緩沖吸收電路的案例
干貨 | 盤點開關電源中的緩沖吸收電路
基本拓撲電路上一般沒有吸收緩沖電路，實際電路上一般有吸收緩沖電路，吸收與緩沖是工程需要，不是拓撲需要。
緩沖電路是控制開關器件快速上升和下降引起的瞬態尖峰的重要辦法。它們通常主要是由一些無源器件組成的網絡，用來控制電路中無功元件產生的振蕩。合理的緩沖電路，可以提高電路的可靠性和效率，降低EMI，并實現更高的工作頻率。緩沖器的基本目的是吸收由寄生成分引起的無功能量，并且將能量消耗掉或者將引導至能夠回收的地方。
而來自磁性器件和長PCB走線或環路中的電感，以及半導體結電容和布線耦合，這些是無功能量的常見來源。無論如何由于根本原因通常是寄生參數的影響，所以最重要的原則是盡量減少這些寄生參數。至于怎么樣才能做到這一點，將在后面的章節中更詳細地討論。但在這里，我們是假設在PCB布局已經很好地完成了接下來談論如何設計緩沖器大多數緩沖器都是針對特定的問題去設計的但是還是做一些分類可以幫助理解。第一個分類標準是將它們分成無源（只是電阻、電容、電感和二極管的組合）和有源（使用開關管）緩沖吸收電路，但另一個分類標準是看緩沖器是屬于能量耗散還是非耗散類型，第三個分類標準是控制電壓還是電流。任何時候感性元件遇到容性元件，如果還存在快速變化的電流或電壓，其結果可能就是產生振蕩。
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基本拓撲電路上一般沒有吸收緩沖電路，實際電路上一般有吸收緩沖電路，吸收與緩沖是工程需要，不是拓撲需要。
緩沖電路是控制開關器件快速上升和下降引起的瞬態尖峰的重要辦法。它們通常主要是由一些無源器件組成的網絡，用來控制電路中無功元件產生的振蕩。合理的緩沖電路，可以提高電路的可靠性和效率，降低EMI，并實現更高的工作頻率。緩沖器的基本目的是吸收由寄生成分引起的無功能量，并且將能量消耗掉或者將引導至能夠回收的地方。
而來自磁性器件和長PCB走線或環路中的電感，以及半導體結電容和布線耦合，這些是無功能量的常見來源。無論如何由于根本原因通常是寄生參數的影響，所以最重要的原則是盡量減少這些寄生參數。至于怎么樣才能做到這一點，將在后面的章節中更詳細地討論。但在這里，我們是假設在PCB布局已經很好地完成了接下來談論如何設計緩沖器大多數緩沖器都是針對特定的問題去設計的但是還是做一些分類可以幫助理解。第一個分類標準是將它們分成無源（只是電阻、電容、電感和二極管的組合）和有源（使用開關管）緩沖吸收電路，但另一個分類標準是看緩沖器是屬于能量耗散還是非耗散類型，第三個分類標準是控制電壓還是電流。任何時候感性元件遇到容性元件，如果還存在快速變化的電流或電壓，其結果可能就是產生振蕩。
吸收與緩沖的功效：
防止器件損壞，吸收防止電壓擊穿，緩沖防止電流擊穿
使功率器件遠離危險工作區，從而提高可靠性
降低（開關）器件損耗，或者實現某種程度的關軟開
降低di/dt和dv/dt，降低振鈴，改善EMI品質
提高效率（提高效率是可能的，但弄不好也可能降低效率）
也就是說，防止器件損壞只是吸收與緩沖的功效之一，其他功效也是很有價值的。
吸收：吸收是對電壓尖峰而言。
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基本拓撲電路上一般沒有吸收緩沖電路，實際電路上一般有吸收緩沖電路，吸收與緩沖是工程需要，不是拓撲需要。
緩沖電路是控制開關器件快速上升和下降引起的瞬態尖峰的重要辦法。它們通常主要是由一些無源器件組成的網絡，用來控制電路中無功元件產生的振蕩。合理的緩沖電路，可以提高電路的可靠性和效率，降低EMI，并實現更高的工作頻率。緩沖器的基本目的是吸收由寄生成分引起的無功能量，并且將能量消耗掉或者將引導至能夠回收的地方。
而來自磁性器件和長PCB走線或環路中的電感，以及半導體結電容和布線耦合，這些是無功能量的常見來源。無論如何由于根本原因通常是寄生參數的影響，所以最重要的原則是盡量減少這些寄生參數。至于怎么樣才能做到這一點，將在后面的章節中更詳細地討論。但在這里，我們是假設在PCB布局已經很好地完成了接下來談論如何設計緩沖器大多數緩沖器都是針對特定的問題去設計的但是還是做一些分類可以幫助理解。第一個分類標準是將它們分成無源（只是電阻、電容、電感和二極管的組合）和有源（使用開關管）緩沖吸收電路，但另一個分類標準是看緩沖器是屬于能量耗散還是非耗散類型，第三個分類標準是控制電壓還是電流。任何時候感性元件遇到容性元件，如果還存在快速變化的電流或電壓，其結果可能就是產生振蕩。
