一 對(duì) 一 指 導(dǎo)的案例
一指之力就能推倒摩天大廈？顯式動(dòng)力學(xué)仿真揭秘“多米諾效應(yīng)”
多米諾骨牌（domino）是一種木制、骨制或塑料制成的長方體骨牌，按一定間距排列成行，輕輕碰倒第一枚骨牌，其余的骨牌就會(huì)產(chǎn)生連鎖反應(yīng)，依次倒下。其原理其實(shí)是利用了骨牌的重力勢能和動(dòng)能的轉(zhuǎn)化與傳導(dǎo)，每張牌在倒下時(shí)所產(chǎn)生的能量都要比前一張骨牌大，因此它們倒下的速度也一個(gè)比一個(gè)快。這一現(xiàn)象也被延申成“多米諾骨牌效應(yīng)”，用來形容一個(gè)很小的初始動(dòng)作就可能產(chǎn)生一系列的連鎖反應(yīng)，甚至帶來巨大的影響。
大不列顛哥倫比亞大學(xué)物理學(xué)家A.懷特海德曾經(jīng)制作了一組骨牌，共13張，第一張最小，長9.53mm，寬4.76mm，厚1.19mm，還不如小手指甲大。以后每張牌體積擴(kuò)大1.5倍，這個(gè)數(shù)據(jù)是按照一張骨牌倒下時(shí)能推倒一張1.5倍體積的骨牌而選定的。最大的第13張牌長61mm，寬30.5mm，厚7.6mm，牌面大小接近于撲克牌，厚度相當(dāng)于撲克牌的20倍。把這套骨牌按適當(dāng)間距排好，輕輕推倒第一張，后面的骨牌將隨之倒下。據(jù)數(shù)據(jù)顯示第13張骨牌倒下時(shí)所釋放的能量比第一張骨牌倒下時(shí)擴(kuò)大20多億倍。據(jù)懷特海德說，若是繼續(xù)制作后面的多米諾骨牌，第32張可以高達(dá)415米，是紐約帝國大廈的兩倍。如果真有人制作了這樣的一套骨牌，那摩天大廈就會(huì)在一指之力下被轟然推倒，可見，多米諾效應(yīng)的威力之大。
多米諾骨牌并非看上去那么簡單，它是一項(xiàng)集動(dòng)手、動(dòng)腦于一體的運(yùn)動(dòng)，需要一定的方法和技巧。比如，如果每塊骨牌的間距或者拐彎時(shí)的角度沒有擺放好，就可能產(chǎn)生“不倒牌”而影響全局。如今多米諾骨牌高級(jí)玩家，不僅追求一次性推倒的骨牌在數(shù)量上有突破，也更追求藝術(shù)上的創(chuàng)新，他們將骨牌擺放成各種形狀或花樣，推倒時(shí)便會(huì)呈現(xiàn)出一幅令人驚嘆的圖案。而在擺放的過程中，任何一個(gè)失誤或者外來因素的干擾都有可能會(huì)出現(xiàn)大面積“倒牌”的現(xiàn)象，因此參與者可能時(shí)刻面臨失敗的風(fēng)險(xiǎn)。
展開 大硅片深度報(bào)告：半導(dǎo)材料第一藍(lán)海
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一種新型的用于電池?zé)峁芾淼?em>導(dǎo)熱氣凝膠材料
來源 | Journal of Materials Science & Technology
01
背景介紹
先進(jìn)電子設(shè)備中的中央處理器(CPU)和射頻(RF)芯片的快速發(fā)展，芯片逐漸向集成化，微型化發(fā)展，導(dǎo)致功率密度的增加，因此使器件在工作的過程中產(chǎn)生大量的熱量。熱量積聚在電子設(shè)備中，造成系統(tǒng)溫度過高會(huì)嚴(yán)重影響運(yùn)行效率和穩(wěn)定性，因此對(duì)散熱性能提出了更高的要求。相變材料(PCM)可以通過相變過程吸收和釋放熱能，基于PCM的熱管理能力，PCM在太陽能儲(chǔ)能、建筑保溫等方面得到了廣泛的應(yīng)用。有機(jī)相變材料，尤其是聚乙二醇(PEG)，因其相變焓高、耐腐蝕、化學(xué)穩(wěn)定性高等特點(diǎn)，近年來備受關(guān)注。然而，純PEG的低固有導(dǎo)熱系數(shù)限制了其實(shí)際應(yīng)用。更重要的是，當(dāng)超過臨界溫度時(shí)，聚合物會(huì)熔化成液體會(huì)導(dǎo)致泄漏影響電子設(shè)備的穩(wěn)定性。雖然可以通過將PCM嵌入聚合物基體和浸漬多孔材料等方法提高PCM的形狀穩(wěn)定性，但其較低的導(dǎo)熱系數(shù)限制了其在熱管理中的應(yīng)用。因此，同時(shí)實(shí)現(xiàn)高導(dǎo)熱、高相變焓和良好形狀穩(wěn)定性的復(fù)合PCM仍然具有挑戰(zhàn)性。
