半橋的案例
液壓半橋與液阻網(wǎng)絡(luò)詳解(二)（轉(zhuǎn)自液壓那些事）
液壓半橋（將電工學(xué)中惠斯登半橋概念引過(guò)來(lái)，幫助理解液壓?jiǎn)栴}）
（一）半橋的引出
以先導(dǎo)式溢流閥為例，實(shí)際上先導(dǎo)油路就是一個(gè)最典型的液壓半橋。附圖1、2就是這種從結(jié)構(gòu)剖面圖、液壓原理圖到液壓半橋原理圖的過(guò)渡。
圖1
圖2
主閥實(shí)際上就是先導(dǎo)液橋的控制對(duì)象。半橋是一種不用進(jìn)行數(shù)值計(jì)算，就可對(duì)基本原理與功能、特性，進(jìn)行分析的實(shí)用工具。
（二）半橋的基本原則
1、兩液阻至少一個(gè)可變;
2、兩液阻(當(dāng)量液阻)間引出液橋輸出信號(hào)（分析時(shí)先找到引出點(diǎn),之前之后各1個(gè)液阻）;
3、可變液阻的變化要與輸入控制信號(hào)相關(guān)聯(lián);
4、液壓半橋可以并聯(lián);(例：雙噴嘴擋板伺服閥)
5、液壓半橋可以多級(jí)串聯(lián)---一級(jí)的輸出就是下一級(jí)的輸入;
6、導(dǎo)液橋是由液阻構(gòu)成的無(wú)源網(wǎng)絡(luò),由此需要由外部壓力源供油。
（三）半橋的3種基本類型與特性
95%以上為B型半橋；A型的壓力增益、流量增益為B型的1倍。所謂半橋的特性，就是講輸入信號(hào)改變時(shí)，半橋的輸出壓力（穩(wěn)態(tài)）或者壓力與流量（動(dòng)態(tài)過(guò)渡過(guò)程），會(huì)有怎么樣的變化，如圖3所示。圖3的坐標(biāo)比較特別。
圖3
1） 橫坐標(biāo)：表示閥芯離開(kāi)原始開(kāi)度Y0的相對(duì)值Y/Y0,坐標(biāo)零點(diǎn)在中間，右邊0到正1（閥芯右移）,左邊0到負(fù)1（閥芯左移）；
2） 縱坐標(biāo)：表示半橋輸出到被控油腔的壓力P與油源壓力P0之比P/P0,零點(diǎn)在橫坐標(biāo)當(dāng)中，最上頭是1；
3） 斜45度坐標(biāo)：表示半橋輸出到被控油腔的流量Q與油源流量Q0之比Q/Q0。零點(diǎn)在中間，上半部分為負(fù)（被控油腔油往外流），下半部分為正（控制油流向被控油腔）。
4） 在所有曲線中，最具代表性是Q/Q0＝0的那條粗線，它表示閥處于穩(wěn)定狀態(tài)，也就是沒(méi)有控制油流進(jìn)被控油腔，被控油腔中也沒(méi)有油液流出。
展開(kāi) LLC 半橋諧振電路仿真分析
本文通過(guò) SIMPLIS 仿真軟件分析 LLC 半橋諧振變換器的主要特性，觀察初級(jí)開(kāi)關(guān)管的 ZVS 和輸出整流二極管的 ZCS 過(guò)程，測(cè)試效率和損耗，并通過(guò) AC 小信號(hào)分析其頻域特性，從而驗(yàn)證了 LLC 電路的主要特點(diǎn)和工作過(guò)程，為拓?fù)渲嘘P(guān)鍵參數(shù)尤其是諧
振參數(shù)的優(yōu)化設(shè)計(jì)以及元器件選型等提供了重要依據(jù)。
液壓半橋與液阻網(wǎng)絡(luò)詳解(一)（轉(zhuǎn)自液壓那些事）
（三）液阻按控制方式與功能的分類
1.固定，可調(diào)(直接調(diào)節(jié)過(guò)流面積大小)，可控（通過(guò)控制輸入信號(hào)，間接的控制）;
2.液阻的功能：
A、隔壓（液阻前后壓力不同，可以差別很大，也可以差別很小）；
B、限流（流量與壓差和阻值大小兩者相關(guān)，一般先導(dǎo)流量只有1－2升/分）；
C、橋路（組成液壓橋路）；
D、動(dòng)態(tài)阻尼（出現(xiàn)外來(lái)干擾時(shí)，幫助系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行）;