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基本拓撲電路上一般沒有吸收緩沖電路，實際電路上一般有吸收緩沖電路，吸收與緩沖是工程需要，不是拓撲需要。
緩沖電路是控制開關器件快速上升和下降引起的瞬態尖峰的重要辦法。它們通常主要是由一些無源器件組成的網絡，用來控制電路中無功元件產生的振蕩。合理的緩沖電路，可以提高電路的可靠性和效率，降低EMI，并實現更高的工作頻率。緩沖器的基本目的是吸收由寄生成分引起的無功能量，并且將能量消耗掉或者將引導至能夠回收的地方。
而來自磁性器件和長PCB走線或環路中的電感，以及半導體結電容和布線耦合，這些是無功能量的常見來源。無論如何由于根本原因通常是寄生參數的影響，所以最重要的原則是盡量減少這些寄生參數。至于怎么樣才能做到這一點，將在后面的章節中更詳細地討論。但在這里，我們是假設在PCB布局已經很好地完成了接下來談論如何設計緩沖器大多數緩沖器都是針對特定的問題去設計的但是還是做一些分類可以幫助理解。第一個分類標準是將它們分成無源（只是電阻、電容、電感和二極管的組合）和有源（使用開關管）緩沖吸收電路，但另一個分類標準是看緩沖器是屬于能量耗散還是非耗散類型，第三個分類標準是控制電壓還是電流。任何時候感性元件遇到容性元件，如果還存在快速變化的電流或電壓，其結果可能就是產生振蕩。
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印刷電路板減震緩沖—JGX-0240D-3.6A型鋼絲繩隔振器
印刷電路板減震緩沖—JGX-0240D-3.6A型鋼絲繩隔振器
鋼絲繩隔振器是由鋼絲繩繞成螺旋狀并固定在沿螺母布置的兩塊金屬板之間制作而成的。它是一種具有非線性特性和干摩擦阻尼的新型隔振器，采用多股鋼絲按一定方向纏繞而成的鋼絲繩作為彈性元件，具有明顯的遲滯特性，其能量耗散來源于鋼絲間的摩擦、擠壓、滑移。
JGX-0240D-3.6A鋼絲繩隔振器是JGX-0240系列鋼絲繩隔振器中的一種型號，該型號由直徑2.4mm的鋼絲繩沿著上下兩個夾板繞制10圈而成，能夠承受的最大靜載荷為3.6kg，具有耐腐蝕、耐沖擊、耐高低溫等性能，適用于機載、車載、艦載等電子、機械設備、計算機與儀器儀表的隔振緩沖，導彈衛星的運載、導航與發射系統的安全防護以及高低溫、化學污染等惡劣環境下機械、電子設備與設施的隔振緩沖等方面。
命名方式
尺寸表
型號
單重（kg）
安裝方式
通孔（mm）
螺紋（mm）
沉孔（°）
JGX-0240D-3.6A
0.152
A,B,C,D,E,S
Φ5.6±0.13
M5×0.8
90
結構圖
安裝方式
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MOS開關實現電壓通斷的例子：由 1.5V_SUS產生 1.5V電路
看過前面的例子，你能總結出“MOS管用做開關時在電路中的連接方法”嗎？其實關鍵就是：確定哪一個極連接輸入端；哪個極連接輸出端。
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latch是電平觸發，register是邊沿觸發，register在同一時鐘邊沿觸發下動作，符合同步電路的設計思想，而latch則屬于異步電路設計，往往會導致時序分析困難，不適當的應用latch則會大量浪費芯片資源。
17 BLOCKING NONBLOCKING 賦值的區別
非阻塞賦值：塊內的賦值語句同時賦值，一般用在時序電路描述中。
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干貨 | 電動工具一般都用有刷電機，用無刷電機不行嗎？
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干貨 | 終于把MOSFET的每個特性參數都講透了
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這種情況一般是由于主電路（包括整流模塊、電解電容或逆變橋）直接擊穿短路所致，在擊穿的瞬間強烈的大電流造成模塊炸裂而產生巨大響聲。
