抗輻射能力，更適合在外太空等輻照條件下應用。理論上，SiC器件是實現(xiàn)高壓、高溫、高頻、高功率及抗輻射相結合的理想材料，主要應用于大功率場合，可實現(xiàn)模塊及應用系統(tǒng)的小型化、集成化，提高功率密度和系統(tǒng)效率。
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碳化硅“狂飆”：追趕、內卷、替代
外延環(huán)節(jié)主要是在碳化硅襯底上，經過外延工藝生長出的特定單晶薄膜，襯底晶片和外延薄膜合稱外延片。
在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層制得碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）外延片，可制成微波射頻器件，應用于5G通信等領域；在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層（SiC-on-SiC）制得碳化硅外延片，可制成功率器件，應用于電動汽車、新能源、儲能、軌道交通等領域。
SiC外延片屬于行業(yè)產業(yè)鏈中間環(huán)節(jié)，其中，Wolfspeed、ShowaDenko呈現(xiàn)雙寡頭壟斷市場，合計約占SiC導電型外延片95%的市場份額。目前國內相關外延廠商東莞天域和廈門瀚天天成等均已實現(xiàn)產業(yè)化，可供應4-6英寸外延片。中電科13所、55所、希科半導體等也能供應外延片，整體產能仍有較大提升空間。
SiC器件環(huán)節(jié)主要負責芯片的制造，整體涉及的流程較長，以集合芯片設計、芯片制造、芯片封測等多個產業(yè)鏈環(huán)節(jié)于一體的IDM模式最為常見。
在器件制備方面，由于材料的特殊性，器件過程的加工和硅不同，采用了高溫工藝，包括高溫離子注入、高溫氧化以及高溫退火工藝。
在SiC器件市場，歐美廠商占據(jù)主要份額，90%以上份額被國外公司占據(jù)。根據(jù)Yole 2022年數(shù)據(jù)，ST占據(jù)了全球37%的市場份額，成為市場的領導者；其次是英飛凌占據(jù)19%的份額，緊隨其后的是Wolfspeed，占據(jù)了16%的份額。后面依次是安森美、羅姆和三菱電機等，這些廠商共同占據(jù)了全球80%以上的SiC市場份額，與各大車企及Tier1廠商互動密切。
展開 眾多碳化硅樣車將面世？一汽、北汽、中車、三安、泰科天潤等已經聯(lián)手！
據(jù)新華網報道，國創(chuàng)中心是通過北汽新能源的EU5整車開源平臺，來開展國產碳化硅器件和功率模塊的上車測試，截至今年3月3日，該平臺已搭載9款國產半導體器件。
國創(chuàng)中心相關負責人介紹說，由于缺乏完善的車規(guī)級標準體系、測試平臺和認證機制，國產半導體難于進入汽車產業(yè)的供應鏈，進而無法實現(xiàn)批量上車應用。
而國創(chuàng)中心聯(lián)合行業(yè)伙伴組建測試認證工作組，為汽車行業(yè)選擇國產產品提供技術數(shù)據(jù)支持和質量背書，從而打通國產半導體上車路徑。
今年將有眾多碳化硅樣車
“上車”需解決哪些問題？
目前，碳化硅“上車”態(tài)勢趨強，
芯聚能
半導體總裁周曉陽表示，國產新能源車開始將碳化硅MOSFET引入到主驅上，反應良好。
最近，派恩杰半導體創(chuàng)始人黃興博士也透露，“今年應該很多國內車企會有推出碳化硅樣車，從明年開始會有一個逐步從IGBT轉向碳化硅的過程。”
而國產碳化硅也大有機會。基本半導體技術營銷副總監(jiān)劉誠表示，目前一些新能源造車勢力比較傾向于尋找國內廠商進行合作，在時代大背景下，碳化硅的需求會逐步走高，國內產業(yè)的機會也會越來越多。
據(jù)黃興介紹，自去年底起，已有不少車廠在和派恩杰就車用碳化硅模塊方面談相關合作。
周曉陽認為，全球碳化硅產業(yè)化剛剛開始，國內產業(yè)起步雖晚，但推動力度大進度快，封裝技術瓶頸和差距依然具備追趕并進的機會。
