閾值的案例
閾值高達(dá)8.4V！GaN又破解一項(xiàng)難題
6月8日，
南方科技大學(xué)
在官網(wǎng)宣布，他們研發(fā)的GaN器件取得了突破性進(jìn)展——成功將器件的閾值
從1.7V提升到
8.4V
，解決了
閾值低和閾值不穩(wěn)定
問(wèn)題。
而有了這項(xiàng)技術(shù)，氮化鎵有望能夠采用通用型驅(qū)動(dòng)器，而無(wú)需定制驅(qū)動(dòng)器，可以提高安全性，降低整體成本，將進(jìn)一步推動(dòng)氮化鎵的普及。
相關(guān)研究成果已發(fā)表在IEEE International Electron Devices Meeting和IEEE Electron Device Letters上。
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傳統(tǒng)難題：
驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜
在理想情況下，
65%
的硅基功率器件應(yīng)用都可以采用氮化鎵進(jìn)行替代，但是前提是要解決2個(gè)問(wèn)題：
成本較高，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜
，特別是后者。
相比之下，硅器件驅(qū)動(dòng)電路選擇性非常廣，而GaN器件對(duì)驅(qū)動(dòng)的要求很嚴(yán)苛，需要專門的驅(qū)動(dòng)器，從而增加了設(shè)計(jì)復(fù)雜度，也額外增加了系統(tǒng)成本。
據(jù)南科大解釋，現(xiàn)有的基于“p型氮化鎵肖特基柵極”的商用氮化鎵功率晶體管存在閾值低和閾值不穩(wěn)定問(wèn)題，從而對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路提出了苛刻的要求，并對(duì)整個(gè)電路系統(tǒng)的安全性提出了挑戰(zhàn)。
為此，通過(guò)優(yōu)化GaN器件結(jié)構(gòu)，來(lái)簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，成為了業(yè)界的研發(fā)焦點(diǎn)。
南科大新技術(shù)：
閾值高達(dá)8.4V
南科大
研究發(fā)現(xiàn)，柵極p-GaN是氮化鎵功率晶體管閾值不穩(wěn)定性的主要來(lái)源。
當(dāng)p-GaN空穴量不足時(shí)，功率晶體管的閾值就會(huì)往正向漂移。
傳統(tǒng)氮化鎵功率晶體管的p-GaN層為浮空狀態(tài)，空穴量無(wú)法被直接控制，從而導(dǎo)致了器件閾值的不穩(wěn)定。
展開 減速機(jī)軸承溫度異常升高的預(yù)警閾值與處置流程
通過(guò)設(shè)定溫度閾值、溫升率和停機(jī)策略，以及結(jié)合振動(dòng)、油溫等多參數(shù)監(jiān)測(cè)，可實(shí)現(xiàn)早期預(yù)警與分級(jí)處置，確保傳動(dòng)系統(tǒng)安全與持續(xù)運(yùn)行。
1、預(yù)警閾值設(shè)定
預(yù)警閾值的設(shè)定需要綜合考慮減速機(jī)的類型、規(guī)格、工作環(huán)境以及軸承的材質(zhì)等因素。一般來(lái)說(shuō)，對(duì)于常見的工業(yè)減速機(jī)，軸承正常工作溫度在40℃-60℃之間。當(dāng)軸承溫度達(dá)到70℃時(shí)，可以設(shè)置為一級(jí)預(yù)警閾值，此時(shí)需要密切關(guān)注溫度變化情況。當(dāng)溫度升至80℃，則為二級(jí)預(yù)警閾值，表明軸承可能已經(jīng)出現(xiàn)較為嚴(yán)重的問(wèn)題，需要立即采取措施。而當(dāng)溫度超過(guò)90℃，則達(dá)到危險(xiǎn)閾值，必須馬上停止減速機(jī)運(yùn)行，進(jìn)行全面檢查。
2、處置流程