E、動(dòng)壓反饋（與干擾程度成正比例關(guān)系的抵抗干擾、幫助系統(tǒng)穩(wěn)定的作用）;
F、控制閥口（所有各種閥的控制閥口，都可以看成一種液阻）；
1）一般固定閥口（面積等于流道的面積）
2）一般可變閥口（最大面積大于、等于流道面積）
3）比例方向閥閥口（流道面積至少等于4倍最大閥口面積）
以上是一種課堂式的基本介紹，我們感興趣的是工程實(shí)用！從工程實(shí)用角度，這里特別關(guān)注：液壓半橋，動(dòng)態(tài)阻尼，動(dòng)壓反饋，液阻網(wǎng)絡(luò)。
展開(kāi) Allegro MicroSystems, LLC推出全新汽車級(jí)半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器IC
支持ASIL-B的新產(chǎn)品設(shè)計(jì)用于具有高功率電感性負(fù)載的汽車應(yīng)用
Allegro MicroSystems，LLC宣布推出兩款全新N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器IC，能夠控制以半橋配置連接的MOSFET。Allegro的A4926和A4927專為具有高功率電感性負(fù)載的汽車應(yīng)用而設(shè)計(jì)，可適用于直流泵（制動(dòng)、油、水和燃料）、空調(diào)系統(tǒng)（HVAC）、螺線管和致動(dòng)器等設(shè)計(jì)。這些器件特別適合于必須滿足ASIL要求的汽車系統(tǒng)，與Allegro A2SIL?系列中其他產(chǎn)品一樣，A4926和A4927都集成有足夠多的功能來(lái)完善系統(tǒng)設(shè)計(jì)，幫助用戶實(shí)現(xiàn)所需的ASIL等級(jí)要求。
A4926和A4927集成有獨(dú)特的電荷泵穩(wěn)壓器，能夠針對(duì)大多數(shù)應(yīng)用提供完整的門驅(qū)動(dòng)，即便是在電池電壓低至5.5V時(shí)。它們帶有可選自舉管理的自舉電容器，可用于提供N溝道MOSFET所需的高于電池的電源電壓。半橋可以由獨(dú)立的邏輯電平輸入或兼容SPI的串行接口來(lái)進(jìn)行控制。外部功率MOSFET通過(guò)可編程的死區(qū)來(lái)保護(hù)，以避免發(fā)生擊穿（shoot-through）。
A4926和A4927具有的集成式診斷功能可以提供多種內(nèi)部故障、系統(tǒng)故障和電源橋故障的指示，并可配置為在大多數(shù)數(shù)短路條件下保護(hù)功率MOSFET。串行接口除了能夠提供對(duì)橋控制的完全訪問(wèn)之外，還可用于改變死區(qū)時(shí)間、VDS閾值、門驅(qū)動(dòng)電流和故障空白時(shí)間（fault blank TIme）等可編程設(shè)置，通過(guò)串行接口可以讀取詳細(xì)的診斷信息。此外，A4927還包括有具備可編程增益和偏移能力的集成式低邊電流放大器。
A4926為20引腳eTSSOP無(wú)鉛封裝（后綴LP），引腳框采用100%霧錫電鍍（后綴T）。
A4927為24引腳eTSSOP無(wú)鉛封裝（后綴LP），引腳框采用100%霧錫電鍍（后綴T）。
展開(kāi) 
液壓半橋與液阻網(wǎng)絡(luò)詳解(三)—?jiǎng)討B(tài)阻尼（轉(zhuǎn)自液壓那些事）
圖1
如圖1，通過(guò)溢流閥先導(dǎo)控制液橋，來(lái)討論動(dòng)態(tài)阻尼液阻在不同場(chǎng)合的效果。實(shí)際上是假設(shè)受到某種干擾時(shí)，如果不配置動(dòng)態(tài)阻尼液阻，主閥芯將產(chǎn)生或者突然升起或者突然下降，或者老在一上一下地振動(dòng)的不正常現(xiàn)象，而如果要設(shè)置動(dòng)態(tài)阻力液阻的話，應(yīng)該擺在什么位置才能起作用，以及這樣效果才能好一些。