關于模塊的損壞原因，是多方面的，不好一概而論。現僅就所遇到的幾類情況加以列舉。
①整流模塊的損壞大多是由于電網的污染造成的。因變頻器控制電路中使用可控整流器（如可控硅電焊機、機車充電瓶等），使電網的波形不再是規則的正弦波，使整流模塊受電網的污染而損壞，這需要增強變頻器輸入端的電源吸收能力。在變頻器內部一般也設計了該電路。但隨著電網污染程度的加深，該電路也應不斷改進，以增強吸收電網尖峰電壓的能力。
②電解電容及IGBT的損壞主要是由于不均壓造成的，這包括動態均壓及靜態均壓。在使用日久的變頻器中，由于某些電容的容量減少而導致整個電容組的不均壓，分擔電壓高的電容肯定要炸裂。
IGBT的損壞主要是由于母線尖蜂電壓過高而緩沖電路吸收不力造成的。在IGBT導通與關斷過程中，存在著極高的電流變化率，當母線設計不合理，造成母線電感過高時，即會使模塊承擔的電壓過高而擊穿，擊穿的瞬間大電流造成模塊炸裂，所以減小母線電感是作好變頻器的關鍵。我們改進電路采用的寬銅排結構效果較好。國外采用的多層母線結構值得借鑒。
③再一個就是參數設置不合理。尤其在大慣量負載下，如離心風機、離心攪拌機等，因變頻器頻率下降時間過短，造成停機過程電機發電而使母線電壓升高，超過模塊所能承受的界限而炸裂。
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這種情況一般是由于主電路（包括整流模塊、電解電容或逆變橋）直接擊穿短路所致，在擊穿的瞬間強烈的大電流造成模塊炸裂而產生巨大響聲。
關于模塊的損壞原因，是多方面的，不好一概而論。現僅就所遇到的幾類情況加以列舉。
①整流模塊的損壞大多是由于電網的污染造成的。因變頻器控制電路中使用可控整流器（如可控硅電焊機、機車充電瓶等），使電網的波形不再是規則的正弦波，使整流模塊受電網的污染而損壞，這需要增強變頻器輸入端的電源吸收能力。在變頻器內部一般也設計了該電路。但隨著電網污染程度的加深，該電路也應不斷改進，以增強吸收電網尖峰電壓的能力。
②電解電容及IGBT的損壞主要是由于不均壓造成的，這包括動態均壓及靜態均壓。在使用日久的變頻器中，由于某些電容的容量減少而導致整個電容組的不均壓，分擔電壓高的電容肯定要炸裂。
IGBT的損壞主要是由于母線尖蜂電壓過高而緩沖電路吸收不力造成的。在IGBT導通與關斷過程中，存在著極高的電流變化率，當母線設計不合理，造成母線電感過高時，即會使模塊承擔的電壓過高而擊穿，擊穿的瞬間大電流造成模塊炸裂，所以減小母線電感是作好變頻器的關鍵。我們改進電路采用的寬銅排結構效果較好。國外采用的多層母線結構值得借鑒。
③再一個就是參數設置不合理。尤其在大慣量負載下，如離心風機、離心攪拌機等，因變頻器頻率下降時間過短，造成停機過程電機發電而使母線電壓升高，超過模塊所能承受的界限而炸裂。這種情況應盡量使下降時間放長，一般不低于300秒，或在主電路中增加泄放回路，采用耗能電阻來釋放掉該能量。
（來源：網絡，版權歸原作者所有，侵刪）
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基于單脈沖試驗的IGBT模型的電壓應力測試分析
圖4 IGBT關斷電壓應力示意圖
RCD緩沖電路
對IGBT電壓應力的影響
按照光伏2代設計，三電平逆變輸出端子可以增加RCD（電容電阻二極管）緩沖電路來吸收電壓尖峰。單脈沖測試時，也可以增加RCD緩沖電路。圖5為富士IGBT模塊T3管單脈沖測試時RCD緩沖工作示意圖，英飛凌和西門康緩沖電路類似，不再贅述。
圖5 T3管RCD緩沖示意圖
T3關斷時，電感電流一部分通過T1反并聯二極管D1續流，一部分通過RCD緩沖電路Ds流向電容Cs，Cs電荷通過放電電阻Rs瀉放。交流輸出端子U電壓可以通過電容Cs鉗位，Cs電壓一般維持在母線電壓，因此T3關斷電壓應力得以降低。同時直流輸入側并聯Snubber電容C_sn。
在圖5所示的測試電路中，T3的關斷電壓應力主要受以下幾個因素影響：
1）門極驅動電阻；
2）關斷電流；
3）Snubber電容C_sn；
4）RCD緩沖電路。
關斷電壓應力不僅受驅動電阻的影響，母線Snubber電容，RCD緩沖電容也會影響電壓應力。
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