（1）一級(jí)預(yù)警處置：當(dāng)軸承溫度達(dá)到一級(jí)預(yù)警閾值時(shí)，首先要檢查減速機(jī)的工作環(huán)境，看是否存在通風(fēng)不良、環(huán)境溫度過(guò)高等情況。同時(shí)，檢查潤(rùn)滑系統(tǒng)，查看潤(rùn)滑脂或潤(rùn)滑油的量是否充足、是否變質(zhì)。如果發(fā)現(xiàn)潤(rùn)滑不足，應(yīng)及時(shí)補(bǔ)充或更換。此外，還要檢查軸承的負(fù)載情況，看是否存在過(guò)載運(yùn)行的現(xiàn)象。
（2）二級(jí)預(yù)警處置：若溫度達(dá)到二級(jí)預(yù)警閾值，除了進(jìn)行上述檢查外，還需要對(duì)減速機(jī)進(jìn)行停機(jī)檢查。使用專業(yè)的檢測(cè)設(shè)備，如振動(dòng)測(cè)試儀、紅外熱成像儀等，對(duì)軸承進(jìn)行全面檢測(cè)，判斷是否存在磨損、損壞等問(wèn)題。如果發(fā)現(xiàn)軸承有異常，應(yīng)及時(shí)進(jìn)行維修或更換。
（3）危險(xiǎn)閾值處置：當(dāng)軸承溫度超過(guò)危險(xiǎn)閾值時(shí)，必須立即停止減速機(jī)運(yùn)行，切斷電源。等待軸承冷卻后，對(duì)整個(gè)減速機(jī)進(jìn)行全面拆卸檢查，找出導(dǎo)致溫度異常升高的根本原因?？赡艿脑虬ㄝS承本身質(zhì)量問(wèn)題、安裝不當(dāng)、潤(rùn)滑不良、負(fù)載過(guò)大等。針對(duì)具體問(wèn)題進(jìn)行修復(fù)或更換相關(guān)部件，確保減速機(jī)在修復(fù)后能夠正常運(yùn)行。
展開 23基于MATLAB的小波降噪，默認(rèn)閾值消噪，強(qiáng)制消噪，給定軟閾值消噪方法，數(shù)據(jù)直接替換后就可以跑。 ￥10
基于MATLAB的小波降噪，默認(rèn)閾值消噪，強(qiáng)制消噪，給定軟閾值消噪方法，數(shù)據(jù)直接替換后就可以跑。
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【實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)】動(dòng)力電池行業(yè)振動(dòng)/沖擊/擠壓等工況安全閾值（判斷標(biāo)準(zhǔn)）的進(jìn)階理解
電池包仿真行業(yè)內(nèi)，如隨機(jī)振動(dòng)仿真常用材料抗拉強(qiáng)度的1/5或屈服強(qiáng)度的1/3做為安全閾值，李某人參加過(guò)多次行業(yè)峰會(huì)，曾與從電池包行業(yè)十幾年的仿真專家和高校教授交流過(guò)，這個(gè)判斷標(biāo)準(zhǔn)的依據(jù)是什么？出自何處？答案都是判斷標(biāo)準(zhǔn)是行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，通過(guò)大量的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證和修正得到，已經(jīng)找不到出處源頭。對(duì)此李某人保持懷疑態(tài)度，直到開始研究疲勞仿真后，李某人才豁然開朗，從理論上找到了各個(gè)工況判斷標(biāo)準(zhǔn)的依據(jù)。
隨機(jī)振動(dòng)
行業(yè)內(nèi)常用標(biāo)準(zhǔn)：材料抗拉強(qiáng)度的1/5、屈服強(qiáng)度的1/3
工況解讀：隨機(jī)振動(dòng)仿真模擬的是電池包長(zhǎng)期服役工況，需滿足整車生命周期（10~20年）范圍內(nèi)正常使用
如上圖，假設(shè)某一材料抗拉強(qiáng)度為200MPa，屈服強(qiáng)度為120MPa，則材料抗拉強(qiáng)度的1/5和屈服強(qiáng)度的1/3都為40MPa，該應(yīng)力狀態(tài)下，材料可承受10^7次拉伸，此時(shí)材料具有無(wú)限壽命。以此特例說(shuō)明，其實(shí)電池包中使用的大部分材料的抗拉強(qiáng)度的1/5≈屈服強(qiáng)度的1/3，且其應(yīng)力值都≤10^7對(duì)應(yīng)的應(yīng)力值。也就是說(shuō)當(dāng)隨機(jī)振動(dòng)的材料抗拉強(qiáng)度的1/5或屈服強(qiáng)度的1/3時(shí)，材料具有無(wú)限壽命，能夠滿足整車生命周期（10~20年）范圍內(nèi)正常使用
