單胞模型分析的案例
UMAT子程序（晶體塑性力學）經典案例-單胞模型（inp+UMAT文件+子程序對應的本構模型文件） ￥10
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基于單脈沖試驗的IGBT模型的電壓應力測試分析
經分析，以上兩種方案都存在一些弊端。
對方案1）增大驅動電阻，存在如下幾個弊端。
A. 驅動電阻加大導致驅動延時增加，西門康模塊采用33Ω驅動電阻時，驅動關斷延時高達2.8μs，17Ω也有約2μs，預計死區時間必須達到4～5μs才能滿足要求。
B. 限制橋臂IGBT開通速度。橋臂IGBT開通太快時，鉗位IGBT的CE之間電壓上升速率太快，通過CG之間的密勒電容形成位移電流，抬高鉗位IGBT的G極電壓，導致漏電流加大。關斷電阻越大，這個效應越明顯。光伏2代逆變器上內管IGBT的實驗波形如圖9所示。應對此問題有如下兩種方法。
方法一是關斷鉗位IGBT時采用兩段驅動電阻，閥值電壓以上采用較大的驅動電阻以降低關斷電壓應力，閥值電壓以下采用較小的驅動電阻，防止門極電壓被沖高。方法二，鉗位IGBT的GE之間并聯電容，壓制門極電壓上沖，但這種方法反過來會加大IGBT關斷延時。
圖9 光伏2代內管IGBT驅動波形
探頭設置為：黃線為逆變電感電流；藍線為內管Vce電壓紅線：內管Vge電壓，開關損耗增加，導致結溫不滿足降額要求。以西門康IGBT為例，開關損耗驅動電阻都按5Ω驅動電阻計算。
若橋臂IGBT開通電阻由5Ω變為10Ω，單次開通損耗由21mJ增加到47mJ，T1/T4開關損耗由105W增加到162W( 輸入電壓750V，輸出電流252A，功率因數1)，總損耗由2152W增加到2493W，增加15.6%。
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