靜電
關(guān)注創(chuàng)建者：320科技工作室 創(chuàng)建時(shí)間：2023-01-18
靜電的視頻教程
靜電驅(qū)動(dòng)懸臂梁靜電-結(jié)構(gòu)及動(dòng)態(tài)特性耦合分析（三章全）
靜電-結(jié)構(gòu)耦合分析： ? ? 在電極與懸臂梁之間加直流電壓，了解不同的電壓下，懸臂梁的Y向位移和內(nèi)部應(yīng)力情況。
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maxwell comsol靜電場(chǎng)求解器控制方程及電壓激勵(lì)與點(diǎn)和激勵(lì)的區(qū)別
靜電場(chǎng)控制方程詳解 2. 導(dǎo)體與電介質(zhì)材料模擬的方法 3. 自由電荷與束縛電荷的分布 4. 靜電感應(yīng)、極化電荷分布仿真 5. 電壓激勵(lì)與電荷激勵(lì)的區(qū)別 6. 懸浮電位、終端邊界條件 7. 電荷守恒在仿真中的體現(xiàn)
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靜電的實(shí)例教程
以IEC61340（靜電標(biāo)準(zhǔn)）為例，它由下列部分組成，其總標(biāo)題為：靜電。
IEC61340－1：總論；
IEC61340－2－1：靜電測(cè)試方法—充電率；
IEC61340－2－2：靜電測(cè)試方法—電阻和電阻率；
IEC61340－3－1：模擬靜電效果方法——靜電放電模擬——人體模型(HBM)；
IEC61340－3－2：模擬靜電效果方法——靜電放電模擬——機(jī)器模型(MM)；
IEC61340－3－3：模擬靜電效果方法——靜電放電模擬——帶電器件模型(CDM)；
IEC61340－4－1：特定應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法——地面覆蓋物和安裝地板的靜電性能；
IEC 61340-4-4：軟性中間散裝貨物集裝箱(FIBC)的靜電防護(hù)測(cè)試方法；
IEC61340－4－3：特定應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法——靜電防護(hù)鞋特性的測(cè)試方法；
IEC61340－5－1：電子器件的靜電防護(hù)——基本要求；
IEC61340－5－2：電子器件的靜電防護(hù)——用戶指南。
IEC標(biāo)準(zhǔn)不僅僅只有靜電標(biāo)準(zhǔn)IEC61340，還有其他許多標(biāo)準(zhǔn)，比如變電站自動(dòng)化標(biāo)準(zhǔn)IEC61850、能量管理系統(tǒng)應(yīng)用程序接口（EMSAPI）標(biāo)準(zhǔn)IEC61970、配電管理系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)IEC61968等等。
優(yōu)耐檢測(cè)是第三方獨(dú)立實(shí)驗(yàn)室，擁有966輻射暗室，EMS,EMI實(shí)驗(yàn)室及LVD安規(guī)實(shí)驗(yàn)室。
如果您的產(chǎn)品出口到沙特,伊拉克,伊朗,肯尼亞,坦桑尼亞,烏干達(dá),尼日利亞,菲律賓,加納等國(guó)家,我們還可以為您提供產(chǎn)品出口驗(yàn)貨COC證書(shū)服務(wù),我們與SGS,天祥,BV,MENMKO,YUV等驗(yàn)貨機(jī)構(gòu)常年保持密切合作,協(xié)作您的產(chǎn)品順利清關(guān);