因此，材料抗拉強(qiáng)度的1/5或屈服強(qiáng)度的1/3為安全閾值的判斷標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)論是行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，還是理論推理，其核心思想都是使材料能夠長(zhǎng)期服役，具備“無(wú)限壽命”。
機(jī)械沖擊
行業(yè)內(nèi)常用標(biāo)準(zhǔn)：材料的屈服強(qiáng)度、屈服強(qiáng)度+2%塑性應(yīng)變、抗拉強(qiáng)度
工況解讀：機(jī)械沖擊仿真是模擬整車行駛過(guò)程中遇到的溝坎等偶發(fā)瞬時(shí)載荷，需滿足整車生命周期（10~20年）范圍內(nèi)正常使用
相比于隨機(jī)振動(dòng)的持續(xù)性，機(jī)械沖擊具有偶發(fā)性、瞬時(shí)性，機(jī)械沖擊發(fā)生后電池包需要繼續(xù)正常工作。
展開 252 基于MATLAB的自適應(yīng)差分閾值法檢測(cè)心電信號(hào)的QRS波 ￥25.9
基于MATLAB的自適應(yīng)差分閾值法檢測(cè)心電信號(hào)的QRS波，QRS波群反映左、右心室除極電位和時(shí)間的變化，第一個(gè)向下的波為Q波，向上的波為R波，接著向下的波是S波。通過(guò)GUI進(jìn)行數(shù)據(jù)處理，展示心率和QRS。程序已調(diào)通，可直接運(yùn)行。
霍爾效應(yīng)傳感器設(shè)計(jì)的技巧
Delay from filtering：過(guò)濾導(dǎo)致的系統(tǒng)延遲
Sample events： 采樣事件
Sampling jitter△tswitch： time window where next sample after crossing can
happen： 采樣抖動(dòng)△tswitch：通過(guò)后，下一個(gè)采樣可發(fā)生的時(shí)間窗口
Crossing can be sampled earliest：可進(jìn)行最早采樣的通過(guò)
Crossing must be sampled latest： 必須最后采樣的通過(guò)
在此，閾值噪聲和采樣抖動(dòng)都存在，導(dǎo)致了組合開關(guān)抖動(dòng)。B（t）緩慢穿過(guò)有效閾值，因此閾值噪聲不能再忽略。在有效閾值周圍繪制了噪聲帶。圖8表示瞬時(shí)閾值可以被定位在哪里。噪聲頻帶內(nèi)，B（t）在時(shí)間軸上的投影只是給出了來(lái)自閾值噪聲的時(shí)序抖動(dòng)Δtthres.noise。這種時(shí)序抖動(dòng)出現(xiàn)在濾波器輸出電壓Vfilter時(shí)是有延遲的?，F(xiàn)在，當(dāng)輸出翻轉(zhuǎn)時(shí)，最終的開關(guān)抖動(dòng)包含來(lái)自閾值噪聲的抖動(dòng)以及始終存在的采樣抖動(dòng)。
展開 孟錦豪等：基于NSGA-II遺傳算法的鋰電池均衡指標(biāo)優(yōu)化
DOI：10.19799/j.cnki.2095-4239.2023.0088
