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高效預測半導體器件使用壽命
庭田科技提供的POWERTESTER測試平臺,在不破壞待測器件的前提下,僅需三步,即可高效安全的測試IGBT、硅和碳化硅MOSFET、二極管等半導體器件的使用壽命及熱可靠性。
第一步:將待測器件與POWERTESTER連接,輸入相關參數,校準K系數(溫度敏感因子)
第二步:通過測試平臺內置的觸摸屏電腦,設置待測器件的循環策略,啟動設備,進行全自動熱瞬態及功率循環測試
第三步:數據分析(支持數據導出,進行結構函數分析、生成熱模型等)
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【視頻介紹】
本視頻介紹了Simcenter POWERTESTER 1800A 12C 12V 產品的操作流程。產品用于功率半導體熱可靠性和壽命測試。在功率循環期間,基于熱瞬態測量的結構函數進行采樣,以識別封裝熱結構的退化和故障根源。
根據客戶需求,庭田科技將提供更多型號的選擇。如需了解更多產品信息,請聯系我們:
全國咨詢熱線:400-633-6258.
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展開 使用等效結構應力法預測殼單元/實體單元焊趾的疲勞壽命
4.使用自己編寫的代碼計算兩種模型的焊趾等效結構應力,并計算損傷。
有意咨詢代碼或算法相關問題的可私聊我。