節(jié)能燈IEC60968,IEC60969測(cè)試報(bào)告。
標(biāo)準(zhǔn)966電波暗室,輻射,傳導(dǎo),靜電,雷擊等現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試。
展開(kāi) 安裝圖以CD90B4-88作為參考
靜電（ESD）到底是什么
ESD（Electro-Static discharge）的意思是“靜電釋放”。ESD是20世紀(jì)中期以來(lái)形成的以研究靜電的產(chǎn)生、危害及靜電防護(hù)等的學(xué)科。因此，國(guó)際上習(xí)慣將用于靜電防護(hù)的器材統(tǒng)稱為ESD。
靜電的產(chǎn)生
靜電是一種客觀存在的自然現(xiàn)象，產(chǎn)生的方式多種，如接觸、摩擦、電器間感應(yīng)等。靜電的特點(diǎn)是長(zhǎng)時(shí)間積聚、高電壓、低電量、小電流和作用時(shí)間短的特點(diǎn)。
人體自身的動(dòng)作或與其他物體的接觸，分離，摩擦或感應(yīng)等因素，可以產(chǎn)生幾千伏甚至上萬(wàn)伏的靜電。
靜電在多個(gè)領(lǐng)域造成嚴(yán)重危害。摩擦起電和人體靜電是電子工業(yè)中的兩大危害，常常造成電子電器產(chǎn)品運(yùn)行不穩(wěn)定，甚至損壞。
生產(chǎn)過(guò)程中靜電防護(hù)的主要措施為靜電泄露、耗散、中和、增濕，屏蔽與接地。
人體靜電防護(hù)系統(tǒng)主要有防靜電手腕帶、腳腕帶、腳跟帶、工作服、鞋襪、帽、手套或指套等組成，具有靜電泄放，中和與屏蔽等功能。
靜電防護(hù)工作是一項(xiàng)長(zhǎng)期的系統(tǒng)工程，任何環(huán)節(jié)的失誤或疏漏，都將導(dǎo)致靜電防護(hù)工作的失敗。
靜電的危害
靜電在我們的日常生活中可以說(shuō)是無(wú)處不在，我們的身上和周圍就帶有很高的靜電電壓，幾千伏甚至幾萬(wàn)伏。
展開(kāi) ⑤ 防靜電地板，地墊接地。
⑥ 防靜電周轉(zhuǎn)車，箱，架盡可能接地。
⑦ 防靜電椅接地。
二、靜電屏蔽
靜電敏感元件在儲(chǔ)存或運(yùn)輸過(guò)程中會(huì)暴露于有靜電的區(qū)域中，用靜電屏蔽的方法可削弱外界靜電對(duì)電子元件的影響，最通常的方法是用靜電屏蔽袋和防靜電周轉(zhuǎn)箱作為保護(hù)。另外防靜電衣對(duì)人體的衣服具有一定的屏蔽作用。
三、離子中和
A.防靜電儀表
① 手腕帶/腳帶/防靜電鞋綜合檢測(cè)儀－用途：用于檢測(cè)手腕帶，腳帶，防靜電鞋是否符合要求。
② 測(cè)試腳帶 及防靜電鞋時(shí)，需增加一塊金屬板及儀表連接的導(dǎo)線。
③ 除靜電離子風(fēng)機(jī)檢測(cè)儀－用途：定期對(duì)離子風(fēng)機(jī)平衡度和衰減時(shí)間進(jìn)行檢測(cè)及校驗(yàn)以確保離子風(fēng)機(jī)工作在安全的指標(biāo)范圍。
④ 靜電場(chǎng)探測(cè)儀－用途：測(cè)量靜電場(chǎng)以反映靜電的存在，以電壓形式讀數(shù)，用來(lái)測(cè)試環(huán)境的靜電強(qiáng)度。一般受環(huán)境影響和靜電瞬間特性，很難真實(shí)反映實(shí)際情況。