摘 要 鋰離子電池均衡系統(tǒng)主要用于解決電池組工作過(guò)程中出現(xiàn)的不一致現(xiàn)象，但現(xiàn)有研究在需要權(quán)衡多個(gè)均衡指標(biāo)時(shí)，均衡閾值的選取缺乏理論基礎(chǔ)。為解決該問(wèn)題，本工作提出了基于非支配排序遺傳算法(non-dominated sorting genetic algorithm-II，NSGA-II)對(duì)鋰離子電池均衡系統(tǒng)的均衡指標(biāo)進(jìn)行優(yōu)化的計(jì)算框架。首先，以均衡閾值(ΔV)作為問(wèn)題參數(shù)，兼顧均衡速度、開關(guān)次數(shù)、荷電狀態(tài)(state of charge，SOC)一致性最小作為多個(gè)均衡指標(biāo)建立目標(biāo)函數(shù)，并給出閾值與均衡指標(biāo)關(guān)系式求解的方法，建立優(yōu)化鋰電池均衡指標(biāo)的問(wèn)題模型；然后，使用NSGA-II算法對(duì)多個(gè)均衡指標(biāo)進(jìn)行優(yōu)化，并設(shè)計(jì)相應(yīng)的決策策略；最后，在新歐洲駕駛循環(huán)(new European driving cycle，NEDC)工況和高速燃油經(jīng)濟(jì)性測(cè)試循環(huán)(highway fuel economy test，HWFET)工況下對(duì)所提算法的有效性進(jìn)行驗(yàn)證。結(jié)果表明，電池組一致性、均衡速度相近的情況下，NEDC工況下最佳閾值ΔV=0.0232的開關(guān)頻率是經(jīng)驗(yàn)閾值ΔV=0.01的42%；同樣，在HWFET工況下最優(yōu)閾值ΔV=0.0156的開關(guān)頻率是經(jīng)驗(yàn)閾值ΔV=0.01的43.6%。本工作所提方法解決了以往均衡閾值難以確定的問(wèn)題，使均衡系統(tǒng)的設(shè)計(jì)變得科學(xué)有效。
展開 碳化硅功率晶體的設(shè)計(jì)發(fā)展及驅(qū)動(dòng)電壓限制
<Object: word/embeddings/oleObject1.bin>
圖6 碳化硅門極氧化層可靠度測(cè)試及其本質(zhì)缺陷及非本質(zhì)缺陷示意圖
碳化硅功率晶體的另一項(xiàng)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)就是門極閾值電壓的不穩(wěn)定性（threshold voltage instability）。門極閾值電壓的不穩(wěn)定性，會(huì)影響碳化硅功率晶體的可靠度。如果碳化硅功率晶體的閾值電壓往上，會(huì)造成功率晶體的通態(tài)電阻值及導(dǎo)通損耗增加；反之，如果碳化硅功率晶體的閾值電壓往下，會(huì)造成功率晶體易產(chǎn)生誤導(dǎo)通而燒毀。門極閾值電壓的不穩(wěn)定性有兩種現(xiàn)象，可回復(fù)型閾值電壓滯后作用（Reversible threshold voltage hysteresis） 及不可回復(fù)型的閾值電壓漂移（threshold voltage drift）；門極閾值電壓的不穩(wěn)定性來(lái)自于門極氧化層及碳化硅的介面間存在缺陷（trap），如同對(duì)介面間的電容進(jìn)行充放電，而門極電壓驅(qū)動(dòng)過(guò)程造成電子或電洞被捕獲，從而形成閾值電壓的滯后作用。
圖7 碳化硅功率晶體門極閾值電壓的滯后作用及偏移
如式（2），閾值電壓滯后作用是由門極氧化層接面的缺陷密度（Density of defect）及材料的帶隙（bandgap）所決定。相比于硅材料，碳化硅的材料缺陷密度比硅材料缺陷密度高1000~10000倍；而碳化硅的帶隙約為硅的3倍，因而造成碳化硅功率晶體的閾值電壓滯后作用在未經(jīng)處理之前，高達(dá)數(shù)伏特（V）之多，而硅材料只有數(shù)毫伏特（mV）。這也是電源供應(yīng)器設(shè)計(jì)者在使用碳化硅功率晶體時(shí)所必須注意的考量重點(diǎn)之一。
展開 【技術(shù)】DTEmpower核心功能技術(shù)揭秘(4）- MDI/MDA特征選擇技術(shù)