1、左圖表示了動(dòng)態(tài)阻尼液阻放在什么位置上：
第一種可能性，串在半橋輸出點(diǎn)去被控容腔的油路上，Rb；
第二章可能性，串聯(lián)在作為可變液阻的先導(dǎo)閥口之前的，Ra；
如果是第一種情況，當(dāng)被控對(duì)象（主閥芯）處于穩(wěn)定狀態(tài)時(shí)，Rb上沒(méi)有流量通過(guò)。如果是第二種情況，當(dāng)被控對(duì)象（主閥芯）處于穩(wěn)定狀態(tài)時(shí)，Ra上一直有1－2升/分的先導(dǎo)流量通過(guò)。等會(huì)兒討論外來(lái)干擾影響時(shí)，這兩個(gè)位置上液阻的起步情況不一樣，造成效果有很大的差別。
2、圖是根據(jù)壓差流量公式，繪出通過(guò)液阻的流量（橫坐標(biāo)）與液阻前后壓差（縱坐標(biāo)）的關(guān)系曲線。由于流量不是與壓差成正比，而是與壓差開(kāi)根方成正比，所以如圖所示，這條曲線在靠近坐標(biāo)零點(diǎn)的小流量區(qū)域上升的慢（流量壓差增益小），而在離開(kāi)原點(diǎn)的較大流量區(qū)域（高增益區(qū)）上升的快。
左面圖上所示的Rb原始狀態(tài)處于橫坐標(biāo)原點(diǎn)（低增益區(qū)），Ra原始狀態(tài)處于高增益區(qū)。這樣，在相通的干擾（假設(shè)干擾是正弦變化）作用下，液阻Rb獲得的壓差（抑制干擾的能力）就小，而Ra獲得的壓差（抑制干擾的能力）就大。所以，就得出結(jié)論：
1）動(dòng)態(tài)阻尼液阻布置在Ra 位置：動(dòng)態(tài)阻尼效果好，但降低了穩(wěn)態(tài)特性（它與可變液阻串聯(lián)的關(guān)系）；
2）動(dòng)態(tài)阻尼液阻布置在Rb位置：動(dòng)態(tài)阻尼效果差一些，但對(duì)穩(wěn)態(tài)特性不產(chǎn)生影響。
展開(kāi) 液壓橋路分析（轉(zhuǎn)自伺服閥及電液伺服系統(tǒng)）
液橋分析
液壓元器件是由各種橋路控制的，為了更好的了解元件的性能和原理，必須了解各種液橋的基本特性。
常見(jiàn)的液橋有A型半橋、B型半橋、C型半橋和D型半橋。還有較為復(fù)雜的π型半橋，其中π型半橋又包括ABCDEFG型。
本次內(nèi)容主要分析較為簡(jiǎn)單的A型半橋、B型半橋、C型半橋和D型半橋。
半橋液阻網(wǎng)絡(luò)由兩個(gè)液阻構(gòu)成，兩個(gè)液阻中間為控制腔。
A型半橋
A型半橋的特點(diǎn)是兩個(gè)液阻均為可變液阻。原理圖如下：
A型半橋的負(fù)載流量為：
該公式就是根據(jù)基本的流量方程推導(dǎo)而來(lái)。
第一個(gè)節(jié)流邊通過(guò)流程方程求出qv0的流量，第二個(gè)節(jié)流邊根據(jù)流量方程求出qv2的流量。Qv2為回油，進(jìn)油減去回油就是流往負(fù)載的流量。很容易理解。
B型半橋
B型半橋的特點(diǎn)是第一個(gè)液阻為固定液阻，第二個(gè)液阻為可變液阻。原理圖如下：
B型半橋的負(fù)載流量為：
推導(dǎo)過(guò)程如前所述。不明白流量公式原理的，可去本公眾號(hào)翻閱。
C型半橋
C型半橋的特點(diǎn)是第一個(gè)液阻為可變液阻，第二個(gè)液阻為固定液阻。原理圖如下：
C型半橋的負(fù)載流量方程為：
D型半橋
D型半橋的特點(diǎn)是兩個(gè)液阻均為固定液阻。原理圖如下：
為了便于比較分析，將四種橋路的特性曲線匯集如下圖所示：
從圖中可以看出，A型半橋的特性曲線，其壓力增益較大，B型和C型半橋的壓力增益較為平緩。而D型半橋壓力為恒定值。
為了進(jìn)一步理解 半橋的含義，舉例如下：
A型半橋：
A型半橋最典型的應(yīng)用為滑閥結(jié)構(gòu)，一個(gè)凸肩對(duì)應(yīng)兩條節(jié)流邊，閥芯移動(dòng)時(shí)即為兩個(gè)可變節(jié)流口。
