Layered Materials的案例
基于ANSYS的多層堆疊模塊焊接殘余應力分析及選材優化
關鍵詞：ANAND; 多層堆疊; 殘余應力
Residual Stress Analysis and Material Adoption Optimization for Multilayer Stacked Module Based on ANSYS
ZHANG Yan，XU Dian，ZHAO Xifang
( Nanjing Research Institute of Electronics Technology， Nanjing 210039，China) )
Abstract: The residual stress of a multilayer stacked module is investigated．The influences of layer material and welding sequence on the residual stress of the module are discussed and the optimization recommendations are given．The ANAND model is adopted to describe the viscoplastic behavior of solder with the help of ANSYS finite element analysis．The multi-scale coupling between the soldering layer and the function layer is realized by the contact-based multi-point constraint ( MPC) algorithm．
展開 熱電領域著名的Hicks-Dresselhaus理論預言首次在二維層狀材料中得到實驗證實
【成果簡介】
南京大學物理學院的梁世軍副研究員、繆峰教授與吉林大學張立軍教授合作，近日（2018年11月27日）在Nano Letters上發表題為“Experimental Identification of Critical Condition for Drastically Enhancing Thermoelectric Power Factor of Two-Dimensional Layered Materials”的重要研究進展。該文章從載流子濃度、溫度以及不同厚度等多個自由度出發，實驗研究了二維層狀材料γ-InSe的熱電運輸性質，并結合理論計算，揭示了在薄層樣品中，量子限域效應會導致在導帶邊出現更尖銳的態密度，進而增強其熱電功率因子。最重要的是，該研究首次在二維層狀材料中通過實驗確定了當量子限域長度在小于熱德布羅意波長時，熱電功率因子顯著增強的臨界條件，最終證實了Hicks-Dresselhaus理論的預言。該研究結果為優化功率因子和改善二維層狀半導體的熱電性能提供了重要且通用的實驗指導。
【圖文導讀】
圖1 InSe的晶體結構，熱電測試的器件結構
（a）InSe的晶體結構圖
（b）7– 29 nm厚度下的InSe拉曼譜
（c）熱電測試結構的示意圖
（d）熱電器件的光學顯微鏡圖。
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