⑤ 靜電屏蔽袋測(cè)試儀－用途：用于檢測(cè)靜電屏蔽袋的屏蔽效果。
⑥ 表面電阻測(cè)量?jī)x－用途：用于測(cè)量材料表面電阻，體積電阻。
B.接地類防靜電產(chǎn)品
① 防靜電手腕帶：廣泛用于各種操作工位，手腕帶種類很多，建議一般采用配有1兆歐姆電阻的手腕帶，線長(zhǎng)應(yīng)留有一定余量。
② 防靜電手表：需要其它防靜電措施的補(bǔ)救（如：增設(shè)離子風(fēng)機(jī)，戴防靜電腳跟帶等）才能取得較好的防靜電效果。建議不要大量采用佩帶防靜電手表的方式。
③ 防靜電腳帶/防靜電鞋：廠房使用防靜電地面后，應(yīng)配戴防靜電鞋帶或穿防靜電鞋，建議車間以穿防靜電鞋為主，可降低灰塵的引入。操作人員工再結(jié)合配帶防靜電手腕帶效果將會(huì)更佳。
④ 防靜電臺(tái)墊：用于各工作臺(tái)表面的鋪設(shè)，各臺(tái)墊串上1兆歐電阻后與防靜電地可靠連接。
展開(kāi) ⑤ 防靜電地板，地墊接地。
⑥ 防靜電周轉(zhuǎn)車，箱，架盡可能接地。
⑦ 防靜電椅接地。
二、靜電屏蔽
靜電敏感元件在儲(chǔ)存或運(yùn)輸過(guò)程中會(huì)暴露于有靜電的區(qū)域中，用靜電屏蔽的方法可削弱外界靜電對(duì)電子元件的影響，最通常的方法是用靜電屏蔽袋和防靜電周轉(zhuǎn)箱作為保護(hù)。另外防靜電衣對(duì)人體的衣服具有一定的屏蔽作用。
三、離子中和
A.防靜電儀表
① 手腕帶/腳帶/防靜電鞋綜合檢測(cè)儀－用途：用于檢測(cè)手腕帶，腳帶，防靜電鞋是否符合要求。
② 測(cè)試腳帶 及防靜電鞋時(shí)，需增加一塊金屬板及儀表連接的導(dǎo)線。
③ 除靜電離子風(fēng)機(jī)檢測(cè)儀－用途：定期對(duì)離子風(fēng)機(jī)平衡度和衰減時(shí)間進(jìn)行檢測(cè)及校驗(yàn)以確保離子風(fēng)機(jī)工作在安全的指標(biāo)范圍。
④ 靜電場(chǎng)探測(cè)儀－用途：測(cè)量靜電場(chǎng)以反映靜電的存在，以電壓形式讀數(shù)，用來(lái)測(cè)試環(huán)境的靜電強(qiáng)度。一般受環(huán)境影響和靜電瞬間特性，很難真實(shí)反映實(shí)際情況。
⑤ 靜電屏蔽袋測(cè)試儀－用途：用于檢測(cè)靜電屏蔽袋的屏蔽效果。
⑥ 表面電阻測(cè)量?jī)x－用途：用于測(cè)量材料表面電阻，體積電阻。
B.接地類防靜電產(chǎn)品
① 防靜電手腕帶：廣泛用于各種操作工位，手腕帶種類很多，建議一般采用配有1兆歐姆電阻的手腕帶，線長(zhǎng)應(yīng)留有一定余量。
② 防靜電手表：需要其它防靜電措施的補(bǔ)救（如：增設(shè)離子風(fēng)機(jī)，戴防靜電腳跟帶等）才能取得較好的防靜電效果。建議不要大量采用佩帶防靜電手表的方式。
③ 防靜電腳帶/防靜電鞋：廠房使用防靜電地面后，應(yīng)配戴防靜電鞋帶或穿防靜電鞋，建議車間以穿防靜電鞋為主，可降低灰塵的引入。操作人員工再結(jié)合配帶防靜電手腕帶效果將會(huì)更佳。
④ 防靜電臺(tái)墊：用于各工作臺(tái)表面的鋪設(shè)，各臺(tái)墊串上1兆歐電阻后與防靜電地可靠連接。
⑤ 防靜電地板：
防靜電地板分為：PVC地板、聚胺脂地板、活動(dòng)地板。
展開(kāi) 芯片封測(cè)工廠的靜電問(wèn)題簡(jiǎn)述