展開(kāi) MATLAB公路全車/鐵路半車-橋耦合模型 ￥900
<h1>本帖介紹MATLAB公路全車/鐵路半車-橋耦合模型</h1><h2><strong><u>適用范圍：公路汽車、鐵路半車模型</u></strong></h2><p>模型包含：車體、2個(gè)輪對(duì)、橋梁，自由度包含垂向、點(diǎn)頭運(yùn)動(dòng)如下圖所示：</p><p class="ql-align-center"><img src="https://img.jishulink.com/msimage/202404/38d0c90f88f2cad7fd7709dfd2409b35.png"></p><p>圖中參數(shù)對(duì)應(yīng)程序中部分代碼：</p><p><br></p><p><br></p><p><br></p><p><br></p><pre class="ql-syntax" spellcheck="false">ms=690; Isy=1222;
mwf=40.5; mwr=45.4;
Ksf=17e3; Csf=1.5e3; Ksr=22e3; Csr=1.5e3;
Kwf=192e3; Kwr=192e3;
a=1.25; b=1.51; Lc=a+b;
</pre><p>本程序基于多體動(dòng)力學(xué)、解析歐拉梁理論，并通過(guò)MATLAB編制，文件內(nèi)容</p><p class="ql-align-center"><img src="https://img.jishulink.com/msimage/202404/7724f5ca750b201299f51f78f3766137.png"></p><p><strong><em>Ifft</em></strong>文件夾：用于生成路面不平度IRR.mat的子程序</p><p><strong><em>OH_VBI.m</em></strong>：車-橋耦合主程序</p><p><strong><em>Vehicle.m
展開(kāi) 史上最全的圖解經(jīng)典電路之電子開(kāi)關(guān)，90%的電工老師傅都收藏了！
半橋整流電路：
（圖二 半橋整流電路）
全橋整流電路：
圖三 全橋整流電路
（2）然后是實(shí)現(xiàn)降壓。
半橋整流-電阻降壓電路：
圖四 半波整流_電阻降壓電路
半橋整流-電容降壓電路：
（圖五 半波整流_阻容降壓電路）
全橋整流-可控硅整流：
（圖六 全橋整流_可控硅降壓電路）
有些朋友可能覺(jué)得上面的幾種降壓方式很好理解，但是這個(gè)可控硅是怎么實(shí)現(xiàn)降壓的那？
其實(shí)不難，降壓的原理很簡(jiǎn)單，就是只取交流電的低壓部分。看圖七，交流電的波形是一個(gè)正弦波，幅度范圍（-311V ～+311V），我們通過(guò)控制可控硅的導(dǎo)通角來(lái)實(shí)現(xiàn)，在圖七中陰影部分可控硅關(guān)斷，交流電串接負(fù)載設(shè)備，通過(guò)全橋整流電路給電容C1充電；當(dāng)交流電電壓超過(guò)陰影電壓時(shí)，可控硅導(dǎo)通，整流橋輸入電壓為0，停止工作。因?yàn)槭褂玫碾p向可控硅，所以在交流電的正負(fù)半周都能夠工作。穩(wěn)壓管Z1,Z2反向串聯(lián)在一起，控制可控硅的導(dǎo)通角，即需要交流電電壓 > 可控硅觸發(fā)導(dǎo)通電壓+穩(wěn)壓管串聯(lián)電壓時(shí)，可控硅才能導(dǎo)通。同時(shí)，將兩個(gè)完全一樣的穩(wěn)壓管反向串聯(lián)在一起是為了在正負(fù)半周串聯(lián)電壓值一樣，從而實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通角一致。
（圖七 交流電波形）
現(xiàn)在再來(lái)看這個(gè)電路跟一開(kāi)始提供的完整電路已經(jīng)很接近了？
那還差什么那？