圖3 設(shè)備出口濁度預(yù)測(cè)模型的精度指標(biāo)隨MDI閾值的變化趨勢(shì)，當(dāng)不進(jìn)行特征選擇（MDI重要性閾值為0）時(shí)，R2≈0.90，MAPE≈0.08；MDI重要性閾值設(shè)置為0.010時(shí)，剔除明顯的無(wú)用特征，此時(shí)的模型精度顯著提高，R2提高到0.92，MAPE下降至接近0.07；進(jìn)一步增大MDI重要性閾值，模型精度也有了進(jìn)一步的提高。但是當(dāng)閾值設(shè)置過(guò)大時(shí)（本實(shí)驗(yàn)中設(shè)置為0.020），部分對(duì)預(yù)測(cè)結(jié)果有貢獻(xiàn)的特征也會(huì)被剔除，這會(huì)導(dǎo)致模型精度下降
2. 風(fēng)機(jī)測(cè)點(diǎn)結(jié)構(gòu)應(yīng)力快速評(píng)估(MDA)
① 數(shù)據(jù)集介紹：某頭部風(fēng)機(jī)制造商提供的結(jié)構(gòu)應(yīng)力評(píng)估數(shù)據(jù)集，含有15維輸入特征，含有2400個(gè)樣本，目標(biāo)是快速評(píng)估測(cè)點(diǎn)的結(jié)構(gòu)應(yīng)力。
② 建模方法：采用圖4所示的建模流程，采用Random Forest隨機(jī)森林、GBDT（Gradient Boosting Decision Tree）梯度提升樹、ExtraTrees極限隨機(jī)樹和Bagging共4種算法進(jìn)行對(duì)比實(shí)驗(yàn)。
③ 實(shí)驗(yàn)分析：設(shè)定不同的MDA重要性閾值，對(duì)不同閾值對(duì)應(yīng)模型的R2和NRMSE指標(biāo)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)對(duì)比，分析結(jié)果見圖6、圖7。
圖4 DTEmpower提供了一站式的數(shù)據(jù)建模解決方案，通過(guò)簡(jiǎn)單的節(jié)點(diǎn)拖拽即可搭建完整的建模流程。MDA作為特征選擇工具，能夠剔除“無(wú)用特征”，為搭建高精度模型提供支持
圖5 使用MDA功能模塊計(jì)算出15個(gè)特征變量的重要性值并進(jìn)行排序后的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。可以看到：V14、V3、V4等特征的重要性較低；V12、V2等特征的重要性較高；V11、V10等處于中間水平，對(duì)于目標(biāo)變量也有一定的“貢獻(xiàn)度”
圖6 隨著MDA閾值的不斷增加，4種模型的R2指標(biāo)出現(xiàn)了明顯的上升趨勢(shì)。
展開 OptiSystem應(yīng)用：數(shù)字調(diào)制-DPSK
經(jīng)過(guò)DPSK編碼/解碼后的電信號(hào)
使用多閾值檢測(cè)器
下一步是使用多閾值檢測(cè)器檢測(cè)I和Q電信號(hào)。 通過(guò)使用閾值檢測(cè)器，我們可以恢復(fù)原始的DPSK序列，然后將序列解碼為原始的二進(jìn)制信號(hào)。 您可以使用圖3中的系統(tǒng)和圖6中的組件。但是，您將需要一個(gè)添加一個(gè)組件：
主要的挑戰(zhàn)是在閾值檢測(cè)器組件中設(shè)置閾值和輸出幅度值。
由于我們知道這是一個(gè)8 DPSK，輸出振幅應(yīng)該是
檢測(cè)器將要求閾值來(lái)評(píng)估輸入信號(hào)以確定等效輸出電平，假設(shè)輸入值與輸出值相同（圖8），我們將根據(jù)信號(hào)輸入設(shè)置閾值
或等效數(shù)值： - 0.85，-0.353，0.353和0.85。
這些值將用于輸入信號(hào)與閾值之間的比較：
表2：基于閾值振幅的輸入和輸出
此外，參數(shù)參考比特率應(yīng)與多級(jí)信號(hào)比特率一致，這是二進(jìn)制序列的原始比特率除以每個(gè)碼元的比特?cái)?shù)：全局比特率/ 3。圖8為兩個(gè)檢測(cè)器的參數(shù)。
圖8. M-ary Threshold Detector參數(shù)
圖9. DPSK脈沖生成器和檢測(cè)器
運(yùn)行仿真后，您將看到二進(jìn)制源和解碼器輸出上的示波器的結(jié)果相同（與圖7結(jié)果相似）。 如果您沒(méi)有合適的全局序列長(zhǎng)度值，例如512bits，則圖形將不同。