02
成果掠影
近日，蘭州大學(xué)拜永孝教授團(tuán)隊(duì)在用于熱管理的復(fù)合相變材料方面取得了最新研究進(jìn)展。針對(duì)相變材料導(dǎo)熱系數(shù)低、易泄漏、熱穩(wěn)定性差等缺點(diǎn)，該團(tuán)隊(duì)提出通過構(gòu)建仿生葉脈狀三維(3D)結(jié)構(gòu)的氮化硼(BN)并浸漬聚乙二醇(PEG)制備相變復(fù)合材料，該材料在低填料含量下，綜合性能得到了明顯提高。聚乙二醇存儲(chǔ)在BN的三維結(jié)構(gòu)中，可以防止高溫下的泄漏，提高復(fù)合材料的熱穩(wěn)定性。BN骨架作為聲子傳輸?shù)目焖偻ǖ溃梢杂行Ы档蜔嶙琛．?dāng)填料用量為10 vol%時(shí)，復(fù)合PCMs的最高導(dǎo)熱系數(shù)為
展開 Moldex3D模流分析之晶片封裝成型功能導(dǎo)覽(一)
功能導(dǎo)覽 (Function Overview)
Moldex3D芯片封裝模塊，能協(xié)助設(shè)計(jì)師分析不同的芯片封裝成型制程。
在轉(zhuǎn)注成型分析 (Transfer Molding) 與成型底部填膠分析 (Molded Underfill) 中，Moldex3D芯片封裝成型模塊能分析空洞、縫合線、熱固性塑料的硬化率、流動(dòng)型式及轉(zhuǎn)化率；透過后處理結(jié)果，能檢測翹曲、金線偏移及導(dǎo)線架偏移的現(xiàn)象。
在壓縮成型分析 (Compression Molding)／嵌入式晶圓級(jí)封裝分析 (Embedded Wafer Level Package)／非流動(dòng)性底部填膠分析 (No Flow Underfill)／非導(dǎo)電性黏著分析 (Non Conductive Paste)中，Moldex3D芯片封裝成型模塊能分析空洞、縫合線及流動(dòng)型式。
在毛細(xì)底部填膠分析 (Capillary Underfill) 中，能模擬毛細(xì)流動(dòng) (底膠材料受到的表面張力與底膠間接觸角的影響)、凸塊及填膠過程的基板。Moldex3D模擬真實(shí)的填膠過程步驟，預(yù)測可能產(chǎn)生的空洞位置。
注意：Moldex3D芯片封裝成型模塊支持solid與eDesign (僅轉(zhuǎn)注成型) 網(wǎng)格模型。
Moldex3D芯片封裝成型的應(yīng)用
1) 模塊導(dǎo)覽 (Modules Overview)
Moldex3D支持的芯片封裝成型制程：
a) 轉(zhuǎn)注成型 (Transfer Molding)
轉(zhuǎn)注成型制程將芯片封裝，避免芯片受到任何外在因素的損傷。常用的材料為陶瓷與塑料(環(huán)氧成型塑料EMC)，由于塑料成本較低，因此塑料轉(zhuǎn)注成型是常用的封裝制程技術(shù)。
在轉(zhuǎn)注成型制程中，許多問題應(yīng)加以考慮，包含：微芯片與其他電子組件 (打線接合) 之間的交互連接、熱固性材料硬化及各種制程條件控制。
展開 
國產(chǎn)瀏覽器被指造假背后：一位號(hào)稱創(chuàng)造404頁面的80后莆田程序員
高婧說：“我們未來的目標(biāo)是讓每個(gè)中國人，每天工作的第一件事情就是打開紅芯。”
總之，改了名的云適配，走上了現(xiàn)在這條有特色的發(fā)展道路。但不知道什么原因，搞了好多年IE瀏覽器的陳本峰，現(xiàn)在被指抄襲對(duì)象是Chrome。
目前紅芯對(duì)外界的指責(zé)還沒有做出公開回應(yīng)。
一種具有低表面張力和優(yōu)異熱導(dǎo)率的液態(tài)金屬熱界面材料
因此如何調(diào)節(jié)表面張力而且不影響LM的導(dǎo)熱系數(shù)是目前的研究方向之一。