還差一個(gè)半橋整流電阻降壓和一個(gè)光耦雙向可控硅。
(圖八 半橋整流-電阻降壓電路)
這里你是不是有什么疑問(wèn)？
不是已經(jīng)有一個(gè)全橋整流降壓電路了嗎，為什么還要再加一個(gè)半橋整流電阻降壓電路？
哈哈，我們一起來(lái)分析一下。
展開(kāi) 什么是PWM“死區(qū)”？
這就需要用到整流橋和逆變橋。對(duì)三相電來(lái)說(shuō)，就需要三個(gè)橋臂。
以兩電平為例，每個(gè)橋臂上有兩個(gè)電力電子器件，比如IGBT。這兩個(gè)IGBT不能同時(shí)導(dǎo)通，否則就會(huì)出現(xiàn)短路的情況。
因此，設(shè)計(jì)帶死區(qū)的PWM波可以防止上下兩個(gè)器件同時(shí)導(dǎo)通。也就是說(shuō)，當(dāng)一個(gè)器件導(dǎo)通后關(guān)閉，再經(jīng)過(guò)一段死區(qū)，這時(shí)才能讓另一個(gè)導(dǎo)通。
1
什么是死區(qū)？
通常，大功率電機(jī)、變頻器等，末端都是由大功率管、IGBT等元件組成的H橋或3相橋。
每個(gè)橋的上半橋和下半橋是是絕對(duì)不能同時(shí)導(dǎo)通的，但高速的PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)在達(dá)到功率元件的控制極時(shí)，往往會(huì)由于各種各樣的原因產(chǎn)生延遲的效果，造成某個(gè)半橋元件在應(yīng)該關(guān)斷時(shí)沒(méi)有關(guān)斷，造成功率元件燒毀。
死區(qū)就是在上半橋關(guān)斷后，延遲一段時(shí)間再打開(kāi)下半橋或在下半橋關(guān)斷后，延遲一段時(shí)間再打開(kāi)上半橋，從而避免功率元件燒毀。這段延遲時(shí)間就是死區(qū)。(就是上、下半橋的元件都是關(guān)斷的)死區(qū)時(shí)間控制在通常的低端單片機(jī)所配備的PWM中是沒(méi)有的。
死區(qū)時(shí)間是PWM輸出時(shí)，為了使H橋或半H橋的上下管不會(huì)因?yàn)殚_(kāi)關(guān)速度問(wèn)題發(fā)生同時(shí)導(dǎo)通而設(shè)置的一個(gè)保護(hù)時(shí)段，所以在這個(gè)時(shí)間，上下管都不會(huì)有輸出，當(dāng)然會(huì)使波形輸出中斷，死區(qū)時(shí)間一般只占百分之幾的周期。
但是PWM波本身占空比小時(shí)，空出的部分要比死區(qū)還大，所以死區(qū)會(huì)影響輸出的紋波，但應(yīng)該不是起到?jīng)Q定性作用的。
展開(kāi) LED驅(qū)動(dòng)模塊RSC6218A 5W-18W迷你高效驅(qū)動(dòng)電源應(yīng)用-REASUNOS(瑞森半導(dǎo)體)
二、產(chǎn)品功能框架
LED驅(qū)動(dòng)模塊RSC6218A 功能框架
三、IC各PIN腳功能說(shuō)明
LED驅(qū)動(dòng)模塊RSC6218A 的各PIN引腳功能說(shuō)明
PIN1 PGND 功率地，內(nèi)部是連接低邊MOS的S端地線；
PIN2 NC
PIN3 HS 半橋MOS低邊漏極PIN；
PIN4 HS 半橋MOS低邊漏極PIN；
PIN5 HS 半橋MOS高邊源極PIN；
PIN6 HS 半橋MOS高邊源極PIN；
PIN7 NC
PIN8 HO 半橋MO高邊漏極；
PIN9 HO 半橋MOS高邊漏極；
PIN10 HB 半橋驅(qū)動(dòng)高邊電源，通過(guò)外置的一個(gè)二極管與電容組成自舉回路，為高邊 MOS 的開(kāi)啟提供電平；