芯片制造由前端的Wafer Fabrication（晶圓廠）與后端的Chip Assembly & Testing（芯片封裝與測(cè)試）兩個(gè)階段。相比Wafer Fab，芯片封測(cè)工廠中的靜電問(wèn)題較為普遍而且高發(fā)。靜電造成的問(wèn)題以ESD（Electro-Static Discharge，靜電釋放或靜電放電）導(dǎo)致的芯片電性不良為主。
圖1，靜電導(dǎo)致的芯片電性不良-leakage
芯片封測(cè)工廠中的靜電來(lái)源
芯片封測(cè)工廠中的靜電產(chǎn)生，主要來(lái)自于各制程設(shè)備操作與生產(chǎn)工序的相關(guān)過(guò)程，主要包括：
1.封裝階段wafer切割blue tape的貼膜（taping）與撕膜（peeling）過(guò)程的靜電在wafer上的產(chǎn)生與累積。
2.高壓rinsing過(guò)程wafer上的靜電帶電與靜電累積等；
圖2.高速流體產(chǎn)生靜電的情形
3.自動(dòng)化設(shè)備取放die、chip過(guò)程產(chǎn)生的靜電與累積；
圖3.Die attachment機(jī)臺(tái)中吸取Die產(chǎn)生靜電的情形
4.其他制程設(shè)備中的靜電產(chǎn)生情形。
芯片封測(cè)工廠靜電導(dǎo)致芯片不良的方式
靜電導(dǎo)致芯片發(fā)生電性不良（功能失效及電氣可靠性下降），主要表現(xiàn)為wafer上方的靜電累積過(guò)高導(dǎo)致絕緣膜層電性損壞（集中于wafer sawing工序中的HPW ringsing中），與靜電放電（Electro-Static Discharge，ESD）過(guò)程產(chǎn)生的快速電流脈沖stress絕緣介質(zhì)膜層引發(fā)擊穿失效（主要發(fā)生于wafer的probing test，封裝測(cè)試階段的die attachment、wire bond及各種電性測(cè)試工序）。
展開(kāi) 
靜電的相關(guān)專題、標(biāo)簽、搜索
靜電的最新內(nèi)容
展出范圍
半導(dǎo)體材料：硅片及硅基材料、硅晶圓、硅晶片、單晶硅、硅片、鍺硅材料、S01材料、太陽(yáng)能電池用硅材料及化合物半導(dǎo)體材料、石英制品、石墨制品、防靜電材料、光刻膠及其配套試劑、晶圓膠帶、光掩膜版、電子氣體、特種化學(xué)氣體、CMP拋光材料、封裝基板、引線框架、鍵合絲、包封材料、陶瓷基板、封測(cè)材料等。
為了仿真載流子的分布，使用CHARGE模塊對(duì)電荷和靜電勢(shì)進(jìn)行自洽仿真。隨后，MODE模塊將利用載流子濃度信息，計(jì)算材料折射率實(shí)部和虛部的相應(yīng)變化。這些參數(shù)隨后被導(dǎo)出至INTERCONNECT模塊，其中包括電壓相關(guān)的結(jié)電容。INTERCONNECT元件庫(kù)為行波調(diào)制器的設(shè)計(jì)與仿真提供了所需的靈活性。
具備高抗干擾，顯示效果好，靜電耐壓高等優(yōu)良特性，可替代市面上大部分LCD驅(qū)動(dòng)芯片，ESD防護(hù)能力達(dá)5.5KV。
2、抗靜電處理技術(shù)
通過(guò)外涂抗靜電劑（形成導(dǎo)電膜）或內(nèi)加抗靜電劑（分子遷移到表面），降低表面電阻，防止靜電積累。核心是形成導(dǎo)電層讓靜電快速泄漏，表面電阻需達(dá)到10^6-10^9 Ω/sq，適用于電子元器件包裝、醫(yī)療器械、工業(yè)設(shè)備外殼等。