02
成果掠影
近期，天津理工大學(xué)趙云峰教授、蘇州泰吉諾新材料有限公司李兆強(qiáng)聯(lián)合河北工業(yè)大學(xué)鄧齊波教授在制備具有低表面張力和優(yōu)異熱導(dǎo)率的LM取得新進(jìn)展。高表面張力使得LM和填料難以很好地混合以制備用于熱界面應(yīng)用的復(fù)合漿料。該團(tuán)隊(duì)研究發(fā)現(xiàn)摻雜鎢(W)納米粒子可以使LM在氮化硼(BN)丸表面的接觸角從133°降低到105°，表明摻雜W納米粒子可以降低LM的表面張力。LM、W和BN的加入順序會(huì)影響復(fù)合材料的最終形態(tài)，而W納米粒子必須先與LM (LM+W)混合才能得到復(fù)合漿料(LM +W-BN)。相比之下，其他添加序列或不添加W納米顆粒只能得到復(fù)合粉末。LM +W-BN的導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá)14.49 W/(mK)，并對(duì)LM +W-BN材料在壓力、高溫、熱沖擊和高濕條件下的穩(wěn)定性進(jìn)行了詳細(xì)研究，樣品具有良好的綜合性能。通過在發(fā)光二極管(LED)模塊中的應(yīng)用，LM +W-BN漿料顯示出作為熱界面材料(TIM)的優(yōu)異熱管理能力。這種方法也被擴(kuò)展到其他導(dǎo)熱填料，包括碳纖維和石墨烯。這項(xiàng)工作提供了一種簡單的方法來降低LM表面張力，也可能使其他填料的結(jié)合，擴(kuò)大LM的使用，如集成電路和柔性電子產(chǎn)品。研究成果以“Enhanced thermal conductivity of liquid metal composite with lower surface tension as thermal interface materials”為題發(fā)表于《jmr&t Journal of Materials Research and Technology》。
展開 中國研發(fā)新型超高導(dǎo)電材料 電導(dǎo)率是石墨烯一千倍
據(jù)央視新聞客戶端報(bào)道，3月19日復(fù)旦大學(xué)修發(fā)賢團(tuán)隊(duì)在材料領(lǐng)域國際頂級(jí)期刊《自然·材料》上發(fā)表最新研究論文，論文名為《外爾半金屬砷化鈮納米帶中的超高電導(dǎo)率》，該團(tuán)隊(duì)在論文中稱已制備出二維體系中具有目前已知最高導(dǎo)電率的外爾半金屬材料-砷化鈮納米帶。
報(bào)道稱，修發(fā)賢團(tuán)隊(duì)新研制的砷化鈮納米帶材料，電導(dǎo)率是銅薄膜的一百倍，石墨烯的一千倍。同時(shí)，區(qū)別于超導(dǎo)材料只能在零下幾十度超低溫下應(yīng)用，新材料砷化鈮的高電導(dǎo)機(jī)制即使在室溫下仍然有效。這一發(fā)現(xiàn)也為材料科學(xué)尋找高性能導(dǎo)體提供了一個(gè)可行思路，在降低電子器件能耗等方面有重大價(jià)值。
復(fù)旦大學(xué)物理學(xué)系教授修發(fā)賢稱，我們的手機(jī)發(fā)熱、電腦發(fā)熱是有兩個(gè)原因，晶體管本身的發(fā)熱和電流流經(jīng)這些（互連）導(dǎo)線所產(chǎn)生的導(dǎo)線發(fā)熱，那我們現(xiàn)在要解決的問題就是導(dǎo)線的發(fā)熱，我們的這個(gè)材料就可以在這一方面有所用途。
導(dǎo)電材料是電子工業(yè)的基礎(chǔ)，現(xiàn)在最主要的材料是銅，已大規(guī)模用于晶體管的互連導(dǎo)線。信息時(shí)代，計(jì)算機(jī)和智能設(shè)備體積越來越小，而當(dāng)銅變得很薄，進(jìn)入二維尺度時(shí)，電阻變大，導(dǎo)電性迅速變差，功耗大幅度增加。這也是制約芯片等集成電路技術(shù)進(jìn)一步發(fā)展的重要瓶頸。
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