PIN11 VIN 高壓?jiǎn)?dòng)的輸入腳，最高耐壓可達(dá)DC600V，啟動(dòng)電流在1.7mA，一般應(yīng)用是從高壓電解處串接一個(gè)1206100K電阻引到PIN1，在整個(gè)環(huán)路還未建立起來(lái)時(shí)，是靠這個(gè)引腳的供電通過(guò)內(nèi)部連接到PIN6VCC，然后把VCC電容慢慢充電到芯片的啟動(dòng)電壓后，芯片開(kāi)始工作。
展開(kāi) 什么是PWM“死區(qū)”？
這就需要用到整流橋和逆變橋。對(duì)三相電來(lái)說(shuō)，就需要三個(gè)橋臂。
以兩電平為例，每個(gè)橋臂上有兩個(gè)電力電子器件，比如IGBT。這兩個(gè)IGBT不能同時(shí)導(dǎo)通，否則就會(huì)出現(xiàn)短路的情況。
因此，設(shè)計(jì)帶死區(qū)的PWM波可以防止上下兩個(gè)器件同時(shí)導(dǎo)通。也就是說(shuō)，當(dāng)一個(gè)器件導(dǎo)通后關(guān)閉，再經(jīng)過(guò)一段死區(qū)，這時(shí)才能讓另一個(gè)導(dǎo)通。
2022
Apr.26
01
什么是死區(qū)？
通常，大功率電機(jī)、變頻器等，末端都是由大功率管、IGBT等元件組成的H橋或3相橋。
每個(gè)橋的上半橋和下半橋是是絕對(duì)不能同時(shí)導(dǎo)通的，但高速的PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)在達(dá)到功率元件的控制極時(shí)，往往會(huì)由于各種各樣的原因產(chǎn)生延遲的效果，造成某個(gè)半橋元件在應(yīng)該關(guān)斷時(shí)沒(méi)有關(guān)斷，造成功率元件燒毀。
死區(qū)就是在上半橋關(guān)斷后，延遲一段時(shí)間再打開(kāi)下半橋或在下半橋關(guān)斷后，延遲一段時(shí)間再打開(kāi)上半橋，從而避免功率元件燒毀。這段延遲時(shí)間就是死區(qū)。（就是上、下半橋的元件都是關(guān)斷的）死區(qū)時(shí)間控制在通常的低端單片機(jī)所配備的PWM中是沒(méi)有的。
死區(qū)時(shí)間是PWM輸出時(shí)，為了使H橋或半H橋的上下管不會(huì)因?yàn)殚_(kāi)關(guān)速度問(wèn)題發(fā)生同時(shí)導(dǎo)通而設(shè)置的一個(gè)保護(hù)時(shí)段，所以在這個(gè)時(shí)間，上下管都不會(huì)有輸出，當(dāng)然會(huì)使波形輸出中斷，死區(qū)時(shí)間一般只占百分之幾的周期。
展開(kāi) 
干貨｜什么是PWM“死區(qū)”，終于懂了！
對(duì)三相電來(lái)說(shuō)，就需要三個(gè)橋臂。以兩電平為例，每個(gè)橋臂上有兩個(gè)電力電子器件，比如IGBT。這兩個(gè)IGBT不能同時(shí)導(dǎo)通，否則就會(huì)出現(xiàn)短路的情況。
因此，設(shè)計(jì)帶死區(qū)的PWM波可以防止上下兩個(gè)器件同時(shí)導(dǎo)通。也就是說(shuō)，當(dāng)一個(gè)器件導(dǎo)通后關(guān)閉，再經(jīng)過(guò)一段死區(qū)，這時(shí)才能讓另一個(gè)導(dǎo)通。
一、什么是死區(qū)？
通常，大功率電機(jī)、變頻器等，末端都是由大功率管、IGBT等元件組成的H橋或3相橋。
每個(gè)橋的上半橋和下半橋是是絕對(duì)不能同時(shí)導(dǎo)通的，但高速的PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)在達(dá)到功率元件的控制極時(shí)，往往會(huì)由于各種各樣的原因產(chǎn)生延遲的效果，造成某個(gè)半橋元件在應(yīng)該關(guān)斷時(shí)沒(méi)有關(guān)斷，造成功率元件燒毀。
死區(qū)就是在上半橋關(guān)斷后，延遲一段時(shí)間再打開(kāi)下半橋或在下半橋關(guān)斷后，延遲一段時(shí)間再打開(kāi)上半橋，從而避免功率元件燒毀。