增加正交調(diào)制
我們已經(jīng)知道如何對(duì)DPSK信號(hào)進(jìn)行編碼和解碼; 現(xiàn)在我們可以使用正交調(diào)制來(lái)調(diào)制多進(jìn)制信號(hào)。
圖10. DPSK發(fā)射器
這是建立我們的DPSK發(fā)射器的最后一步，現(xiàn)在運(yùn)行仿真并觀察信號(hào)輸出的頻譜（圖11）。
展開 
【技術(shù)】基于重力傳感器的車載GPS設(shè)備靜態(tài)漂移解決方案
在步驟3中，有想過(guò)做如下處理：如果其在當(dāng)前定位點(diǎn)的速度小于等于第一速度閾值或者大于等于第二速度閾值。則判定所述 GPS 設(shè)備發(fā)生速度漂移，放棄其在當(dāng)前定位點(diǎn)的 GPS 數(shù)據(jù)上傳。而本方案只對(duì)GPS速度做第二速度閾值做限制，第二速度閥值可以設(shè)置為 150-200 公里/小時(shí)。第一速度閾值之所以不做限制，主要是考慮在到塞車的情況下，汽車在路上行駛速度本來(lái)就很慢，甚至為零。而靜態(tài)漂移時(shí)速度也是有的，根據(jù)GPS獲取到的速度做判斷容易造成誤判，從而導(dǎo)致無(wú)法上傳汽車位置信息，在汽車軌跡回放時(shí)，看到的軌跡容易出現(xiàn)拉線，在客戶體驗(yàn)上感覺設(shè)備定位不準(zhǔn)。
總結(jié)
本方案能較好的解決靜態(tài)漂移問(wèn)題，相對(duì)于在步驟3中使用從GPS中獲取的速度做兩個(gè)速度閾值設(shè)置的方案會(huì)稍微弱點(diǎn)，但是這種方案的優(yōu)點(diǎn)在于：首先，不會(huì)在交通路況不好的時(shí)候（車速較慢的情況下）產(chǎn)生誤判；其次，在靜止?fàn)顟B(tài)下關(guān)閉GPS模塊，更加省電，從而保護(hù)汽車電池不被損壞。
展開 Moldex3D模流分析之Moldex3D CADdoctor幾何簡(jiǎn)化
更改在空白格中的值，來(lái)修改閾值 (threshold value)，該程序會(huì)檢測(cè)這個(gè)閥值。
3.一旦檢測(cè)到該項(xiàng)目，可使用下面的功能列表來(lái)新增，或刪除，或選擇該項(xiàng)目。
(1) 檢查所有檔案 (Check All)
檢查所有的面，并新增所選定每個(gè)簡(jiǎn)化項(xiàng)目的屬性。
(2) 檢查/不檢查 (Check/ Uncheck)
可以檢查／不檢查手動(dòng)選定的項(xiàng)目。
4.在此列出的項(xiàng)目是經(jīng)常用來(lái)簡(jiǎn)化產(chǎn)品模型的功能，能更便利地提升表面網(wǎng)格質(zhì)量。
(1) 圓角 (Fillet)
?辨識(shí)在幾何模型中的圓角。
?下面是簡(jiǎn)化圓角的示范步驟。
a. 右擊Fillet項(xiàng)目，然后更改閾值為 0.5 mm。
b. 雙擊或者用檢查全部（Check All）圖標(biāo)，讓該程序檢測(cè)到符合閾值的所有項(xiàng)目。
c. 檢查后，符合要求的所有項(xiàng)目都以粉紅色顯示，如下面的圖片。
d. 選擇Fillet項(xiàng)，其下還列有一些編輯工具。
(a) 刪除所有（圓角） (Remove all (Fillets))
刪除所有辨識(shí)出來(lái)的導(dǎo)圓角。
(b) 刪除（圓角） (Remove (Fillet))
刪除所有在目前模型中所辨識(shí)出的導(dǎo)圓角。
e. 刪除所選的導(dǎo)圓角項(xiàng)目，其結(jié)果顯示如下圖。
?建議的最大值為 1.5 mm ~ 2.0 mm。
(2) 倒角 (Chamfer)
?辨識(shí)在幾何模型中的倒角。
?下面是簡(jiǎn)化倒角的示范步驟。
a. 右擊Chamfer項(xiàng)目，然后更改閾值為 1.0 mm。
b. 雙擊或者用檢查全部（Check All）圖標(biāo)，讓該程序檢測(cè)到符合閾值的所有項(xiàng)目。
c.