物理吸附主要通過(guò)范德華力、靜電相互作用等弱相互作用力實(shí)現(xiàn)；化學(xué)吸附則形成共價(jià)鍵、離子鍵或配位鍵等強(qiáng)化學(xué)鍵。
3.2 化學(xué)反應(yīng)階段:
吸附在表面的金屬離子與還原劑發(fā)生氧化還原反應(yīng)，金屬離子獲得電子還原成金屬原子。例如，銀離子（Ag+）在還原劑的作用下被還原成銀原子（Ag），反應(yīng)方程式為：Ag+ + e- → Ag 。
新思科技 Totem?SC? 針對(duì)大規(guī)模 N2 制程設(shè)計(jì)及嵌入式存儲(chǔ)器，提供超高容量的模擬電源完整性簽核能力；同時(shí)，新思科技 PathFinder?SC? 將多芯片靜電放電（ESD）簽核覆蓋范圍擴(kuò)展至 N2 節(jié)點(diǎn)。基于云的多處理器與 GPU 加速進(jìn)一步縮短了周轉(zhuǎn)時(shí)間，使多物理場(chǎng)設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)能夠在復(fù)雜且受熱約束的三維封裝結(jié)構(gòu)中實(shí)現(xiàn)快速迭代。
內(nèi)置觸摸檢測(cè)專用穩(wěn)壓電路 ? 響應(yīng)時(shí)間約60ms @VDD=3V ? 可以由外部電容 (1~60pF) 調(diào)整靈敏度 ? 內(nèi)置按鍵消抖，無(wú)需外部軟件再消抖 ? 觸摸不離開(kāi)一直輸出 ? Q 腳為CMOS輸出 輸出電平由MHL腳選擇為高電平有效或低電平有效輸出 模式由MDT腳選擇為直接輸出或鎖存輸出 ? 上電后約有0.3秒的穩(wěn)定時(shí)間，此時(shí)所有功能都被禁止， 此期間內(nèi)不要觸摸檢測(cè)點(diǎn) ? 根據(jù)環(huán)境變化自校準(zhǔn)參數(shù) ? HBM靜電大于
計(jì)算不同溫度下功率密度與外加電壓的函數(shù)關(guān)系
研究各種界面(前端、后端等)的能帶排列情況
優(yōu)勢(shì)
仿真表面效應(yīng)及應(yīng)變影響
考慮溫度對(duì)OCV和光電流的影響
催化劑
功能
探究有/無(wú)電場(chǎng)條件下的活性位點(diǎn)本質(zhì)及反應(yīng)機(jī)理(過(guò)渡態(tài)、反應(yīng)路徑、反應(yīng)勢(shì)壘)
獲取吸附原子平衡分離距離和馬利肯電荷與外加電場(chǎng)的函數(shù)關(guān)系
優(yōu)勢(shì)
仿真真正半無(wú)限系統(tǒng)的特性
仿真靜電場(chǎng)中的表面化學(xué)反應(yīng)
Ansys HFSS可對(duì)月球著陸器上天線的性能進(jìn)行仿真
新思科技與EMA公司的聯(lián)合工作，旨在降低艙外活動(dòng)（EVA）系統(tǒng)（尤其是航天服）面臨的風(fēng)險(xiǎn)，這些風(fēng)險(xiǎn)主要來(lái)自月壤（月球風(fēng)化層）相互作用產(chǎn)生的摩擦起電，以及空間等離子體環(huán)境引發(fā)的電荷積累和靜電放電（ESD）。
電氣接地
平臺(tái)本體、控制柜、測(cè)試儀器需可靠接地
接地電阻通常要求≤4Ω，防止靜電和漏電干擾測(cè)試信號(hào)
4. 日常維護(hù)
每周清潔臺(tái)面，去除油污、鐵屑
每月檢查地腳螺栓緊固情況，每6個(gè)月復(fù)檢一次水平度
長(zhǎng)期閑置時(shí)覆蓋防塵罩，涂抹防銹油