這段延遲時(shí)間就是死區(qū)。
展開(kāi) 知識(shí)分享 | 惠斯通電橋的基本原理和理論
惠斯通電橋的四個(gè)橋臂或分支由電阻R1至R4組成。橋的角點(diǎn)2和3為橋路激勵(lì)電壓Vs;角點(diǎn)1和4為電橋輸出電壓V0 - 即測(cè)量信號(hào)。
注意：對(duì)橋路組件和連接沒(méi)有普遍接受的規(guī)則。在現(xiàn)有的文獻(xiàn)中，有各種各樣的名稱，并反映在橋路方程中。因此，為了避免誤解，必須考慮方程中使用的名稱以及它們?cè)?em>橋路中的位置。
如果供電電壓 Vs 被施加到電橋角點(diǎn)2和3，那么供電電壓被 R1, R2 和 R4, R3 分成兩個(gè)半橋，即每個(gè)半橋形成一個(gè)分壓器。由于 R1, R2 和 R3, R4 的電阻電壓不同，電橋可能不平衡。 計(jì)算如下：
如果橋路平衡，并且
則電橋輸出電壓 V0 為零。
在預(yù)設(shè)應(yīng)變的情況下，應(yīng)變片的電阻變化量 ΔR. 我們給出了以下等式：
對(duì)于應(yīng)變測(cè)量，電阻 R1 和 R2 在惠斯登電橋中必須相等。這同樣適用于 R3 和 R4。
通過(guò)一些假設(shè)和簡(jiǎn)化，可以確定以下等式（在HBM 參考書(shū)“使用應(yīng)變片進(jìn)行測(cè)量的介紹”中給出了進(jìn)一步的解釋）：
在計(jì)算的最后一步中， ΔR/R 必須由以下代替：
這里k是應(yīng)變片的k系數(shù)，, ε 是應(yīng)變。
方程式假設(shè)橋臂中的所有電阻都改變了。例如，這種情況通常發(fā)生在傳感器測(cè)試應(yīng)用中。在實(shí)驗(yàn)應(yīng)力測(cè)試中，這種情況幾乎不存在，因?yàn)橥ǔＶ挥幸徊糠?em>橋臂采用應(yīng)變片，其余部分由橋接電阻組成。一般稱為四分之一橋，半橋，雙四分之一或斜橋和全橋。
根據(jù)不同測(cè)量任務(wù)，測(cè)量點(diǎn)上會(huì)使用一個(gè)或多個(gè)應(yīng)變片。例如全橋、半橋或四分之一橋等表示，實(shí)際上它們是不正確的。事實(shí)上，測(cè)量電路總是完整的，由應(yīng)變片或含有應(yīng)變片的試樣以及固定電阻來(lái)組成；傳感器通常要比實(shí)驗(yàn)應(yīng)力測(cè)試有更嚴(yán)格的精度要求。一般來(lái)說(shuō)，傳感器在所有四個(gè)橋臂上都采用應(yīng)變片（全橋電路）。
如果需要消除各種干擾，應(yīng)采用全橋或半橋電路進(jìn)行應(yīng)力分析。
展開(kāi) 干貨 | 4個(gè)MOS管驅(qū)動(dòng)的全橋電路原理講解
01
H橋驅(qū)動(dòng)原理
1.1 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
電路首先，單片機(jī)能夠輸出直流信號(hào)，但是它的驅(qū)動(dòng)才能也是有限的，所以單片機(jī)普通做驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)大的功率管如MOS管，來(lái)產(chǎn)生大電流從而驅(qū)動(dòng)電機(jī)，且占空比大小能夠經(jīng)過(guò)驅(qū)動(dòng)芯片控制加在電機(jī)上的均勻電壓到達(dá)轉(zhuǎn)速調(diào)理的目的。電機(jī)驅(qū)動(dòng)主要采用N溝道MOSFET構(gòu)建H橋驅(qū)動(dòng)電路，H 橋是一個(gè)典型的直流電機(jī)控制電路，由于它的電路外形酷似字母 H，故得名曰“H 橋”。4個(gè)開(kāi)關(guān)組成H的4條垂直腿，而電機(jī)就是H中的橫杠。要使電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)，必須使對(duì)角線上的一對(duì)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，經(jīng)過(guò)不同的電流方向來(lái)控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)，其連通電路如圖所示。