展開 斷層掃描圖像的三維重建及快速原型制造
圖1 Mimics的用戶界面
斷層圖片中，不同組織的灰度值不同，故此可以通過(guò)閾值來(lái)提取相應(yīng)的組織，如圖2所示。
圖 2 設(shè)置恰當(dāng)?shù)?em>閾值提取組織
從圖中可以看出，著色的象素其灰度值落在閾值之間，故其被提取。準(zhǔn)確的設(shè)置閾值是提取組織的關(guān)鍵，閾值提取組織的時(shí)候，可以通過(guò)看圖，檢查提取的組織是否合適。圖3-A的閾值左區(qū)間設(shè)置得太低，故而提取了許多噪點(diǎn)。圖3-B的閾值左區(qū)間設(shè)置得太高，故而有許多骨組織丟失。
圖3A 左側(cè)閾值設(shè)置太低
圖3B左閾值設(shè)置過(guò)高
Mimics會(huì)將提取的象素存放在一個(gè)蒙罩（Mask）里，同時(shí)Mimics提供一系列的工具編輯修改蒙罩，從而提取所需的組織。編輯好的蒙罩可以用來(lái)生成3D模型，這樣就實(shí)現(xiàn)了2D斷層掃描圖片到三維實(shí)體的轉(zhuǎn)換，如圖4所示。
圖4重建的三維數(shù)字模型
從2D掃描圖片到三維模型的轉(zhuǎn)換，這是Mimics處理醫(yī)學(xué)斷層掃描圖像的第一步。Mimics與其他影像處理軟件最大的不同之處是其提供了一系列模塊，通過(guò)這些模塊，可以將三維用來(lái)生產(chǎn)快速原型件、用于FEA分析、可以輸出相應(yīng)的CAD的信息為后續(xù)的假體/植入體設(shè)計(jì)提供參考數(shù)據(jù)。同時(shí)還可以在Mimics里，基于三維模型做手術(shù)的模擬，設(shè)計(jì)一些植入體。
快速原型經(jīng)過(guò)20多年的發(fā)展，這項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)發(fā)展得相當(dāng)成熟，其制造精度和速度都有很大的提升。同時(shí)，快速原型制造的軟件平臺(tái)Magics也經(jīng)過(guò)15年的發(fā)展，可以解決RP/RT/RM領(lǐng)域的幾乎所有問(wèn)題。
Mimcs針對(duì)不同的需要，提供了不同的模塊，解決不同用戶的需求。針對(duì)快速原型制造，STL+和RP Slice模塊是其提供的強(qiáng)有力的接口。通過(guò)STL+這個(gè)模塊，Mimics就可以輸出快速原型制造行業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)STL文件，包括Binary和ASCⅡ兩種存儲(chǔ)方式的STL文件。
展開 3分鐘看懂：手機(jī)VBUS OVP電路
USB port的電壓通過(guò)R1和R2分壓，達(dá)到OVLO閾值時(shí)，OVP內(nèi)部的開關(guān)會(huì)斷開，避免高壓損壞后端負(fù)載，未達(dá)到閾值時(shí)，OVP內(nèi)部開關(guān)正常導(dǎo)通，電路正常工作。
OVP芯片在選型時(shí)，有幾個(gè)參數(shù)需要注意：
1. TVS的鉗位電壓VCL要小于OVP的最大輸入電壓，這個(gè)TVS屬于一級(jí)防護(hù)，抗300V浪涌，OVP的最大輸入電壓其實(shí)指的是內(nèi)部NMOS的DS耐壓。
2. Cin的額定電壓需要注意，外部加TVS時(shí)，Cin的電壓應(yīng)大于TVS最大鉗位電壓，外部無(wú)TVS時(shí)，建議用50V的。
3. Cout的額定電壓需要大于OVP的閾值，如6.8V的閾值，電容電壓選10V及以上。
4. 帶ADJ的OVP，可以通過(guò)R1和R2來(lái)調(diào)節(jié)閾值電壓，和固定閾值電壓的OVP相比，缺點(diǎn)是增加了OVP的關(guān)斷時(shí)間。
5. OVP的關(guān)斷時(shí)間，80ns、100ns和120ns居多，這個(gè)時(shí)間越短越好，能夠及時(shí)的關(guān)斷殘壓。
6. 導(dǎo)通電阻Ron，內(nèi)部MOS的參數(shù)，因?yàn)楹蠖耸沁B接到充電電路，這個(gè)值越小越好，尤其是大電流充電。
7. Surge電壓，這個(gè)指OVP內(nèi)部TVS管防浪涌的電壓，一般在100V/120V，屬于二級(jí)防護(hù)。
OVP芯片內(nèi)部防浪涌TVS管
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