中電南方國基集團有限公司高級工程師李士顏也認為，國內碳化硅功率器件迅速布局，技術進步迅速，自主芯片國產替代前景廣闊。不過，他也指出，大尺寸碳化硅襯底、碳化硅MOSFET技術成熟度仍需提高，碳化硅MOSFET器件應用技術提升是碳化硅市場的重要牽引。
展開 又一批汽車OBC采用碳化硅；國產裝車量30萬只/月？
去年，國產碳化硅獲得數(shù)千萬汽車OBC訂單，引起了業(yè)界高度關注。據(jù)“三代半風向”走訪了解，國內某企業(yè)的出貨量更為驚人——
碳化硅器件
月裝車量將達到
30萬只
。
除了國內OBC采用碳化硅外，最近國外一大批
OBC企業(yè)
都在發(fā)布基于碳化硅的產品，碳化硅“上車”勢頭正在全球蔓延。究竟碳化硅能夠為OBC帶來哪些益處？今天，我們就跟大家聊聊。
OBC企業(yè)積極導入碳化硅
單一企業(yè)月裝車30萬只
SiC MOSFET在
車載充電器
（OBC）上越來越受歡迎，以CES 2022展會為例，最近又有一批外資企業(yè)推出了相關產品。
2月2日，Emporia Energy宣布與電力電子公司BREK Electronics合作，為北美市場開發(fā)
雙向電動汽車充電器
，預計這款充電器將于
2023年
以低于1500美元（約9500元人民幣）的價格
上市
。
據(jù)介紹，BREK以其
碳化硅太陽能逆變器平臺
而聞名，據(jù)說其功率密度比競爭對手高出
200%
。而這次合作，BREK負責開發(fā)碳化硅功率器件，并與Emporia將這種硬件專門用于
雙向EV充電
。
在OBC領域，中國的出貨量全球領先。以
得潤
為例，2020年他們的OBC在歐洲市場出貨約20萬套，市占率
近15%
，他們未來的目標是拿下全球近20%的市場份額。
國產OBC企業(yè)也早已通過SiC技術提升產品競爭力。
事實上，OBC企業(yè)越來越熱衷采用國產SiC器件，甚至國產SiC MOSFET也開始“上車”。
展開 揭秘第三代芯片材料：SiC
通過在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層，制得碳化硅同質外延片，可進一步制成肖特基二極管、MOSFET、IGBT 等功率器件。
2、 半絕緣型襯底：具有高電阻率（≥105Ω·cm）的碳化硅襯底。通過在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層，制得碳化硅基氮化鎵外延片，可進一步制成微波射頻器件。
▲碳化硅器件產業(yè)鏈
優(yōu)異的性能使得碳化硅材料應用領域廣闊，目前主流的器件種類為功率器件（碳化硅基碳化硅）和射頻器件（碳化硅基氮化鎵），可以說需要高壓和高頻器件的應用場景，都是碳化硅潛在替代的市場。尤其是對電力轉換需求頻繁、使用條件苛刻及對模塊體積和重量等有要求的場景，碳化硅器件優(yōu)勢明顯：
1、 功率器件（電力電子領域）
應用一：電動車逆變器及充電樁。電動車逆變器是碳化硅功率器件最為主要的市場，在相同功率下，碳化硅模塊封裝尺寸更小，損耗更低。在動力電池性能提升已經有限的情況下，碳化硅功率器件將成為提升電動車延長行駛里程、縮短充電時間及增大電池容量的重要手段。
國內外知名車企也在積極推動碳化硅器件的應用。特斯拉是全球第一家將碳化硅 MOSFET 應用于商用車主逆變器的廠商，Model 3 的主逆變器采用了意法半導體生產的 24 個碳化硅MOSFET 功率模塊。隨后國內廠商比亞迪也迅速跟進，在漢 EV 上搭載了自主研發(fā)的碳化硅功率模塊。未來隨著碳化硅材料成本的不斷下降，未來將有更多車型使用碳化硅器件。碳化硅器件也可應用于新能源汽車 充電樁，可以減小充電樁體積，提高充電速度。
應用二：光伏逆變器。光伏發(fā)電系統(tǒng)中，硅基逆變器成本占系統(tǒng)的 10%，但卻是系統(tǒng)能量損耗的主要來源。
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