1.2 H橋驅(qū)動(dòng)原理
實(shí)踐驅(qū)動(dòng)電路中通常要用硬件電路便當(dāng)?shù)乜刂崎_(kāi)關(guān)，電機(jī)驅(qū)動(dòng)板主要采用兩種驅(qū)動(dòng)芯片，一種是全橋驅(qū)動(dòng)HIP4082，一種是半橋驅(qū)動(dòng)IR2104，半橋電路是兩個(gè)MOS管組成的振蕩，全橋電路是四個(gè)MOS管組成的振蕩。其中，IR2104型半橋驅(qū)動(dòng)芯片能夠驅(qū)動(dòng)高端和低端兩個(gè)N溝道MOSFET，能提供較大的柵極驅(qū)動(dòng)電流，并具有硬件死區(qū)、硬件防同臂導(dǎo)通等功用。運(yùn)用兩片IR2104型半橋驅(qū)動(dòng)芯片能夠組成完好的直流電機(jī)H橋式驅(qū)動(dòng)電路，而且IR2104價(jià)錢低廉，功用完善，輸出功率相對(duì)HIP4082較低，此計(jì)劃采用較多。
展開(kāi) 拆解小米體脂秤2，內(nèi)部方案一覽無(wú)余，先學(xué)習(xí)研究一番！
家里有一款小米體脂秤2顯示OL，稱不出重量，也測(cè)不出體脂了，今天空了維修一下，也給小伙伴們看看，出現(xiàn)在這個(gè)問(wèn)題的處理方法：
出現(xiàn)這個(gè)問(wèn)題一般表示超重了，我們考慮一下：都沒(méi)有任何被測(cè)物怎么可能超重了，覺(jué)得是傳感器損壞了，隨即找來(lái)工具拆開(kāi)一探究竟，這款整理采用卡扣（無(wú)螺絲結(jié)構(gòu)），在四個(gè)邊角撬一下便可很容易打開(kāi)：
拆開(kāi)后整個(gè)內(nèi)部結(jié)構(gòu)一覽無(wú)余，先研究一下，后邊再修：
1、MCU使用帶藍(lán)牙的MCU，控制測(cè)量數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，并負(fù)責(zé)傳輸?shù)绞謾C(jī)；
2、一個(gè)高精度的ADC，將4個(gè)電極與4個(gè)半橋傳感器合并為2個(gè)全橋后測(cè)量出模擬值，然后將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)；
3、一個(gè)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的芯片，可以保存在沒(méi)有手機(jī)的情況下的測(cè)量值，手機(jī)連接后會(huì)讀取歷史值，數(shù)據(jù)分析后知道是某某人的體重。
以上是對(duì)主板結(jié)構(gòu)的一些分析。
好了，這個(gè)時(shí)候該干什么呢？中場(chǎng)休息，來(lái)點(diǎn)水果壓壓驚！
吃水果的同時(shí)想一下問(wèn)題出在哪里的？G型傳感器.....對(duì)一定是G型傳感器！
G型體重傳感器，是一個(gè)半橋結(jié)構(gòu)，每個(gè)臂的高精度電阻值是是固定了，那么如果有損壞一定是電阻值發(fā)生變化了。隨即拿出萬(wàn)用筆，扣出G型體重傳感器，測(cè)量每臂的電阻:
Next:
Next:
隨即找到相同的G型半橋傳感器代換，代換時(shí)務(wù)必要注意傳感器的厚度，電阻值，必須要一致。
到這里就基本修復(fù)了，現(xiàn)在要做的是怎么拆就怎么裝，裝配過(guò)程我就不為大家拍圖片了，這個(gè)是拆解的逆向。
展開(kāi) 