N-CAP
關注創建者：CAE追夢者 創建時間：2020-10-11
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原始文獻：《Mechanical modelling of indentation-induced densification in amorphous silica》
該文章為了模擬非晶態二氧化硅的壓縮力學性能，把拉伸與壓縮分開處理：拉伸側采用熟悉的 von Mises 屈服，壓縮側則切換到 cap 屈服面。
感應通道數：2 輸出方式：直接輸出
高抗干擾/待機電流小，抗電源及手機干擾，可通過CAP調節靈敏度 封裝：SOP8
VK36N2DT 工作電壓/待機電流：2.2V-5.5V/10μA(3V) 感應通道數：2 輸出方式：鎖存輸出
高抗干擾/待機電流小，抗電源及手機干擾，可通過CAP調節靈敏度 封裝：SOP8
VK36N2DO
,kg,N,s,mV,mA)(Units)
Metric(mm,t,N,s,mV,mA)(Units)
Metric(mm,dat,N,s,mV,mA)(Units)
Metric(mm,kg,kN,ms,mV,mA)(Units) Metric(um,kg,μN,s,V,mA)(Units)
u.s.Customary(ft,lbm,Ibf,F,s,V,A)(Units)
u.s.Customary
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：鎖存輸出 高抗干擾/待機電流小，抗電源及手機干擾，可通過CAP調節靈敏度 封裝：SOP8
VK36N2DO 工作電壓/待機電流：2.2V-5.5V/10μA(3V) 感應通道數：2 輸出方式：開漏輸出 高抗干擾/待機電流小，抗電源及手機干擾，可通過CAP調節靈敏度 封裝：SOP8
VK36N3D 工作電壓/待機電流：2.2V-5.5V/10μA(3V
：鎖存輸出 高抗干擾/待機電流小，抗電源及手機干擾，可通過CAP調節靈敏度 封裝：SOP8
VK36N2DO 工作電壓/待機電流：2.2V-5.5V/10μA(3V) 感應通道數：2 輸出方式：開漏輸出 高抗干擾/待機電流小，抗電源及手機干擾，可通過CAP調節靈敏度 封裝：SOP8
VK36N3D 工作電壓/待機電流：2.2V-5.5V/10μA(3V
：鎖存輸出 高抗干擾/待機電流小，抗電源及手機干擾，可通過CAP調節靈敏度 封裝：SOP8
VK36N2DO 工作電壓/待機電流：2.2V-5.5V/10μA(3V) 感應通道數：2 輸出方式：開漏輸出 高抗干擾/待機電流小，抗電源及手機干擾，可通過CAP調節靈敏度 封裝：SOP8
VK36N3D 工作電壓/待機電流：2.2V-5.5V/10μA(3V
待機電流小，抗電源及手機干擾，可通過CAP調節靈敏度 封裝：SOP16/QFN16
VK36N7I 工作電壓/待機電流：2.2V-5.5V/10μA(3V) 感應通道數：7 輸出方式：I2C輸出
高抗干擾/待機電流小，抗電源及手機干擾，可通過CAP調節靈敏度 封裝：SOP16/QFN16
VK36N8I 工作電壓/待機電流
